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HAOZ8S321UD4-03 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HAOZ8S321UD4-03
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器具备4A电流处理能力,在3.3V电压下工作,适用于敏感电子设备。其0.6pF的典型结电容确保了低信号失真,尤其适合高速数据线路。该保护器拥有四个单向通道,能有效地为诸如USB或HDMI等多路接口提供防护,抵御瞬态电压冲击,保障设备稳定运行。
    这款静电和浪涌保护器具备4A电流处理能力,在3.3V电压下工作,适用于敏感电子设备。其0.6pF的典型结电容确保了低信号失真,尤其适合高速数据线路。该保护器拥有四个单向通道,能有效地为诸如USB或HDMI等多路接口提供防护,抵御瞬态电压冲击,保障设备稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.5076
  • 9000+ ¥0.4991
  • 15000+ ¥0.4865
合计:¥1,522.80
标准包装数量:3000

HSM15B TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HSM15B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器提供10A的电流承载能力与15V的工作电压,适用于多种电子设备中的保护需求。其典型的结电容为30pF,确保了信号的完整性,尤其是在高频应用中。该器件采用双向(Bi)设计,拥有两个通道,能够有效平衡线路间的差异,为数据通信端口如USB或HDMI等提供对称保护。
    这款静电和浪涌保护器提供10A的电流承载能力与15V的工作电压,适用于多种电子设备中的保护需求。其典型的结电容为30pF,确保了信号的完整性,尤其是在高频应用中。该器件采用双向(Bi)设计,拥有两个通道,能够有效平衡线路间的差异,为数据通信端口如USB或HDMI等提供对称保护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.5022
  • 9000+ ¥0.4938
  • 15000+ ¥0.4813
合计:¥1,506.60
标准包装数量:3000

LESD5D5.0CT1G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: LESD5D5.0CT1G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-523
  • 描述: 描述: 此款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统提供卓越保护,具备单通道设计,能高效抑制双向瞬态ESD冲击。器件具有9A峰值脉冲电流IPP能力,并将结电容控制在低至15pF,确保在高速数据传输中维持信号完整性。是高集成度电子设备的理想选择,为I/O接口提供出色的抗静电干扰性能。
    描述: 此款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统提供卓越保护,具备单通道设计,能高效抑制双向瞬态ESD冲击。器件具有9A峰值脉冲电流IPP能力,并将结电容控制在低至15pF,确保在高速数据传输中维持信号完整性。是高集成度电子设备的理想选择,为I/O接口提供出色的抗静电干扰性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0413
  • 9000+ ¥0.0406
  • 15000+ ¥0.0396
合计:¥123.90
标准包装数量:3000

PRTR5V0U2X TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: PRTR5V0U2X
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-143
  • 描述: 描述: 这款ESD静电防护二极管采用SOT-143封装,具备双通道单向保护功能。工作电压额定值VRWM为5V,每通道能承受瞬态电流IPP高达9A,并且具有超低结电容CJ仅为1.5pF,确保在高速数据接口上提供卓越的防静电性能,有效防止过电压冲击对电路造成损害,维持信号完整性。
    描述: 这款ESD静电防护二极管采用SOT-143封装,具备双通道单向保护功能。工作电压额定值VRWM为5V,每通道能承受瞬态电流IPP高达9A,并且具有超低结电容CJ仅为1.5pF,确保在高速数据接口上提供卓越的防静电性能,有效防止过电压冲击对电路造成损害,维持信号完整性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.1566
  • 9000+ ¥0.154
  • 15000+ ¥0.1501
合计:¥469.80
标准包装数量:3000

LESD3Z5.0CMT1G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: LESD3Z5.0CMT1G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-323
  • 描述: 描述: 此款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供高效防护。具备1通道设计,峰值脉冲电流IPP高达11A,能在极端条件下有效抑制双向瞬态ESD冲击。其低至20pF的结电容确保了在高速数据线路上实现优秀的信号完整性,是现代高集成度和抗静电要求严苛电子设备的理想之选。
    描述: 此款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供高效防护。具备1通道设计,峰值脉冲电流IPP高达11A,能在极端条件下有效抑制双向瞬态ESD冲击。其低至20pF的结电容确保了在高速数据线路上实现优秀的信号完整性,是现代高集成度和抗静电要求严苛电子设备的理想之选。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0524
  • 9000+ ¥0.0516
  • 15000+ ¥0.0503
合计:¥157.20
标准包装数量:3000

HSRV05-4B TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HSRV05-4B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款单向静电和浪涌保护器适用于四通道应用,工作电压为5V,最大电流承载能力为4A。其结电容仅为0.5pF,确保了信号的完整性,非常适合高速数据传输线路的保护。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、数字接口等敏感电路的过压防护。
    这款单向静电和浪涌保护器适用于四通道应用,工作电压为5V,最大电流承载能力为4A。其结电容仅为0.5pF,确保了信号的完整性,非常适合高速数据传输线路的保护。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、数字接口等敏感电路的过压防护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.7938
  • 9000+ ¥0.7806
  • 15000+ ¥0.7607
合计:¥2,381.40
标准包装数量:3000

