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HESDUC5VU4EF-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDUC5VU4EF-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-2510-10L
  • 描述: 描述: 这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管,适用于4通道保护,具备5V高稳定VRWM电压阈值,有效防止过电压。器件每通道提供高达4A的瞬态峰值电流IPP,并具有业界领先的超低结电容CJ仅为0.3pF,确保在高效抑制ESD的同时保持卓越的信号完整性,是多通道高速接口的理想防静电解决方案。
    描述: 这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管,适用于4通道保护,具备5V高稳定VRWM电压阈值,有效防止过电压。器件每通道提供高达4A的瞬态峰值电流IPP,并具有业界领先的超低结电容CJ仅为0.3pF,确保在高效抑制ESD的同时保持卓越的信号完整性,是多通道高速接口的理想防静电解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.114
  • 9000+ ¥0.1121
  • 15000+ ¥0.1093
合计:¥342.00
标准包装数量:3000

ESDA6V8AV6 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: ESDA6V8AV6
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-563
  • 描述: 描述: 这款SOT-563封装单向ESD静电防护二极管,采用5通道设计,具备5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损伤。器件在每个通道上可承受瞬态峰值电流IPP高达1.6A,并拥有较低结电容CJ为9pF,确保在多通道同时提供卓越的ESD保护性能的同时保持信号传输质量,是小型化、高密度接口防静电的理想选择。
    描述: 这款SOT-563封装单向ESD静电防护二极管,采用5通道设计,具备5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损伤。器件在每个通道上可承受瞬态峰值电流IPP高达1.6A,并拥有较低结电容CJ为9pF,确保在多通道同时提供卓越的ESD保护性能的同时保持信号传输质量,是小型化、高密度接口防静电的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.288
  • 9000+ ¥0.2832
  • 15000+ ¥0.276
合计:¥864.00
标准包装数量:3000

HXYSLVU2.8-4 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HXYSLVU2.8-4
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 描述: 这款SOP-8封装单向ESD静电防护二极管,专为2.8V系统提供高效四通道保护。每通道能承受高达20A的峰值脉冲电流IPP,有效防止单向静电放电对电路造成损坏。器件结电容低至3pF,确保在高速数据接口上保持出色的信号完整性,是现代多线ESD防护需求的理想解决方案,适用于高集成度和高性能电子设备。
    描述: 这款SOP-8封装单向ESD静电防护二极管,专为2.8V系统提供高效四通道保护。每通道能承受高达20A的峰值脉冲电流IPP,有效防止单向静电放电对电路造成损坏。器件结电容低至3pF,确保在高速数据接口上保持出色的信号完整性,是现代多线ESD防护需求的理想解决方案,适用于高集成度和高性能电子设备。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥1.1369
  • 9000+ ¥1.1179
  • 15000+ ¥1.0895
合计:¥3,410.70
标准包装数量:3000

HESDNC7/12VB2I-C TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDNC7/12VB2I-C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 这款SOT-23封装双向ESD静电防护二极管采用双通道设计,具有7V工作电压耐受值VRWM,可有效抵御过电压。器件在每个通道上能承受瞬态峰值电流IPP高达10A,并配置了低结电容CJ为15pF,在提供强大防静电保护的同时保持高速信号传输的完整性,是理想的双通道接口静电防护解决方案。
    描述: 这款SOT-23封装双向ESD静电防护二极管采用双通道设计,具有7V工作电压耐受值VRWM,可有效抵御过电压。器件在每个通道上能承受瞬态峰值电流IPP高达10A,并配置了低结电容CJ为15pF,在提供强大防静电保护的同时保持高速信号传输的完整性,是理想的双通道接口静电防护解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.12
  • 9000+ ¥0.118
  • 15000+ ¥0.115
合计:¥360.00
标准包装数量:3000

HESDNC3V3B1AF-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDNC3V3B1AF-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-1006-2L
  • 描述: 描述: 此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于3.3V系统,提供单通道高效防护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力,能有效吸收和抑制双向瞬态ESD事件,保护电路不受损害。仅15pF结电容确保高速数据线路上信号完整性良好,是现代便携式与高集成度电子设备的理想低电容ESD解决方案。
    描述: 此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于3.3V系统,提供单通道高效防护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力,能有效吸收和抑制双向瞬态ESD事件,保护电路不受损害。仅15pF结电容确保高速数据线路上信号完整性良好,是现代便携式与高集成度电子设备的理想低电容ESD解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10000+ ¥0.0408
  • 30000+ ¥0.0401
  • 50000+ ¥0.0391
合计:¥408.00
标准包装数量:10000

