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SZESD9101P2T5G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SZESD9101P2T5G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,单通道。工作电压5V,可承受4A电流。结电容典型值仅为0.5pF,对电路影响极小。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的单向损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,单通道。工作电压5V,可承受4A电流。结电容典型值仅为0.5pF,对电路影响极小。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的单向损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:8000
  • 增   量:8000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 8000+ ¥0.402
  • 24000+ ¥0.3953
  • 40000+ ¥0.3853
合计:¥3,216.00
标准包装数量:8000

NUP4202W1T2G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: NUP4202W1T2G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 该静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别,具有4.5安培的IPP/A额定电流与5伏特的VRWM/V最大工作电压,电容值为1皮法拉(pF),适用于四线配置。作为一款单向(Uni)设计的保护元件,它能够在数据通信接口等敏感电子设备中提供有效的瞬态电压抑制,防止因静电放电或突发浪涌导致的损坏,同时保持信号完整性。其低电容特性使其成为高速数据线的理想选择。
    该静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别,具有4.5安培的IPP/A额定电流与5伏特的VRWM/V最大工作电压,电容值为1皮法拉(pF),适用于四线配置。作为一款单向(Uni)设计的保护元件,它能够在数据通信接口等敏感电子设备中提供有效的瞬态电压抑制,防止因静电放电或突发浪涌导致的损坏,同时保持信号完整性。其低电容特性使其成为高速数据线的理想选择。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.271
  • 9000+ ¥0.2664
  • 15000+ ¥0.2597
合计:¥813.00
标准包装数量:3000

ESD9L5.0ST5G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: ESD9L5.0ST5G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-923
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,有一个通道。工作电压5V,可承受4A电流。结电容典型值为0.5pF,对电路干扰极小。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,有一个通道。工作电压5V,可承受4A电流。结电容典型值为0.5pF,对电路干扰极小。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:8000
  • 增   量:8000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 8000+ ¥0.0876
  • 24000+ ¥0.0861
  • 40000+ ¥0.084
合计:¥700.80
标准包装数量:8000

ESD24VS2UE6327HTSA1 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: ESD24VS2UE6327HTSA1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压24V,可承受2A电流。结电容典型值为25pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的单向损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压24V,可承受2A电流。结电容典型值为25pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的单向损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.3432
  • 9000+ ¥0.3375
  • 15000+ ¥0.3289
合计:¥1,029.60
标准包装数量:3000

HESDLC5VB1CL-A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDLC5VB1CL-A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-523
  • 描述: 描述: 销售中的这款ESD静电防护二极管采用SOD-523封装,为1通道双向设计。具备5V反向工作电压耐受值VRWM,能有效防止过电压损害。其峰值脉冲电流IPP达2.5A,结电容低至2.5pF,确保在提供卓越ESD保护的同时,最大程度减少对高速信号质量的影响,尤其适用于对静电防护和信号速度有严格要求的精密电子接口。
    描述: 销售中的这款ESD静电防护二极管采用SOD-523封装,为1通道双向设计。具备5V反向工作电压耐受值VRWM,能有效防止过电压损害。其峰值脉冲电流IPP达2.5A,结电容低至2.5pF,确保在提供卓越ESD保护的同时,最大程度减少对高速信号质量的影响,尤其适用于对静电防护和信号速度有严格要求的精密电子接口。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0536
  • 9000+ ¥0.0527
  • 15000+ ¥0.0514
合计:¥160.80
标准包装数量:3000

PESD2CAN TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: PESD2CAN
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 这款SOT-23封装的双向ESD静电防护二极管,拥有双通道设计,具有高达24V的工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损害。器件每个通道可承受瞬态峰值电流IPP为4A,并配置了低至10pF的结电容CJ,在确保卓越ESD保护性能的同时,最大程度地维持高速信号传输的完整性,适用于各种需要高性能防静电措施的场合。
    描述: 这款SOT-23封装的双向ESD静电防护二极管,拥有双通道设计,具有高达24V的工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损害。器件每个通道可承受瞬态峰值电流IPP为4A,并配置了低至10pF的结电容CJ,在确保卓越ESD保护性能的同时,最大程度地维持高速信号传输的完整性,适用于各种需要高性能防静电措施的场合。
  • 库   存:1612
  • 起订量:100
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 100+ ¥0.1766 ¥0.2207
  • 1000+ ¥0.1662 ¥0.2077
  • 3000+ ¥0.1483 ¥0.1854
  • 10000+ ¥0.1111 ¥0.1389
  • 30000+ ¥0.107 ¥0.1337
  • 50000+ ¥0.1038 ¥0.1298
合计:¥17.66
标准包装数量:3000