HCDSOD323-T12LC TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HCDSOD323-T12LC
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压12V,可承受12A电流。结电容典型值仅为1pF,对电路影响极小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压12V,可承受12A电流。结电容典型值仅为1pF,对电路影响极小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.7236
  • 9000+ ¥0.7115
  • 15000+ ¥0.6935
合计:¥2,170.80
标准包装数量:3000

HESDNC5VB1AF-B TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDNC5VB1AF-B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-1006-2L
  • 描述: 描述: 这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,适用于5V系统,提供单通道高效保护。具备5.5A峰值脉冲电流IPP能力,有效抵御双向瞬态ESD冲击,确保敏感电子设备安全。仅10pF结电容设计,保证高速信号线路在遭受静电放电时仍能保持优异的信号完整性,是现代集成化电子产品理想的抗ESD解决方案。
    描述: 这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,适用于5V系统,提供单通道高效保护。具备5.5A峰值脉冲电流IPP能力,有效抵御双向瞬态ESD冲击,确保敏感电子设备安全。仅10pF结电容设计,保证高速信号线路在遭受静电放电时仍能保持优异的信号完整性,是现代集成化电子产品理想的抗ESD解决方案。
  • 库   存:720000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 10000+ ¥0.0166
  • 30000+ ¥0.0163
  • 50000+ ¥0.0159
合计:¥166.00
标准包装数量:10000

HESDLC5VB1CL-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDLC5VB1CL-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-523
  • 描述: 描述: 销售中的这款ESD静电防护二极管采用SOD-523封装,为1通道双向设计。具备5V反向工作电压耐受值VRWM,能有效防止过电压损害。其峰值脉冲电流IPP达2.5A,结电容低至2.5pF,确保在提供卓越ESD保护的同时,最大程度减少对高速信号质量的影响,尤其适用于对静电防护和信号速度有严格要求的精密电子接口。
    描述: 销售中的这款ESD静电防护二极管采用SOD-523封装,为1通道双向设计。具备5V反向工作电压耐受值VRWM,能有效防止过电压损害。其峰值脉冲电流IPP达2.5A,结电容低至2.5pF,确保在提供卓越ESD保护的同时,最大程度减少对高速信号质量的影响,尤其适用于对静电防护和信号速度有严格要求的精密电子接口。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0536
  • 9000+ ¥0.0527
  • 15000+ ¥0.0514
合计:¥160.80
标准包装数量:3000

HESDUC5VB1AF-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDUC5VB1AF-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-1006-2L
  • 描述: 描述: 该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统,提供单通道高效防静电保护。器件能承受4A峰值脉冲电流IPP,有效抑制双向瞬态ESD事件,确保电路安全。其超低结电容0.35pF设计尤为适合高速数据接口应用,保障信号完整性的同时实现卓越的ESD防护性能。
    描述: 该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统,提供单通道高效防静电保护。器件能承受4A峰值脉冲电流IPP,有效抑制双向瞬态ESD事件,确保电路安全。其超低结电容0.35pF设计尤为适合高速数据接口应用,保障信号完整性的同时实现卓越的ESD防护性能。
  • 库   存:720000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 10000+ ¥0.0467
  • 30000+ ¥0.0459
  • 50000+ ¥0.0447
合计:¥467.00
标准包装数量:10000

HESDNC5VB1EL-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDNC5VB1EL-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-323
  • 描述: 描述: 这款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供单通道高效保护。具备11A峰值脉冲电流IPP能力,有效抑制双向瞬态ESD冲击,确保电路稳定运行。其结电容低至20pF,在高速数据传输中保持信号完整性,是现代高集成度电子设备理想的紧凑型、高性能ESD防护方案。
    描述: 这款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供单通道高效保护。具备11A峰值脉冲电流IPP能力,有效抑制双向瞬态ESD冲击,确保电路稳定运行。其结电容低至20pF,在高速数据传输中保持信号完整性,是现代高集成度电子设备理想的紧凑型、高性能ESD防护方案。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.053
  • 9000+ ¥0.0522
  • 15000+ ¥0.0508
合计:¥159.00
标准包装数量:3000

HCESDBLC5V0D5 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HCESDBLC5V0D5
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压5V,可承受8A电流。结电容典型值为10pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压5V,可承受8A电流。结电容典型值为10pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0692
  • 9000+ ¥0.0681
  • 15000+ ¥0.0664
合计:¥207.60
标准包装数量:3000

HESD7951ST5G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESD7951ST5G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,仅有一个通道。工作电压5V,可承受3A电流。结电容典型值为0.8pF,对电路干扰较小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,仅有一个通道。工作电压5V,可承受3A电流。结电容典型值为0.8pF,对电路干扰较小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:8000
  • 增   量:8000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 8000+ ¥0.0726
  • 24000+ ¥0.0714
  • 40000+ ¥0.0696
合计:¥580.80
标准包装数量:8000

