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SMBJ12A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SMBJ12A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMB(DO-214AA)
  • 描述: 描述: 此款SMB封装的Uni单向TVS瞬态抑制二极管,专为12V电压等级的电路设计,具备出色的过压防护性能。能在瞬态事件中承受高达30.2A的峰值脉冲电流IPP,快速响应并有效钳位异常电压,确保电子设备在遭受雷击、静电等瞬态冲击时保持稳定运行,是电源及信号线的理想单向浪涌保护器件。
    描述: 此款SMB封装的Uni单向TVS瞬态抑制二极管,专为12V电压等级的电路设计,具备出色的过压防护性能。能在瞬态事件中承受高达30.2A的峰值脉冲电流IPP,快速响应并有效钳位异常电压,确保电子设备在遭受雷击、静电等瞬态冲击时保持稳定运行,是电源及信号线的理想单向浪涌保护器件。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0979
  • 9000+ ¥0.0963
  • 15000+ ¥0.0938
合计:¥293.70
标准包装数量:3000

SMBJ51CA TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SMBJ51CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMB(DO-214AA)
  • 描述: 描述: 森美特SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为高效防护设计。该器件具有51V的反向工作电压(VRWM)和7.3A的最大脉冲峰值电流(IPP),能在瞬间吸收过压尖峰,有效钳位电压并保护电路不受瞬态浪涌损害,适用于各类电子设备的过压防护应用。
    描述: 森美特SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为高效防护设计。该器件具有51V的反向工作电压(VRWM)和7.3A的最大脉冲峰值电流(IPP),能在瞬间吸收过压尖峰,有效钳位电压并保护电路不受瞬态浪涌损害,适用于各类电子设备的过压防护应用。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.1176
  • 9000+ ¥0.1156
  • 15000+ ¥0.1127
合计:¥352.80
标准包装数量:3000

SMBJ48CA TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SMBJ48CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMB(DO-214AA)
  • 描述: 描述: 该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管适用于48V电压系统,提供全面的正负向过压防护。在瞬态事件中可承受7.8A峰值脉冲电流,响应迅速并高效钳位电压波动,有效保护电子设备免受雷击、静电等瞬态冲击的影响,是中高电压环境的理想双向浪涌保护解决方案。
    描述: 该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管适用于48V电压系统,提供全面的正负向过压防护。在瞬态事件中可承受7.8A峰值脉冲电流,响应迅速并高效钳位电压波动,有效保护电子设备免受雷击、静电等瞬态冲击的影响,是中高电压环境的理想双向浪涌保护解决方案。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.1061
  • 9000+ ¥0.1043
  • 15000+ ¥0.1017
合计:¥318.30
标准包装数量:3000

HESDUC5VB1GF-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDUC5VB1GF-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-0603-2L
  • 描述: 描述: 这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损害。器件能承受瞬态峰值电流IPP高达4A,并且拥有超低结电容CJ仅为0.35pF,确保在提供卓越ESD保护的同时保持高速信号线路的绝佳完整性,是小型化、高性能接口的理想防静电组件。
    描述: 这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损害。器件能承受瞬态峰值电流IPP高达4A,并且拥有超低结电容CJ仅为0.35pF,确保在提供卓越ESD保护的同时保持高速信号线路的绝佳完整性,是小型化、高性能接口的理想防静电组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:15000
  • 增   量:15000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 15000+ ¥0.054
  • 45000+ ¥0.0531
  • 75000+ ¥0.0518
合计:¥810.00
标准包装数量:15000

HGSOT05C TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HGSOT05C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压5V,可承受17A电流。结电容典型值为180pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提高设备可靠性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压5V,可承受17A电流。结电容典型值为180pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提高设备可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.081
  • 9000+ ¥0.0797
  • 15000+ ¥0.0776
合计:¥243.00
标准包装数量:3000

HT3V3S5-7 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HT3V3S5-7
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,有一个通道。工作电压3.3V,可承受11.2A电流。结电容典型值为130pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,有一个通道。工作电压3.3V,可承受11.2A电流。结电容典型值为130pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0838
  • 9000+ ¥0.0824
  • 15000+ ¥0.0803
合计:¥251.40
标准包装数量:3000

