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HSG3D15B36MA TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HSG3D15B36MA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款双向静电和浪涌保护器适用于单通道应用,工作电压为36V,最大电流承载能力为4.5A。其结电容为0.8pF,确保了信号的完整性。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、电源线路等敏感电路的过压防护。
    这款双向静电和浪涌保护器适用于单通道应用,工作电压为36V,最大电流承载能力为4.5A。其结电容为0.8pF,确保了信号的完整性。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、电源线路等敏感电路的过压防护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1505
  • 9000+ ¥0.148
  • 15000+ ¥0.1442
合计:¥451.50
标准包装数量:3000

HSDD32C18L01-AT TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HSDD32C18L01-AT
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,仅有一个通道。工作电压18V,可承受9A电流。结电容典型值为30pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,仅有一个通道。工作电压18V,可承受9A电流。结电容典型值为30pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1596
  • 9000+ ¥0.1569
  • 15000+ ¥0.153
合计:¥478.80
标准包装数量:3000

HESDM3033N2T5G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESDM3033N2T5G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款双向静电和浪涌保护器适用于单通道应用,工作电压为3.3V,最大电流承载能力为9A。其结电容为15pF,确保了良好的信号完整性。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、电源线路等敏感电路的过压防护。
    这款双向静电和浪涌保护器适用于单通道应用,工作电压为3.3V,最大电流承载能力为9A。其结电容为15pF,确保了良好的信号完整性。该保护器能够有效抵御电压突变和静电放电带来的损害,适用于通信端口、电源线路等敏感电路的过压防护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10000+ ¥0.1544
  • 30000+ ¥0.1519
  • 50000+ ¥0.148
合计:¥1,544.00
标准包装数量:10000

HAZ4012-01L TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HAZ4012-01L
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,单通道。工作电压12V,可承受9.6A电流。结电容典型值为55pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,单通道。工作电压12V,可承受9.6A电流。结电容典型值为55pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1512
  • 9000+ ¥0.1487
  • 15000+ ¥0.1449
合计:¥453.60
标准包装数量:3000

ESD11LL5.0C TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: ESD11LL5.0C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-0603-2L
  • 描述: 描述: 这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为单通道设计,具有5V高耐压VRWM特性,能有效防止过电压冲击。器件提供瞬态峰值电流IPP高达4A,并配备超低结电容CJ仅为0.35pF,确保在实现卓越ESD防护性能的同时保持高速信号传输的绝佳完整性,是针对现代高性能接口的理想防静电解决方案。
    描述: 这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为单通道设计,具有5V高耐压VRWM特性,能有效防止过电压冲击。器件提供瞬态峰值电流IPP高达4A,并配备超低结电容CJ仅为0.35pF,确保在实现卓越ESD防护性能的同时保持高速信号传输的绝佳完整性,是针对现代高性能接口的理想防静电解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:15000
  • 增   量:15000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 15000+ ¥0.108
  • 45000+ ¥0.1062
  • 75000+ ¥0.1035
合计:¥1,620.00
标准包装数量:15000

LESD5D5.0CT1G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: LESD5D5.0CT1G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-523
  • 描述: 描述: 此款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统提供卓越保护,具备单通道设计,能高效抑制双向瞬态ESD冲击。器件具有9A峰值脉冲电流IPP能力,并将结电容控制在低至15pF,确保在高速数据传输中维持信号完整性。是高集成度电子设备的理想选择,为I/O接口提供出色的抗静电干扰性能。
    描述: 此款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统提供卓越保护,具备单通道设计,能高效抑制双向瞬态ESD冲击。器件具有9A峰值脉冲电流IPP能力,并将结电容控制在低至15pF,确保在高速数据传输中维持信号完整性。是高集成度电子设备的理想选择,为I/O接口提供出色的抗静电干扰性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0413
  • 9000+ ¥0.0406
  • 15000+ ¥0.0396
合计:¥123.90
标准包装数量:3000