HESDUC5VB1GF-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDUC5VB1GF-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-0603-2L
  • 描述: 描述: 这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损害。器件能承受瞬态峰值电流IPP高达4A,并且拥有超低结电容CJ仅为0.35pF,确保在提供卓越ESD保护的同时保持高速信号线路的绝佳完整性,是小型化、高性能接口的理想防静电组件。
    描述: 这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损害。器件能承受瞬态峰值电流IPP高达4A,并且拥有超低结电容CJ仅为0.35pF,确保在提供卓越ESD保护的同时保持高速信号线路的绝佳完整性,是小型化、高性能接口的理想防静电组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:15000
  • 增   量:15000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 15000+ ¥0.054
  • 45000+ ¥0.0531
  • 75000+ ¥0.0518
合计:¥810.00
标准包装数量:15000

HESDNC5VB1GF-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDNC5VB1GF-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-0603-2L
  • 描述: 描述: 这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用设计,具备5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损害。器件能承受高达8A的瞬态峰值电流IPP,并拥有较低结电容CJ仅为15pF,在确保卓越ESD保护的同时保持高速信号线路的良好传输品质,是现代小尺寸、高性能接口的理想防静电方案。
    描述: 这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用设计,具备5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损害。器件能承受高达8A的瞬态峰值电流IPP,并拥有较低结电容CJ仅为15pF,在确保卓越ESD保护的同时保持高速信号线路的良好传输品质,是现代小尺寸、高性能接口的理想防静电方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:15000
  • 增   量:15000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 15000+ ¥0.084
  • 45000+ ¥0.0826
  • 75000+ ¥0.0805
合计:¥1,260.00
标准包装数量:15000

ESD11LL5.0C TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: ESD11LL5.0C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-0603-2L
  • 描述: 描述: 这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为单通道设计,具有5V高耐压VRWM特性,能有效防止过电压冲击。器件提供瞬态峰值电流IPP高达4A,并配备超低结电容CJ仅为0.35pF,确保在实现卓越ESD防护性能的同时保持高速信号传输的绝佳完整性,是针对现代高性能接口的理想防静电解决方案。
    描述: 这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为单通道设计,具有5V高耐压VRWM特性,能有效防止过电压冲击。器件提供瞬态峰值电流IPP高达4A,并配备超低结电容CJ仅为0.35pF,确保在实现卓越ESD防护性能的同时保持高速信号传输的绝佳完整性,是针对现代高性能接口的理想防静电解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:15000
  • 增   量:15000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 15000+ ¥0.108
  • 45000+ ¥0.1062
  • 75000+ ¥0.1035
合计:¥1,620.00
标准包装数量:15000

HESDNC5VB1AF-B TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDNC5VB1AF-B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-1006-2L
  • 描述: 描述: 这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,适用于5V系统,提供单通道高效保护。具备5.5A峰值脉冲电流IPP能力,有效抵御双向瞬态ESD冲击,确保敏感电子设备安全。仅10pF结电容设计,保证高速信号线路在遭受静电放电时仍能保持优异的信号完整性,是现代集成化电子产品理想的抗ESD解决方案。
    描述: 这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,适用于5V系统,提供单通道高效保护。具备5.5A峰值脉冲电流IPP能力,有效抵御双向瞬态ESD冲击,确保敏感电子设备安全。仅10pF结电容设计,保证高速信号线路在遭受静电放电时仍能保持优异的信号完整性,是现代集成化电子产品理想的抗ESD解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10000+ ¥0.0174
  • 30000+ ¥0.0171
  • 50000+ ¥0.0167
合计:¥174.00
标准包装数量:10000