HESDUC5VU4EF-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDUC5VU4EF-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-2510-10L
  • 描述: 描述: 这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管,适用于4通道保护,具备5V高稳定VRWM电压阈值,有效防止过电压。器件每通道提供高达4A的瞬态峰值电流IPP,并具有业界领先的超低结电容CJ仅为0.3pF,确保在高效抑制ESD的同时保持卓越的信号完整性,是多通道高速接口的理想防静电解决方案。
    描述: 这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管,适用于4通道保护,具备5V高稳定VRWM电压阈值,有效防止过电压。器件每通道提供高达4A的瞬态峰值电流IPP,并具有业界领先的超低结电容CJ仅为0.3pF,确保在高效抑制ESD的同时保持卓越的信号完整性,是多通道高速接口的理想防静电解决方案。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.114
  • 9000+ ¥0.1121
  • 15000+ ¥0.1093
合计:¥342.00
标准包装数量:3000

SMBJ6.8CA TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SMBJ6.8CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMB(DO-214AA)
  • 描述: 描述: 这款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管,适用于5.8V工作电压系统,提供强大的单通道瞬态保护。具备卓越的峰值脉冲电流IPP能力达57.1A,能高效吸收和钳位双向瞬变电压,防止过压损害。低至10.5pF的结电容确保了在高速信号线路上的出色信号完整性,是高功率、高速接口的理想ESD及浪涌防护组件。
    描述: 这款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管,适用于5.8V工作电压系统,提供强大的单通道瞬态保护。具备卓越的峰值脉冲电流IPP能力达57.1A,能高效吸收和钳位双向瞬变电压,防止过压损害。低至10.5pF的结电容确保了在高速信号线路上的出色信号完整性,是高功率、高速接口的理想ESD及浪涌防护组件。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.1189
  • 9000+ ¥0.1169
  • 15000+ ¥0.114
合计:¥356.70
标准包装数量:3000

SMF250A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SMF250A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护元器件具备0.5A的电流承受能力和250V的工作电压,单通道设计,单向类型。它可广泛应用于保护电子设备免受静电放电和浪涌电流的损害,确保系统的稳定运行。
    这款静电和浪涌保护元器件具备0.5A的电流承受能力和250V的工作电压,单通道设计,单向类型。它可广泛应用于保护电子设备免受静电放电和浪涌电流的损害,确保系统的稳定运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.18
  • 9000+ ¥0.177
  • 15000+ ¥0.1725
合计:¥540.00
标准包装数量:3000

HESDUC5VU5LI-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDUC5VU5LI-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23-6L
  • 描述: 描述: 这款SOT-23-6L封装单向ESD静电防护二极管,采用4+1通道设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压冲击。器件每个通道可承受瞬态峰值电流IPP高达4A,并配置了超低结电容CJ仅为0.6pF,确保在提供卓越ESD保护的同时保持多通道高速信号传输的完整性,是高集成度防静电解决方案的理想选择。
    描述: 这款SOT-23-6L封装单向ESD静电防护二极管,采用4+1通道设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压冲击。器件每个通道可承受瞬态峰值电流IPP高达4A,并配置了超低结电容CJ仅为0.6pF,确保在提供卓越ESD保护的同时保持多通道高速信号传输的完整性,是高集成度防静电解决方案的理想选择。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.096
  • 9000+ ¥0.0944
  • 15000+ ¥0.092
合计:¥288.00
标准包装数量:3000

HESDNC24VU1CL-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDNC24VU1CL-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-523
  • 描述: 描述: 这款SOD-523封装单向ESD静电防护二极管,专为高速I/O接口提供卓越的1通道保护。具有高达24V的反向工作电压耐受值VRWM,确保在高压条件下稳定工作。器件能够承受瞬态峰值电流IPP达到6A,并保持低至25pF的结电容CJ,有效防止静电放电损伤的同时,保障信号传输的高速与完整性。
    描述: 这款SOD-523封装单向ESD静电防护二极管,专为高速I/O接口提供卓越的1通道保护。具有高达24V的反向工作电压耐受值VRWM,确保在高压条件下稳定工作。器件能够承受瞬态峰值电流IPP达到6A,并保持低至25pF的结电容CJ,有效防止静电放电损伤的同时,保障信号传输的高速与完整性。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.06
  • 9000+ ¥0.059
  • 15000+ ¥0.0575
合计:¥180.00
标准包装数量:3000