ESD5L5.0C TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: ESD5L5.0C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-523
  • 描述: 描述: 这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供单通道保护。具备3A峰值脉冲电流IPP能力,有效对抗双向瞬态ESD事件。其结电容低至0.6pF,特别适用于高速数据传输接口,实现卓越信号完整性的同时,提供了高级别的静电放电防护性能。
    描述: 这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供单通道保护。具备3A峰值脉冲电流IPP能力,有效对抗双向瞬态ESD事件。其结电容低至0.6pF,特别适用于高速数据传输接口,实现卓越信号完整性的同时,提供了高级别的静电放电防护性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0631
  • 9000+ ¥0.0621
  • 15000+ ¥0.0605
合计:¥189.30
标准包装数量:3000

ESD0524P TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: ESD0524P
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-2510-10L
  • 描述: 描述: 这款DFN2510-10L封装的单向ESD静电防护二极管,采用4通道设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,能有效防止过电压损害。器件每通道可承受瞬态峰值电流IPP达4A,并拥有超低结电容CJ仅为0.3pF,确保在提供强大ESD保护的同时保持高速信号传输的绝佳完整性,尤其适用于多通道高速接口的防静电解决方案。
    描述: 这款DFN2510-10L封装的单向ESD静电防护二极管,采用4通道设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,能有效防止过电压损害。器件每通道可承受瞬态峰值电流IPP达4A,并拥有超低结电容CJ仅为0.3pF,确保在提供强大ESD保护的同时保持高速信号传输的绝佳完整性,尤其适用于多通道高速接口的防静电解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1104
  • 9000+ ¥0.1086
  • 15000+ ¥0.1058
合计:¥331.20
标准包装数量:3000

ESD8LM5.0C TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: ESD8LM5.0C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN-1006-2L
  • 描述: 描述: 该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统设计,提供单通道高效保护。拥有2.5A峰值脉冲电流IPP能力,能有效抑制双向瞬态ESD事件,确保电路不受损坏。超低结电容仅为2.5pF,尤其适合高速数据接口应用,兼具出色的信号完整性与卓越的静电防护性能。
    描述: 该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统设计,提供单通道高效保护。拥有2.5A峰值脉冲电流IPP能力,能有效抑制双向瞬态ESD事件,确保电路不受损坏。超低结电容仅为2.5pF,尤其适合高速数据接口应用,兼具出色的信号完整性与卓越的静电防护性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10000+ ¥0.06
  • 30000+ ¥0.059
  • 50000+ ¥0.0575
合计:¥600.00
标准包装数量:10000

LESD3Z5.0CMT1G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: LESD3Z5.0CMT1G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-323
  • 描述: 描述: 此款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供高效防护。具备1通道设计,峰值脉冲电流IPP高达11A,能在极端条件下有效抑制双向瞬态ESD冲击。其低至20pF的结电容确保了在高速数据线路上实现优秀的信号完整性,是现代高集成度和抗静电要求严苛电子设备的理想之选。
    描述: 此款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供高效防护。具备1通道设计,峰值脉冲电流IPP高达11A,能在极端条件下有效抑制双向瞬态ESD冲击。其低至20pF的结电容确保了在高速数据线路上实现优秀的信号完整性,是现代高集成度和抗静电要求严苛电子设备的理想之选。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0524
  • 9000+ ¥0.0516
  • 15000+ ¥0.0503
合计:¥157.20
标准包装数量:3000

HESD5431N TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESD5431N
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单个通道设计。工作电压3.3V,可承受7A电流。结电容典型值为10pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单个通道设计。工作电压3.3V,可承受7A电流。结电容典型值为10pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10000+ ¥0.0503
  • 30000+ ¥0.0494
  • 50000+ ¥0.0482
合计:¥503.00
标准包装数量:10000

HESD5481MUT5G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESD5481MUT5G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,拥有一个通道。工作电压5V,可承受9A电流。结电容典型值为15pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,拥有一个通道。工作电压5V,可承受9A电流。结电容典型值为15pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:15000
  • 增   量:15000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 15000+ ¥0.0742
  • 45000+ ¥0.0729
  • 75000+ ¥0.0711
合计:¥1,113.00
标准包装数量:15000