ESD11D5.0C TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: ESD11D5.0C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-0603-2L
  • 描述: 描述: 这款DFN0603-2L封装双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用设计。具有5V的高耐压VRWM特性,可有效防止过电压损害。器件提供高达8A的峰值脉冲电流IPP能力,并拥有低至15pF的结电容CJ,确保在高效抑制ESD的同时,维持高速信号线路的优异传输质量,是小型化、高性能接口的理想防静电保护组件。
    描述: 这款DFN0603-2L封装双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用设计。具有5V的高耐压VRWM特性,可有效防止过电压损害。器件提供高达8A的峰值脉冲电流IPP能力,并拥有低至15pF的结电容CJ,确保在高效抑制ESD的同时,维持高速信号线路的优异传输质量,是小型化、高性能接口的理想防静电保护组件。
  • 库   存:720000
  • 起订量:15000
  • 增   量:15000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 15000+ ¥0.084
  • 45000+ ¥0.0826
  • 75000+ ¥0.0805
合计:¥1,260.00
标准包装数量:15000

PESD15VL2BT TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: PESD15VL2BT
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 5V 双向 500W 15A 33V 16.5V SOT-23
    5V 双向 500W 15A 33V 16.5V SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.148
  • 9000+ ¥0.1455
  • 15000+ ¥0.1418
合计:¥444.00
标准包装数量:3000

SMBJ51CA TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SMBJ51CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMB
  • 描述: 描述: 森美特SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为高效防护设计。该器件具有51V的反向工作电压(VRWM)和7.3A的最大脉冲峰值电流(IPP),能在瞬间吸收过压尖峰,有效钳位电压并保护电路不受瞬态浪涌损害,适用于各类电子设备的过压防护应用。
    描述: 森美特SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为高效防护设计。该器件具有51V的反向工作电压(VRWM)和7.3A的最大脉冲峰值电流(IPP),能在瞬间吸收过压尖峰,有效钳位电压并保护电路不受瞬态浪涌损害,适用于各类电子设备的过压防护应用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.1
  • 9000+ ¥0.0983
  • 15000+ ¥0.0958
合计:¥300.00
标准包装数量:3000

SMAJ15A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SMAJ15A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 描述: 这款高性能单向TVS瞬态抑制二极管采用紧凑型SMA封装,特别适合空间受限的设计。其VRWM额定反向工作电压为15V,在遇到瞬态过压事件时能提供卓越保护,峰值脉冲电流IPP高达16.4A,确保快速响应并有效钳位异常电压,为敏感电子设备提供强有力的过压防护,适用于各种电源线和信号线的浪涌防护应用。
    描述: 这款高性能单向TVS瞬态抑制二极管采用紧凑型SMA封装,特别适合空间受限的设计。其VRWM额定反向工作电压为15V,在遇到瞬态过压事件时能提供卓越保护,峰值脉冲电流IPP高达16.4A,确保快速响应并有效钳位异常电压,为敏感电子设备提供强有力的过压防护,适用于各种电源线和信号线的浪涌防护应用。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.0845
  • 15000+ ¥0.0831
  • 25000+ ¥0.081
合计:¥422.50
标准包装数量:5000

HESD5481MUT5G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESD5481MUT5G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,拥有一个通道。工作电压5V,可承受9A电流。结电容典型值为15pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,拥有一个通道。工作电压5V,可承受9A电流。结电容典型值为15pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:15000
  • 增   量:15000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 15000+ ¥0.0742
  • 45000+ ¥0.0729
  • 75000+ ¥0.0711
合计:¥1,113.00
标准包装数量:15000

HT3V3S5-7 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HT3V3S5-7
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,有一个通道。工作电压3.3V,可承受11.2A电流。结电容典型值为130pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,有一个通道。工作电压3.3V,可承受11.2A电流。结电容典型值为130pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0838
  • 9000+ ¥0.0824
  • 15000+ ¥0.0803
合计:¥251.40
标准包装数量:3000

HSM12.TCT TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HSM12.TCT
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,设有两个通道。工作电压为12V,可承受11A电流。结电容典型值是90pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提高设备可靠性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,设有两个通道。工作电压为12V,可承受11A电流。结电容典型值是90pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提高设备可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0922
  • 9000+ ¥0.0906
  • 15000+ ¥0.0883
合计:¥276.60
标准包装数量:3000

