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ESD5344D 未分类

  • 型号: ESD5344D
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1413
  • 300+ ¥0.1277
  • 500+ ¥0.1254
  • 90000+ ¥0.1187
合计:¥14.13
标准包装数量:3000

CDSOD323-T05C 未分类

  • 型号: CDSOD323-T05C
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1525
  • 300+ ¥0.1379
  • 500+ ¥0.1354
  • 84000+ ¥0.1281
合计:¥15.25
标准包装数量:3000

UDD32C24L01 未分类

  • 型号: UDD32C24L01
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1563
  • 300+ ¥0.1413
  • 500+ ¥0.1388
  • 81000+ ¥0.1313
合计:¥15.63
标准包装数量:3000

SI2305BDS-T1-GE3 未分类

  • 型号: SI2305BDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
    P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

PESD24VS2UT 未分类

  • 型号: PESD24VS2UT
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1563
  • 300+ ¥0.1413
  • 500+ ¥0.1388
  • 81000+ ¥0.1313
合计:¥15.63
标准包装数量:3000

SI2300BDS-T1-GE3 未分类

  • 型号: SI2300BDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 耐压:20V 电流:6A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
    N沟道 耐压:20V 电流:6A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2304ADS-T1-E3 未分类

  • 型号: SI2304ADS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
    N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

ESD05V32D-LC 未分类

  • 型号: ESD05V32D-LC
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.16
  • 300+ ¥0.1446
  • 500+ ¥0.1421
  • 81000+ ¥0.1344
合计:¥16.00
标准包装数量:3000

SI2314DS-T1-GE3 未分类

  • 型号: SI2314DS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 耐压:20V 电流:6A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
    N沟道 耐压:20V 电流:6A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SMBJ30A 未分类

  • 型号: SMBJ30A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 最大耗散功率(W) 600 最大抵消电压(V) 30 最大反向电流(uA) 1 崩溃电压Min(V) 33.3 崩溃电压Max(V) 36.8 测试电流(mA) 1 最大脉冲电流(A) 12.4 最大嵌位电压(V) 48.4
    最大耗散功率(W) 600 最大抵消电压(V) 30 最大反向电流(uA) 1 崩溃电压Min(V) 33.3 崩溃电压Max(V) 36.8 测试电流(mA) 1 最大脉冲电流(A) 12.4 最大嵌位电压(V) 48.4
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.145
  • 300+ ¥0.1311
  • 500+ ¥0.1288
  • 87000+ ¥0.1218
合计:¥14.50
标准包装数量:3000

SI2303ADS-T1-E3 未分类

  • 型号: SI2303ADS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:3.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.1A
    P沟道 耐压:30V 电流:3.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.1A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

PSOT24C 未分类

  • 型号: PSOT24C
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 反向关断电压(典型值):24V(Max) 击穿电压(最小值):26.5V 箝位电压:33V 峰值脉冲电流:6A (8/20us) 极性:Unidirectional
    反向关断电压(典型值):24V(Max) 击穿电压(最小值):26.5V 箝位电压:33V 峰值脉冲电流:6A (8/20us) 极性:Unidirectional
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.16
  • 300+ ¥0.1446
  • 500+ ¥0.1421
  • 81000+ ¥0.1344
合计:¥16.00
标准包装数量:3000

RCLAMP0502BATCT 未分类

  • 型号: RCLAMP0502BATCT
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2303A 未分类

  • 型号: SI2303A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:3.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.1A
    P沟道 耐压:30V 电流:3.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.1A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2307DS-T1-GE3 未分类

  • 型号: SI2307DS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:4.3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A
    P沟道 耐压:30V 电流:4.3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

PESD03V32D-LC 未分类

  • 型号: PESD03V32D-LC
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

PESD2CANFD24LU-Q 未分类

  • 型号: PESD2CANFD24LU-Q
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1375
  • 300+ ¥0.1243
  • 500+ ¥0.1221
  • 93000+ ¥0.1155
合计:¥13.75
标准包装数量:3000

CEM9926 未分类

  • 型号: CEM9926
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,6A
    2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,6A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.3125
  • 120+ ¥0.2825
  • 200+ ¥0.2775
  • 42000+ ¥0.2625
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

MMBZ27VALT1G 未分类

  • 型号: MMBZ27VALT1G
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: ESD/TVS 静电防护二极管 极性:单向 双路保护 反向关断电压(典型值):24V(Max) 击穿电压(最小值):26.5V 箝位电压:33V 峰值脉冲电流:6A (8/20us)
    ESD/TVS 静电防护二极管 极性:单向 双路保护 反向关断电压(典型值):24V(Max) 击穿电压(最小值):26.5V 箝位电压:33V 峰值脉冲电流:6A (8/20us)
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1663
  • 300+ ¥0.1503
  • 500+ ¥0.1476
  • 78000+ ¥0.1397
合计:¥16.63
标准包装数量:3000

ESDCAN24-2BLY 未分类

  • 型号: ESDCAN24-2BLY
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.225
  • 300+ ¥0.2034
  • 500+ ¥0.1998
  • 500+ ¥0.1998
合计:¥22.50
标准包装数量:3000
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