HESDLC5VB1CL-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDLC5VB1CL-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-523
  • 描述: 描述: 销售中的这款ESD静电防护二极管采用SOD-523封装,为1通道双向设计。具备5V反向工作电压耐受值VRWM,能有效防止过电压损害。其峰值脉冲电流IPP达2.5A,结电容低至2.5pF,确保在提供卓越ESD保护的同时,最大程度减少对高速信号质量的影响,尤其适用于对静电防护和信号速度有严格要求的精密电子接口。
    描述: 销售中的这款ESD静电防护二极管采用SOD-523封装,为1通道双向设计。具备5V反向工作电压耐受值VRWM,能有效防止过电压损害。其峰值脉冲电流IPP达2.5A,结电容低至2.5pF,确保在提供卓越ESD保护的同时,最大程度减少对高速信号质量的影响,尤其适用于对静电防护和信号速度有严格要求的精密电子接口。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0536
  • 9000+ ¥0.0527
  • 15000+ ¥0.0514
合计:¥160.80
标准包装数量:3000

HESDNC24VB1EL-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDNC24VB1EL-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-323
  • 描述: 描述: 该SOD-323封装的单通道双向ESD静电防护二极管,专为高效防护设计。具有高达24V的VRWM反向工作电压耐受值和强大的9.5A瞬态脉冲电流承受能力。其30pF低结电容特性确保在提供卓越ESD保护的同时,保持高速信号线路的低干扰传输,适用于各类敏感电子设备接口防护。
    描述: 该SOD-323封装的单通道双向ESD静电防护二极管,专为高效防护设计。具有高达24V的VRWM反向工作电压耐受值和强大的9.5A瞬态脉冲电流承受能力。其30pF低结电容特性确保在提供卓越ESD保护的同时,保持高速信号线路的低干扰传输,适用于各类敏感电子设备接口防护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.108
  • 9000+ ¥0.1062
  • 15000+ ¥0.1035
合计:¥324.00
标准包装数量:3000

HESDUC5VU5LI-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDUC5VU5LI-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23-6L
  • 描述: 描述: 这款SOT-23-6L封装单向ESD静电防护二极管,采用4+1通道设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压冲击。器件每个通道可承受瞬态峰值电流IPP高达4A,并配置了超低结电容CJ仅为0.6pF,确保在提供卓越ESD保护的同时保持多通道高速信号传输的完整性,是高集成度防静电解决方案的理想选择。
    描述: 这款SOT-23-6L封装单向ESD静电防护二极管,采用4+1通道设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压冲击。器件每个通道可承受瞬态峰值电流IPP高达4A,并配置了超低结电容CJ仅为0.6pF,确保在提供卓越ESD保护的同时保持多通道高速信号传输的完整性,是高集成度防静电解决方案的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.096
  • 9000+ ¥0.0944
  • 15000+ ¥0.092
合计:¥288.00
标准包装数量:3000

LESD5Z5.0CT1G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: LESD5Z5.0CT1G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-523
  • 描述: 描述: 这款SOD-523封装的ESD静电防护二极管采用双向设计,专为1通道保护而生。具备5V额定反向工作电压VRWM及卓越的瞬态承受能力,峰值脉冲电流可达9A。超低结电容仅为15pF,确保高速信号传输不受干扰,是高集成电子设备的理想ESD防护解决方案。
    描述: 这款SOD-523封装的ESD静电防护二极管采用双向设计,专为1通道保护而生。具备5V额定反向工作电压VRWM及卓越的瞬态承受能力,峰值脉冲电流可达9A。超低结电容仅为15pF,确保高速信号传输不受干扰,是高集成电子设备的理想ESD防护解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0384
  • 9000+ ¥0.0378
  • 15000+ ¥0.0368
合计:¥115.20
标准包装数量:3000

HRCLAMP3331PQTCT TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HRCLAMP3331PQTCT
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款双向静电和浪涌保护器适用于单通道应用,工作电压为3.3V,最大电流承载能力为4A。其结电容仅为0.3pF,确保了信号的完整性,非常适合高速数据传输线路的保护。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、数字接口等敏感电路的过压防护。
    这款双向静电和浪涌保护器适用于单通道应用,工作电压为3.3V,最大电流承载能力为4A。其结电容仅为0.3pF,确保了信号的完整性,非常适合高速数据传输线路的保护。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、数字接口等敏感电路的过压防护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10000+ ¥0.8208
  • 30000+ ¥0.8071
  • 50000+ ¥0.7866
合计:¥8,208.00
标准包装数量:10000

