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HM4409 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HM4409
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,15A
    P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,15A
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.475
  • 90+ ¥0.4294
  • 150+ ¥0.4218
  • 27000+ ¥0.399
合计:¥14.25
标准包装数量:3000

ME9435 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ME9435
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
    类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.325
  • 120+ ¥0.2938
  • 200+ ¥0.2886
  • 39000+ ¥0.273
合计:¥13.00
标准包装数量:3000

AO4812 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4812
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 8 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,8A
    2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 8 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,8A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

AP9435GM 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AP9435GM
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
    类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.325
  • 120+ ¥0.2938
  • 200+ ¥0.2886
  • 39000+ ¥0.273
合计:¥13.00
标准包装数量:3000

SM4485PRL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4485PRL
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,11A P沟道,-40V,-11A,16mΩ@-10V
    P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,11A P沟道,-40V,-11A,16mΩ@-10V
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.6
  • 90+ ¥0.5424
  • 150+ ¥0.5328
  • 21000+ ¥0.504
合计:¥18.00
标准包装数量:3000

SI9435BDY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI9435BDY
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
    类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.325
  • 120+ ¥0.2938
  • 200+ ¥0.2886
  • 39000+ ¥0.273
合计:¥13.00
标准包装数量:3000

AO4485 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4485
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 55nC@ 10V 2个P沟道 910pF@25V 10A SOP-8
    55nC@ 10V 2个P沟道 910pF@25V 10A SOP-8
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.6
  • 90+ ¥0.5424
  • 150+ ¥0.5328
  • 21000+ ¥0.504
合计:¥18.00
标准包装数量:3000

AO4447A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4447A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,17A P沟 30V 17A
    P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,17A P沟 30V 17A
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.6
  • 90+ ¥0.5424
  • 150+ ¥0.5328
  • 21000+ ¥0.504
合计:¥18.00
标准包装数量:3000

CEM4953 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CEM4953
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
    类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

TSM4953DCS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TSM4953DCS
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
    类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

SI2328DS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2328DS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 12nC@ 4V 2个N沟道 100V 75pF@25V 1.15A SOT-23
    12nC@ 4V 2个N沟道 100V 75pF@25V 1.15A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.2
  • 300+ ¥0.1808
  • 500+ ¥0.1776
  • 63000+ ¥0.168
合计:¥20.00
标准包装数量:3000

AO3416 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3416
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 10nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 540mΩ@5V,900mA 6.5A SOT-23
    10nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 540mΩ@5V,900mA 6.5A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1625
  • 300+ ¥0.1469
  • 500+ ¥0.1443
  • 78000+ ¥0.1365
合计:¥16.25
标准包装数量:3000

SI2308DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2308DS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道 耐压:60V 电流:3A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.66W
    N沟道 耐压:60V 电流:3A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.66W
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.225
  • 300+ ¥0.2034
  • 500+ ¥0.1998
  • 57000+ ¥0.189
合计:¥22.50
标准包装数量:3000

SI2309CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2309CDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 11.3nC@ 30V 2个P沟道 60V 1.6A SOT-23
    11.3nC@ 30V 2个P沟道 60V 1.6A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.25
  • 150+ ¥0.226
  • 250+ ¥0.222
  • 51000+ ¥0.21
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SPN9926AS8RG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPN9926AS8RG
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,6A
    2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,6A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.3125
  • 120+ ¥0.2825
  • 200+ ¥0.2775
  • 42000+ ¥0.2625
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

AO3422 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3422
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 6nC@ 10V 2个N沟道 1.96nF@25V 3A SOT-23
    6nC@ 10V 2个N沟道 1.96nF@25V 3A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.225
  • 300+ ¥0.2034
  • 500+ ¥0.1998
  • 57000+ ¥0.189
合计:¥22.50
标准包装数量:3000

DMN4468LSS-13 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMN4468LSS-13
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,8A N沟 30V 8A
    类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,8A N沟 30V 8A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.3125
  • 120+ ¥0.2825
  • 200+ ¥0.2775
  • 42000+ ¥0.2625
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

AO3407 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3407
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 6.8nC@ 10V 2个P沟道 30V 146pF@25V 4.2A SOT-23
    6.8nC@ 10V 2个P沟道 30V 146pF@25V 4.2A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.1188
  • 600+ ¥0.1074
  • 1000+ ¥0.1055
  • 108000+ ¥0.0998
合计:¥23.76
标准包装数量:3000

AO3401 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3401
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 9.4nC@ 4.5V 2个P沟道 30V 8.245nF@25V 4.2A SOT-23
    9.4nC@ 4.5V 2个P沟道 30V 8.245nF@25V 4.2A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.1063
  • 600+ ¥0.0961
  • 1000+ ¥0.0944
  • 120000+ ¥0.0893
合计:¥21.26
标准包装数量:3000

AO3400 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3400
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 6.7nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 5.8A SOT-23
    6.7nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 5.8A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.1063
  • 600+ ¥0.0961
  • 1000+ ¥0.0944
  • 1000+ ¥0.0944
合计:¥21.26
标准包装数量:3000
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