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TSM4953DCS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TSM4953DCS
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
    类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

SI2305DS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2305DS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
    P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2305CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2305CDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 12nC@ 4V 2个P沟道 8V 4.23nF@15V 4.4A SOT-23
    12nC@ 4V 2个P沟道 8V 4.23nF@15V 4.4A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2306 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2306
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 750mW 20V 3V@ 250uA 4.5nC 2个N沟道 30V 65mΩ 4A 305pF SOT-23
    750mW 20V 3V@ 250uA 4.5nC 2个N沟道 30V 65mΩ 4A 305pF SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2304BDS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2304BDS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
    N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

AO3401A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3401A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 9.4nC@ 4.5V 2个P沟道 30V 58pF@25V 4A SOT-3
    9.4nC@ 4.5V 2个P沟道 30V 58pF@25V 4A SOT-3
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1375
  • 300+ ¥0.1243
  • 500+ ¥0.1221
  • 93000+ ¥0.1155
合计:¥13.75
标准包装数量:3000

AO3402A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3402A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:4A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA
    N沟道 耐压:30V 电流:4A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1375
  • 300+ ¥0.1243
  • 500+ ¥0.1221
  • 93000+ ¥0.1155
合计:¥13.75
标准包装数量:3000

FDN306P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN306P
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 17nC 2个P沟道 12V 52mΩ@ 10V,16.5A 2.6A SOT-23
    17nC 2个P沟道 12V 52mΩ@ 10V,16.5A 2.6A SOT-23
  • 库   存:4500
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.2678 ¥0.3347
  • 50+ ¥0.252 ¥0.315
  • 150+ ¥0.2249 ¥0.2811
  • 500+ ¥0.1686 ¥0.2107
  • 3000+ ¥0.1622 ¥0.2028
  • 9000+ ¥0.1575 ¥0.1969
合计:¥1.34
标准包装数量:3000

AO3422 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3422
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 6nC@ 10V 2个N沟道 1.96nF@25V 3A SOT-23
    6nC@ 10V 2个N沟道 1.96nF@25V 3A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.225
  • 300+ ¥0.2034
  • 500+ ¥0.1998
  • 57000+ ¥0.189
合计:¥22.50
标准包装数量:3000

SI2319CDS-T1-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2319CDS-T1-BE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P沟道 耐压:40V 电流:4.9A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):4.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V
    P沟道 耐压:40V 电流:4.9A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):4.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V
  • 库   存:300000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.2875
  • 150+ ¥0.2599
  • 250+ ¥0.2553
  • 45000+ ¥0.2415
合计:¥14.38
标准包装数量:3000

AO3416 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3416
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 10nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 540mΩ@5V,900mA 6.5A SOT-23
    10nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 540mΩ@5V,900mA 6.5A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1625
  • 300+ ¥0.1469
  • 500+ ¥0.1443
  • 78000+ ¥0.1365
合计:¥16.25
标准包装数量:3000

SI2309CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2309CDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 11.3nC@ 30V 2个P沟道 60V 1.6A SOT-23
    11.3nC@ 30V 2个P沟道 60V 1.6A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.25
  • 150+ ¥0.226
  • 250+ ¥0.222
  • 51000+ ¥0.21
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SPN9926AS8RG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPN9926AS8RG
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,6A
    2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,6A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.3125
  • 120+ ¥0.2825
  • 200+ ¥0.2775
  • 42000+ ¥0.2625
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SI4430BDY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4430BDY-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,20A
    N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,20A
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.525
  • 90+ ¥0.4746
  • 150+ ¥0.4662
  • 24000+ ¥0.441
合计:¥15.75
标准包装数量:3000

SI2303 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2303
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 3V 4nC 2个P沟道 30V 330mΩ 1.7A 155pF SOT-23
    3V 4nC 2个P沟道 30V 330mΩ 1.7A 155pF SOT-23
  • 库   存:8700
  • 起订量:100
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 100+ ¥0.1518 ¥0.1898
  • 1000+ ¥0.1429 ¥0.1786
  • 3000+ ¥0.1275 ¥0.1594
  • 10000+ ¥0.0955 ¥0.1194
  • 30000+ ¥0.092 ¥0.115
  • 50000+ ¥0.0893 ¥0.1116
合计:¥15.18
标准包装数量:3000

AO3401S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3401S
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
    P沟道 耐压:20V 电流:3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.0813
  • 600+ ¥0.0735
  • 1000+ ¥0.0722
  • 156000+ ¥0.0683
合计:¥16.26
标准包装数量:3000

BSS123LT1G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS123LT1G
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 360mW 2个N沟道 100V 170mA SOT-23
    360mW 2个N沟道 100V 170mA SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.0813
  • 600+ ¥0.0735
  • 1000+ ¥0.0722
  • 156000+ ¥0.0683
合计:¥16.26
标准包装数量:3000

FDN337N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN337N
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 9nC@ 10V 2个N沟道 30V 2.2A SOT-23
    9nC@ 10V 2个N沟道 30V 2.2A SOT-23
  • 库   存:4000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.241 ¥0.3013
  • 50+ ¥0.2269 ¥0.2836
  • 150+ ¥0.2025 ¥0.2531
  • 500+ ¥0.1518 ¥0.1897
  • 3000+ ¥0.1461 ¥0.1826
  • 9000+ ¥0.1418 ¥0.1773
合计:¥1.21
标准包装数量:3000

AO3401 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3401
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 9.4nC@ 4.5V 2个P沟道 30V 8.245nF@25V 4.2A SOT-23
    9.4nC@ 4.5V 2个P沟道 30V 8.245nF@25V 4.2A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.1063
  • 600+ ¥0.0961
  • 1000+ ¥0.0944
  • 120000+ ¥0.0893
合计:¥21.26
标准包装数量:3000

AO3400 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3400
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 6.7nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 5.8A SOT-23
    6.7nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 5.8A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.1063
  • 600+ ¥0.0961
  • 1000+ ¥0.0944
  • 1000+ ¥0.0944
合计:¥21.26
标准包装数量:3000
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