PESD5V0S1BB TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: PESD5V0S1BB
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-523
  • 描述: 描述: 这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用设计。具有5V高稳定VRWM耐压值,能够有效防御过电压冲击。器件提供卓越的瞬态保护能力,峰值脉冲电流IPP高达11A,且结电容CJ仅为20pF,确保在强力抑制ESD的同时,最大程度保持高速信号传输的完整性,是各类高速接口和敏感电子设备的理想防静电方案。
    描述: 这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用设计。具有5V高稳定VRWM耐压值,能够有效防御过电压冲击。器件提供卓越的瞬态保护能力,峰值脉冲电流IPP高达11A,且结电容CJ仅为20pF,确保在强力抑制ESD的同时,最大程度保持高速信号传输的完整性,是各类高速接口和敏感电子设备的理想防静电方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.048
  • 9000+ ¥0.0472
  • 15000+ ¥0.046
合计:¥144.00
标准包装数量:3000

HESDNC7VB1AF-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDNC7VB1AF-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-1006-2L
  • 描述: 描述: 此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为7V系统设计,提供单通道卓越保护。具有9A峰值脉冲电流IPP能力,有效应对双向瞬态ESD冲击,确保电路安全稳定运行。8pF低结电容特性保障高速数据传输时信号完整性,是现代电子设备及高要求接口的理想ESD防护解决方案。
    描述: 此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为7V系统设计,提供单通道卓越保护。具有9A峰值脉冲电流IPP能力,有效应对双向瞬态ESD冲击,确保电路安全稳定运行。8pF低结电容特性保障高速数据传输时信号完整性,是现代电子设备及高要求接口的理想ESD防护解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10000+ ¥0.0442
  • 30000+ ¥0.0434
  • 50000+ ¥0.0423
合计:¥442.00
标准包装数量:10000

HESDNC5VB1EL-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDNC5VB1EL-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-323
  • 描述: 描述: 这款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供单通道高效保护。具备11A峰值脉冲电流IPP能力,有效抑制双向瞬态ESD冲击,确保电路稳定运行。其结电容低至20pF,在高速数据传输中保持信号完整性,是现代高集成度电子设备理想的紧凑型、高性能ESD防护方案。
    描述: 这款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供单通道高效保护。具备11A峰值脉冲电流IPP能力,有效抑制双向瞬态ESD冲击,确保电路稳定运行。其结电容低至20pF,在高速数据传输中保持信号完整性,是现代高集成度电子设备理想的紧凑型、高性能ESD防护方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.053
  • 9000+ ¥0.0522
  • 15000+ ¥0.0508
合计:¥159.00
标准包装数量:3000

HESDL3V3LB-TP TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDL3V3LB-TP
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款双向静电和浪涌保护器适用于单通道应用,工作电压为3.3V,最大电流承载能力为7A。其结电容为10pF,确保了信号的完整性。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、电源线路等敏感电路的过压防护。
    这款双向静电和浪涌保护器适用于单通道应用,工作电压为3.3V,最大电流承载能力为7A。其结电容为10pF,确保了信号的完整性。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、电源线路等敏感电路的过压防护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10000+ ¥0.1985
  • 30000+ ¥0.1952
  • 50000+ ¥0.1902
合计:¥1,985.00
标准包装数量:10000

HSTN061050B101 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HSTN061050B101
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款双向静电和浪涌保护器适用于单通道应用,工作电压为5V,最大电流承载能力为9A。其结电容为15pF,确保了良好的信号完整性。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、电源线路等敏感电路的过压防护。
    这款双向静电和浪涌保护器适用于单通道应用,工作电压为5V,最大电流承载能力为9A。其结电容为15pF,确保了良好的信号完整性。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、电源线路等敏感电路的过压防护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:15000
  • 增   量:15000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 15000+ ¥0.3056
  • 45000+ ¥0.3005
  • 75000+ ¥0.2929
合计:¥4,584.00
标准包装数量:15000

HSPHV12-01ETG-C TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HSPHV12-01ETG-C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,单通道设计。工作电压12V,可承受4A电流。结电容典型值为28pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的单向损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,单通道设计。工作电压12V,可承受4A电流。结电容典型值为28pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的单向损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
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