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NUP4201MR6T1G 未分类

  • 型号: NUP4201MR6T1G
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.2225
  • 300+ ¥0.2011
  • 500+ ¥0.1976
  • 57000+ ¥0.1869
合计:¥22.25
标准包装数量:3000

SR05 未分类

  • 型号: SR05
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1813
  • 300+ ¥0.1639
  • 500+ ¥0.161
  • 69000+ ¥0.1523
合计:¥18.13
标准包装数量:3000

SI2309DS-T1-GE3 未分类

  • 型号: SI2309DS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:60V 电流:2A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
    P沟道 耐压:60V 电流:2A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.25
  • 150+ ¥0.226
  • 250+ ¥0.222
  • 51000+ ¥0.21
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SM24C 未分类

  • 型号: SM24C
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.25
  • 150+ ¥0.226
  • 250+ ¥0.222
  • 51000+ ¥0.21
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

CESD5V0J4 未分类

  • 型号: CESD5V0J4
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1625
  • 300+ ¥0.1469
  • 500+ ¥0.1443
  • 78000+ ¥0.1365
合计:¥16.25
标准包装数量:3000

SI2309DS-T1-E3 未分类

  • 型号: SI2309DS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:60V 电流:2A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
    P沟道 耐压:60V 电流:2A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.25
  • 150+ ¥0.226
  • 250+ ¥0.222
  • 51000+ ¥0.21
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

ME20N03 未分类

  • 型号: ME20N03
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 17mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 17mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.3125
  • 120+ ¥0.2825
  • 200+ ¥0.2775
  • 40000+ ¥0.2625
合计:¥12.50
标准包装数量:2500

USBLC6-2SC6Y 未分类

  • 型号: USBLC6-2SC6Y
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: ESD/TVS 静电防护二极管 极性:单向 两路保护 带VCC保护 反向关断电压(典型值):5V(Max) 击穿电压(最小值):6V 箝位电压:8.5V 峰值脉冲电流:4A (8/20us) 极性:Unidirectional
    ESD/TVS 静电防护二极管 极性:单向 两路保护 带VCC保护 反向关断电压(典型值):5V(Max) 击穿电压(最小值):6V 箝位电压:8.5V 峰值脉冲电流:4A (8/20us) 极性:Unidirectional
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1663
  • 300+ ¥0.1503
  • 500+ ¥0.1476
  • 78000+ ¥0.1397
合计:¥16.63
标准包装数量:3000

BYD90N02 未分类

  • 型号: BYD90N02
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):90A
    N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):90A
  • 库   存:250000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.525
  • 90+ ¥0.4746
  • 150+ ¥0.4662
  • 25000+ ¥0.441
合计:¥15.75
标准包装数量:2500

SI2365 未分类

  • 型号: SI2365
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.25W;2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,4.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA P沟道,-20V,-6A,30mΩ@-4.5V
    P沟道 耐压:20V 电流:6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.25W;2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,4.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA P沟道,-20V,-6A,30mΩ@-4.5V
  • 库   存:300000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

BY4812 未分类

  • 型号: BY4812
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 8 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,8A
    2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 8 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,8A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

SSM9435GM 未分类

  • 型号: SSM9435GM
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
    类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.325
  • 120+ ¥0.2938
  • 200+ ¥0.2886
  • 39000+ ¥0.273
合计:¥13.00
标准包装数量:3000

SPP9435AS8RG 未分类

  • 型号: SPP9435AS8RG
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
    类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.325
  • 120+ ¥0.2938
  • 200+ ¥0.2886
  • 39000+ ¥0.273
合计:¥13.00
标准包装数量:3000

BY4485 未分类

  • 型号: BY4485
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,11A P沟道,-40V,-11A,16mΩ@-10V
    P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,11A P沟道,-40V,-11A,16mΩ@-10V
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.6
  • 90+ ¥0.5424
  • 150+ ¥0.5328
  • 21000+ ¥0.504
合计:¥18.00
标准包装数量:3000

MT4606ACTR 未分类

  • 型号: MT4606ACTR
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:7.2A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6A;18mΩ@10V,7.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA
    1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:7.2A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6A;18mΩ@10V,7.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.4375
  • 90+ ¥0.3955
  • 150+ ¥0.3885
  • 30000+ ¥0.3675
合计:¥13.13
标准包装数量:3000

NTD60N02RG 未分类

  • 型号: NTD60N02RG
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: *通孔安装 Single N-沟道 IPAK 60A 6.73mm*2.38mm*6.35mm 20V 4.5 V 5mΩ
    *通孔安装 Single N-沟道 IPAK 60A 6.73mm*2.38mm*6.35mm 20V 4.5 V 5mΩ
  • 库   存:250000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.5625
  • 90+ ¥0.5085
  • 150+ ¥0.4995
  • 22500+ ¥0.4725
合计:¥16.88
标准包装数量:2500

60N02 未分类

  • 型号: 60N02
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):60A
    N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):60A
  • 库   存:250000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.375
  • 120+ ¥0.339
  • 200+ ¥0.333
  • 35000+ ¥0.315
合计:¥15.00
标准包装数量:2500

AO4822A 未分类

  • 型号: AO4822A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,8A
    2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,8A
  • 库   存:300000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.375
  • 120+ ¥0.339
  • 200+ ¥0.333
  • 36000+ ¥0.315
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

AP4409AGEM 未分类

  • 型号: AP4409AGEM
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,15A
    P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,15A
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.475
  • 90+ ¥0.4294
  • 150+ ¥0.4218
  • 27000+ ¥0.399
合计:¥14.25
标准包装数量:3000

ME50N06A 未分类

  • 型号: ME50N06A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 耐压:60V 电流:50A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):136W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
    N沟道 耐压:60V 电流:50A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):136W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.75
  • 60+ ¥0.678
  • 100+ ¥0.666
  • 100+ ¥0.666
合计:¥15.00
标准包装数量:2500
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