处理中...

{{item.name}}

BSS138LT3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS138LT3G
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 0.65nC 2个N沟道 50V 200mΩ@ 10V,8.4A 200mA SOT-23
    0.65nC 2个N沟道 50V 200mΩ@ 10V,8.4A 200mA SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.0875
  • 600+ ¥0.0791
  • 1000+ ¥0.0777
  • 144000+ ¥0.0735
合计:¥17.50
标准包装数量:3000

AO3402 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3402
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 12nC@ 10V 2个N沟道 30V 4A SOT-23
    12nC@ 10V 2个N沟道 30V 4A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.1063
  • 600+ ¥0.0961
  • 1000+ ¥0.0944
  • 120000+ ¥0.0893
合计:¥21.26
标准包装数量:3000

FDN360P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN360P
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 6.2nC 2个P沟道 30V 2A SOT-23
    6.2nC 2个P沟道 30V 2A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.175
  • 300+ ¥0.1582
  • 500+ ¥0.1554
  • 72000+ ¥0.147
合计:¥17.50
标准包装数量:3000

SI2309 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2309
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 5.4nC@ 30V 2个P沟道 60V 2A SOT-23
    5.4nC@ 30V 2个P沟道 60V 2A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.25
  • 150+ ¥0.226
  • 250+ ¥0.222
  • 51000+ ¥0.21
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SI4459ADY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4459ADY-T1-GE3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 330W 4V@ 250uA 12nC@ 4V 2个P沟道 75V 4.5mΩ@ 10V,75A 170A SOP-8
    330W 4V@ 250uA 12nC@ 4V 2个P沟道 75V 4.5mΩ@ 10V,75A 170A SOP-8
  • 库   存:180000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.275
  • 150+ ¥0.2486
  • 250+ ¥0.2442
  • 48000+ ¥0.231
合计:¥13.75
标准包装数量:3000

SI2308CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2308CDS-T1-GE3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 12nC@ 4V 2个P沟道 60V 2.6A SOT-23
    12nC@ 4V 2个P沟道 60V 2.6A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.225
  • 300+ ¥0.2034
  • 500+ ¥0.1998
  • 57000+ ¥0.189
合计:¥22.50
标准包装数量:3000

FDS9926A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDS9926A
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 4.86nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 6A SOP-8
    4.86nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 6A SOP-8
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.3125
  • 120+ ¥0.2825
  • 200+ ¥0.2775
  • 42000+ ¥0.2625
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

BSS138P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS138P
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 0.8nC@ 4.5V 2个N沟道 60V 1.225nF@6V 300mA SOT-23
    0.8nC@ 4.5V 2个N沟道 60V 1.225nF@6V 300mA SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.0875
  • 600+ ¥0.0791
  • 1000+ ¥0.0777
  • 144000+ ¥0.0735
合计:¥17.50
标准包装数量:3000

SI2300 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2300
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 360mW 12V 6nC@ 4.5V 2个N沟道 3.8A 574pF@10V SOT-23
    360mW 12V 6nC@ 4.5V 2个N沟道 3.8A 574pF@10V SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

AO3415 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3415
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 14.2nC@ 4.5V 2个P沟道 20V 4.8A SOT-23
    14.2nC@ 4.5V 2个P沟道 20V 4.8A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1625
  • 300+ ¥0.1469
  • 500+ ¥0.1443
  • 78000+ ¥0.1365
合计:¥16.25
标准包装数量:3000

SI2328 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2328
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道 耐压:100V 电流:3A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):3A
    N沟道 耐压:100V 电流:3A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):3A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.2
  • 300+ ¥0.1808
  • 500+ ¥0.1776
  • 63000+ ¥0.168
合计:¥20.00
标准包装数量:3000

BSS123N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS123N
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 360mW 20V 2V 2.5nC 2个N沟道 100V 6Ω 170mA 21.5pF SOT-23
    360mW 20V 2V 2.5nC 2个N沟道 100V 6Ω 170mA 21.5pF SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.0813
  • 600+ ¥0.0735
  • 1000+ ¥0.0722
  • 156000+ ¥0.0683
合计:¥16.26
标准包装数量:3000

SI2308 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2308
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1.25W 3V 10nC 2个N沟道 60V 220mΩ 2A 240pF SOT-23
    1.25W 3V 10nC 2个N沟道 60V 220mΩ 2A 240pF SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.225
  • 300+ ¥0.2034
  • 500+ ¥0.1998
  • 57000+ ¥0.189
合计:¥22.50
标准包装数量:3000

SI2323 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2323
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.25W;2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,4.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA P沟道,-20V,-6A,30mΩ@-4.5V
    P沟道 耐压:20V 电流:6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.25W;2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,4.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA P沟道,-20V,-6A,30mΩ@-4.5V
  • 库   存:300000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.3125
  • 120+ ¥0.2825
  • 200+ ¥0.2775
  • 42000+ ¥0.2625
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SI2319DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2319DS-T1-GE3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 2个P沟道 30V 46mΩ 5.6A SOT-3
    2个P沟道 30V 46mΩ 5.6A SOT-3
  • 库   存:300000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.2875
  • 150+ ¥0.2599
  • 250+ ¥0.2553
  • 45000+ ¥0.2415
合计:¥14.38
标准包装数量:3000

AO3409A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3409A
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:2.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.6A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@10V,2.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA P沟 -30V -2.6A
    P沟道 耐压:30V 电流:2.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.6A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@10V,2.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA P沟 -30V -2.6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2301DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2301DS-T1-GE3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:3.6A 类型:P沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.6A
    P沟道 耐压:20V 电流:3.6A 类型:P沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.125
  • 300+ ¥0.113
  • 500+ ¥0.111
  • 102000+ ¥0.105
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SI2306BDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2306BDS-T1-GE3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:3.5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.5A
    N沟道 耐压:30V 电流:3.5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.5A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI9435DY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI9435DY
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
    类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.325
  • 120+ ¥0.2938
  • 200+ ¥0.2886
  • 39000+ ¥0.273
合计:¥13.00
标准包装数量:3000

SI2306DS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2306DS-T1-E3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:3.5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.5A
    N沟道 耐压:30V 电流:3.5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.5A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 500+ ¥0.1332
合计:¥15.00
标准包装数量:3000
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