HESDNC24VB1AF-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDNC24VB1AF-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-1006-2L
  • 描述: 描述: 这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,适用于24V系统,提供单通道高效防护。具备5A峰值脉冲电流IPP能力,有效对抗双向瞬态ESD冲击。其结电容为15pF,在高速数据传输中保持信号完整性,是高电压环境下电子设备接口的理想ESD保护解决方案。
    描述: 这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,适用于24V系统,提供单通道高效防护。具备5A峰值脉冲电流IPP能力,有效对抗双向瞬态ESD冲击。其结电容为15pF,在高速数据传输中保持信号完整性,是高电压环境下电子设备接口的理想ESD保护解决方案。
  • 库   存:720000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 10000+ ¥0.049
  • 30000+ ¥0.0481
  • 50000+ ¥0.0469
合计:¥490.00
标准包装数量:10000

SMF33CA TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SMF33CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-123FL
  • 描述: 描述: 此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管,适用于33V系统,提供卓越的正负向过电压保护。具备3.8A峰值脉冲电流承载能力,能在电路中快速响应并钳位瞬态高压波动,有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的损害,是高电压环境下的电源线及信号接口的理想防护组件。
    描述: 此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管,适用于33V系统,提供卓越的正负向过电压保护。具备3.8A峰值脉冲电流承载能力,能在电路中快速响应并钳位瞬态高压波动,有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的损害,是高电压环境下的电源线及信号接口的理想防护组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0623
  • 9000+ ¥0.0612
  • 15000+ ¥0.0597
合计:¥186.90
标准包装数量:3000

PESD5V0S1BB TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: PESD5V0S1BB
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-523
  • 描述: 描述: 这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用设计。具有5V高稳定VRWM耐压值,能够有效防御过电压冲击。器件提供卓越的瞬态保护能力,峰值脉冲电流IPP高达11A,且结电容CJ仅为20pF,确保在强力抑制ESD的同时,最大程度保持高速信号传输的完整性,是各类高速接口和敏感电子设备的理想防静电方案。
    描述: 这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用设计。具有5V高稳定VRWM耐压值,能够有效防御过电压冲击。器件提供卓越的瞬态保护能力,峰值脉冲电流IPP高达11A,且结电容CJ仅为20pF,确保在强力抑制ESD的同时,最大程度保持高速信号传输的完整性,是各类高速接口和敏感电子设备的理想防静电方案。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.048
  • 9000+ ¥0.0472
  • 15000+ ¥0.046
合计:¥144.00
标准包装数量:3000

HESDNC3V3B1CL-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDNC3V3B1CL-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-523
  • 描述: 描述: 此款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管,专为3.3V系统提供单通道保护。拥有9A峰值脉冲电流IPP性能,有效对抗双向瞬态ESD冲击,保障电路安全稳定。15pF低结电容设计确保高速信号传输时保持出色的信号完整性,是现代便携式及高集成度电子设备的理想ESD防护选择。
    描述: 此款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管,专为3.3V系统提供单通道保护。拥有9A峰值脉冲电流IPP性能,有效对抗双向瞬态ESD冲击,保障电路安全稳定。15pF低结电容设计确保高速信号传输时保持出色的信号完整性,是现代便携式及高集成度电子设备的理想ESD防护选择。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0672
  • 9000+ ¥0.0661
  • 15000+ ¥0.0644
合计:¥201.60
标准包装数量:3000

SMF13CA TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SMF13CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 200W 9.3A 21.5V 14.4V
    200W 9.3A 21.5V 14.4V
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.06
  • 9000+ ¥0.059
  • 15000+ ¥0.0575
合计:¥180.00
标准包装数量:3000

MMBZ6V8ALT1G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: MMBZ6V8ALT1G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 该款SOT-23封装单向ESD静电防护二极管,专为精密接口提供卓越防静电保护。具有4.5V的额定反向工作电压VRWM和高达2.5A的峰值脉冲电流IPP能力,能够高效抑制过电压瞬变和静电放电效应,有效防止敏感电子组件受到损害。小体积设计,适用于空间有限的电路板布局,是I/O端口、数据线路的理想防护器件。
    描述: 该款SOT-23封装单向ESD静电防护二极管,专为精密接口提供卓越防静电保护。具有4.5V的额定反向工作电压VRWM和高达2.5A的峰值脉冲电流IPP能力,能够高效抑制过电压瞬变和静电放电效应,有效防止敏感电子组件受到损害。小体积设计,适用于空间有限的电路板布局,是I/O端口、数据线路的理想防护器件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0834
  • 9000+ ¥0.082
  • 15000+ ¥0.0799
合计:¥250.20
标准包装数量:3000

HLY323BC1524L TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HLY323BC1524L
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道。工作电压15V,可承受10A电流。结电容典型值为9pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道。工作电压15V,可承受10A电流。结电容典型值为9pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.1842
  • 9000+ ¥0.1811
  • 9000+ ¥0.1811
合计:¥552.60
标准包装数量:3000
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