HRLSD32A151V TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HRLSD32A151V
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器具备9A电流处理能力和15V工作电压,采用单向保护机制,适用于各种非工业及非汽车领域的应用。其80pF的典型结电容确保了信号路径中的低电荷存储,适合对信号完整性要求较高的场合。作为一款单通道器件,它能够有效地防止由于瞬态电压或静电放电导致的损害。
    这款静电和浪涌保护器具备9A电流处理能力和15V工作电压,采用单向保护机制,适用于各种非工业及非汽车领域的应用。其80pF的典型结电容确保了信号路径中的低电荷存储,适合对信号完整性要求较高的场合。作为一款单通道器件,它能够有效地防止由于瞬态电压或静电放电导致的损害。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.1242
  • 9000+ ¥0.1221
  • 15000+ ¥0.119
合计:¥372.60
标准包装数量:3000

HSTN101120B111 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HSTN101120B111
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款双向静电和浪涌保护器适用于单通道应用,可在12V的工作电压下承载5A的电流。其结电容为10pF,确保了良好的信号完整性。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、电源线路等敏感电路的过压防护。
    这款双向静电和浪涌保护器适用于单通道应用,可在12V的工作电压下承载5A的电流。其结电容为10pF,确保了良好的信号完整性。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、电源线路等敏感电路的过压防护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 10000+ ¥0.3024
  • 30000+ ¥0.2974
  • 50000+ ¥0.2898
合计:¥3,024.00
标准包装数量:10000

HCEST363NC5VU TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HCEST363NC5VU
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有五个通道。工作电压5V,可承受5A电流。结电容典型值为30pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有五个通道。工作电压5V,可承受5A电流。结电容典型值为30pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.3125
  • 9000+ ¥0.3073
  • 15000+ ¥0.2995
合计:¥937.50
标准包装数量:3000

HGSOT12C-HG3-18 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HGSOT12C-HG3-18
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压12V,可承受11A电流。结电容典型值为90pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的单向损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压12V,可承受11A电流。结电容典型值为90pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的单向损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.3186
  • 9000+ ¥0.3133
  • 15000+ ¥0.3053
合计:¥955.80
标准包装数量:3000

HPTVSUC3D3V3B TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HPTVSUC3D3V3B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压3.3V,可承受17A电流。结电容典型值为1pF,对电路干扰极小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压3.3V,可承受17A电流。结电容典型值为1pF,对电路干扰极小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.3214
  • 9000+ ¥0.316
  • 15000+ ¥0.308
合计:¥964.20
标准包装数量:3000

HRCLAMP3371ZCTFT TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HRCLAMP3371ZCTFT
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压3.3V,可承受4A电流。结电容典型值为0.55pF,对电路影响极小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压3.3V,可承受4A电流。结电容典型值为0.55pF,对电路影响极小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:15000
  • 增   量:15000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 15000+ ¥0.3605
  • 45000+ ¥0.3545
  • 75000+ ¥0.3455
合计:¥5,407.50
标准包装数量:15000

HSM24B TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HSM24B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,拥有两个通道。工作电压24V,可承受5A电流。结电容典型值为25pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,拥有两个通道。工作电压24V,可承受5A电流。结电容典型值为25pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.3346
  • 9000+ ¥0.329
  • 15000+ ¥0.3206
合计:¥1,003.80
标准包装数量:3000

HGSOT08C-HG3-08 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HGSOT08C-HG3-08
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,具有两个通道。工作电压为8V,可承受15A电流。结电容典型值是170pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备造成单向损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,具有两个通道。工作电压为8V,可承受15A电流。结电容典型值是170pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备造成单向损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.3845
  • 9000+ ¥0.3781
  • 15000+ ¥0.3685
合计:¥1,153.50
标准包装数量:3000

HGSOT15C-E3-18 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HGSOT15C-E3-18
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压15V,可承受10A电流。结电容典型值为60pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的单向损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压15V,可承受10A电流。结电容典型值为60pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的单向损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.4028
  • 9000+ ¥0.3961
  • 9000+ ¥0.3961
合计:¥1,208.40
标准包装数量:3000
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