HCESDBLC5V0D5 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HCESDBLC5V0D5
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压5V,可承受8A电流。结电容典型值为10pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压5V,可承受8A电流。结电容典型值为10pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0692
  • 9000+ ¥0.0681
  • 15000+ ¥0.0664
合计:¥207.60
标准包装数量:3000

HAZ5B65-01F TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HAZ5B65-01F
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,仅有一个通道。工作电压5V,可承受4A电流。结电容典型值为0.55pF,对电路影响极小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,仅有一个通道。工作电压5V,可承受4A电流。结电容典型值为0.55pF,对电路影响极小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:15000
  • 增   量:15000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 15000+ ¥0.0889
  • 45000+ ¥0.0874
  • 75000+ ¥0.0852
合计:¥1,333.50
标准包装数量:15000

SMAJ18CA TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SMAJ18CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 描述: 该款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管专为18V系统设计,提供高效双向过压保护。具备高达13.7A峰值脉冲电流承受能力,能在正负电压浪涌下快速响应并准确钳位,有效抵御雷击、静电及电源波动导致的瞬态高压,确保电子设备在恶劣环境下仍能稳定、安全运行。
    描述: 该款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管专为18V系统设计,提供高效双向过压保护。具备高达13.7A峰值脉冲电流承受能力,能在正负电压浪涌下快速响应并准确钳位,有效抵御雷击、静电及电源波动导致的瞬态高压,确保电子设备在恶劣环境下仍能稳定、安全运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.0882
  • 15000+ ¥0.0867
  • 25000+ ¥0.0845
合计:¥441.00
标准包装数量:5000

SMAJ18A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SMAJ18A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 描述: 该SMA封装单向TVS瞬态抑制二极管适用于18V电压系统,提供强大正向过压保护。具备高达13.7A的峰值脉冲电流处理能力,在电路遇到瞬态高压时能快速响应并精确钳位,有效抵御雷击、浪涌等冲击,确保电子设备在恶劣条件下稳定、安全运行。
    描述: 该SMA封装单向TVS瞬态抑制二极管适用于18V电压系统,提供强大正向过压保护。具备高达13.7A的峰值脉冲电流处理能力,在电路遇到瞬态高压时能快速响应并精确钳位,有效抵御雷击、浪涌等冲击,确保电子设备在恶劣条件下稳定、安全运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.0898
  • 15000+ ¥0.0883
  • 25000+ ¥0.086
合计:¥449.00
标准包装数量:5000

SMAJ33A TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SMAJ33A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 描述: 本款SMA封装的单向TVS瞬态抑制二极管专为33V额定反向工作电压下的电路保护设计,具备出色的瞬态过压防护能力。其峰值脉冲电流IPP高达7.5A,在电路遭受异常过压冲击时能迅速响应并高效钳位电压,防止损坏敏感电子元件,确保系统在高压瞬变环境下稳定运行,是电源线、信号线抗浪涌的理想选择。
    描述: 本款SMA封装的单向TVS瞬态抑制二极管专为33V额定反向工作电压下的电路保护设计,具备出色的瞬态过压防护能力。其峰值脉冲电流IPP高达7.5A,在电路遭受异常过压冲击时能迅速响应并高效钳位电压,防止损坏敏感电子元件,确保系统在高压瞬变环境下稳定运行,是电源线、信号线抗浪涌的理想选择。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.0904
  • 15000+ ¥0.0889
  • 25000+ ¥0.0866
合计:¥452.00
标准包装数量:5000

SMAJ22CA TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SMAJ22CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 描述: 这款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为22V系统设计,实现卓越双向过电压保护。器件拥有11.3A峰值脉冲电流承受能力,在正负瞬态电压冲击下能迅速响应并精确箝位电压,有效防御雷击、静电放电和电源突变引起的浪涌,确保电子设备在面临高压波动时仍能保持稳定运行状态。
    描述: 这款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为22V系统设计,实现卓越双向过电压保护。器件拥有11.3A峰值脉冲电流承受能力,在正负瞬态电压冲击下能迅速响应并精确箝位电压,有效防御雷击、静电放电和电源突变引起的浪涌,确保电子设备在面临高压波动时仍能保持稳定运行状态。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.0838
  • 15000+ ¥0.0824
  • 25000+ ¥0.0803
合计:¥419.00
标准包装数量:5000

SM15 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: SM15
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,设有两个通道。工作电压15V,可承受10A电流。结电容典型值为60pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提高设备可靠性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,设有两个通道。工作电压15V,可承受10A电流。结电容典型值为60pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提高设备可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.096
  • 9000+ ¥0.0944
  • 9000+ ¥0.0944
合计:¥288.00
标准包装数量:3000
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