HESD7951ST5G TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HESD7951ST5G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,仅有一个通道。工作电压5V,可承受3A电流。结电容典型值为0.8pF,对电路干扰较小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,仅有一个通道。工作电压5V,可承受3A电流。结电容典型值为0.8pF,对电路干扰较小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:8000
  • 增   量:8000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 8000+ ¥0.0726
  • 24000+ ¥0.0714
  • 40000+ ¥0.0696
合计:¥580.80
标准包装数量:8000

HPESD24VS1UB TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HPESD24VS1UB
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器具备8A的电流处理能力,在24V电压下工作。其45pF的典型结电容支持高效的信号传输,适用于单通道应用且为单向导通设计。该元件适用于需防护瞬态电压及静电放电的场合,例如电子设备的数据线接口保护或通信端口的安全防护,能够有效避免内部电路受到损害。
    这款静电和浪涌保护器具备8A的电流处理能力,在24V电压下工作。其45pF的典型结电容支持高效的信号传输,适用于单通道应用且为单向导通设计。该元件适用于需防护瞬态电压及静电放电的场合,例如电子设备的数据线接口保护或通信端口的安全防护,能够有效避免内部电路受到损害。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0695
  • 9000+ ¥0.0683
  • 15000+ ¥0.0666
合计:¥208.50
标准包装数量:3000

HGSOT05C TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HGSOT05C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压5V,可承受17A电流。结电容典型值为180pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提高设备可靠性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压5V,可承受17A电流。结电容典型值为180pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提高设备可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.081
  • 9000+ ¥0.0797
  • 15000+ ¥0.0776
合计:¥243.00
标准包装数量:3000

HPESD5V0S1BA,115 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HPESD5V0S1BA,115
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,有一个通道。工作电压5V,可承受25A电流。结电容典型值为35pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性和可靠性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,有一个通道。工作电压5V,可承受25A电流。结电容典型值为35pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性和可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0798
  • 9000+ ¥0.0785
  • 15000+ ¥0.0765
合计:¥239.40
标准包装数量:3000

HCESDBLC5V0D5 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HCESDBLC5V0D5
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压5V,可承受8A电流。结电容典型值为10pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压5V,可承受8A电流。结电容典型值为10pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0692
  • 9000+ ¥0.0681
  • 15000+ ¥0.0664
合计:¥207.60
标准包装数量:3000

HPESDNC2FD5VBH TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HPESDNC2FD5VBH
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,通道数为1。工作电压为5V,可承受20A电流。结电容典型值为40pF。适用于多种电子产品,能双向防护静电和浪涌的冲击,保障设备稳定运行,提高设备的可靠性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,通道数为1。工作电压为5V,可承受20A电流。结电容典型值为40pF。适用于多种电子产品,能双向防护静电和浪涌的冲击,保障设备稳定运行,提高设备的可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10000+ ¥0.0758
  • 30000+ ¥0.0746
  • 50000+ ¥0.0727
合计:¥758.00
标准包装数量:10000

HPESD5V0L1BA,115 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HPESD5V0L1BA,115
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,拥有一个通道。工作电压5V,可承受17A电流。结电容典型值为90pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备的安全性和可靠性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,拥有一个通道。工作电压5V,可承受17A电流。结电容典型值为90pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备的安全性和可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0812
  • 9000+ ¥0.0799
  • 15000+ ¥0.0779
合计:¥243.60
标准包装数量:3000

HSET23A15L02 TVS二极管/ESD抑制器

  • 型号: HSET23A15L02
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压15V,可承受10A电流。结电容典型值为60pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,拥有两个通道。工作电压15V,可承受10A电流。结电容典型值为60pF。适用于多种电子产品,能有效防止静电和浪涌对设备的损害,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.132
  • 9000+ ¥0.1298
  • 9000+ ¥0.1298
合计:¥396.00
标准包装数量:3000
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