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SMBJ16CA 未分类

  • 型号: SMBJ16CA
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 最大耗散功率(W) 600 最大抵消电压(V) 16 最大反向电流(uA) 1 崩溃电压Min(V) 17.8 崩溃电压Max(V) 19.7 测试电流(mA) 1 最大脉冲电流(A) 23.1 最大嵌位电压(V) 26
    最大耗散功率(W) 600 最大抵消电压(V) 16 最大反向电流(uA) 1 崩溃电压Min(V) 17.8 崩溃电压Max(V) 19.7 测试电流(mA) 1 最大脉冲电流(A) 23.1 最大嵌位电压(V) 26
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.145
  • 300+ ¥0.1311
  • 500+ ¥0.1288
  • 87000+ ¥0.1218
合计:¥14.50
标准包装数量:3000

GBLC15C 未分类

  • 型号: GBLC15C
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 反向关断电压(典型值):15V(Max) 击穿电压(最小值):16.5V 箝位电压:24V 峰值脉冲电流:6A (8/20us) 极性:Bidirectional
    反向关断电压(典型值):15V(Max) 击穿电压(最小值):16.5V 箝位电压:24V 峰值脉冲电流:6A (8/20us) 极性:Bidirectional
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.16
  • 300+ ¥0.1446
  • 500+ ¥0.1421
  • 81000+ ¥0.1344
合计:¥16.00
标准包装数量:3000

UDD32C12L01 未分类

  • 型号: UDD32C12L01
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1513
  • 300+ ¥0.1367
  • 500+ ¥0.1343
  • 84000+ ¥0.1271
合计:¥15.13
标准包装数量:3000

PSOT15C 未分类

  • 型号: PSOT15C
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 反向关断电压(典型值):15V(Max) 击穿电压(最小值):16.5V 箝位电压:22V 峰值脉冲电流:11A (8/20us) 极性:Unidirectional
    反向关断电压(典型值):15V(Max) 击穿电压(最小值):16.5V 箝位电压:22V 峰值脉冲电流:11A (8/20us) 极性:Unidirectional
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1363
  • 300+ ¥0.1232
  • 500+ ¥0.121
  • 93000+ ¥0.1145
合计:¥13.63
标准包装数量:3000

PSD24C 未分类

  • 型号: PSD24C
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 反向关断电压(典型值):24V(Max) 击穿电压(最小值):26.0V 箝位电压:63V 峰值脉冲电流:6A (8/20us) 极性:Bidirectional
    反向关断电压(典型值):24V(Max) 击穿电压(最小值):26.0V 箝位电压:63V 峰值脉冲电流:6A (8/20us) 极性:Bidirectional
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1363
  • 300+ ¥0.1232
  • 500+ ¥0.121
  • 93000+ ¥0.1145
合计:¥13.63
标准包装数量:3000

SI2305BDS-T1-E3 未分类

  • 型号: SI2305BDS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
    P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2304DDS-T1-E3 未分类

  • 型号: SI2304DDS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
    N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2303DS-T1-E3 未分类

  • 型号: SI2303DS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:3.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.1A
    P沟道 耐压:30V 电流:3.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.1A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2305DDS-T1-GE3 未分类

  • 型号: SI2305DDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
    P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2304CDS-T1-E3 未分类

  • 型号: SI2304CDS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
    N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

ESDLC3V3D3B 未分类

  • 型号: ESDLC3V3D3B
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: ESD/TVS 静电防护二极管 极性:单向 双路保护 反向关断电压(典型值):3.3V(Max) 击穿电压(最小值):4.5V 箝位电压:8.5V 峰值脉冲电流:8A (8/20us) ,电容Cj:0.8pF
    ESD/TVS 静电防护二极管 极性:单向 双路保护 反向关断电压(典型值):3.3V(Max) 击穿电压(最小值):4.5V 箝位电压:8.5V 峰值脉冲电流:8A (8/20us) ,电容Cj:0.8pF
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1513
  • 300+ ¥0.1367
  • 500+ ¥0.1343
  • 84000+ ¥0.1271
合计:¥15.13
标准包装数量:3000

AMS1117-1.2 未分类

  • 型号: AMS1117-1.2
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 最大输入电压:30V 输出电流:1A 输出电压(最小值/固定值):1.2V
    最大输入电压:30V 输出电流:1A 输出电压(最小值/固定值):1.2V
  • 库   存:250000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1625
  • 300+ ¥0.1469
  • 500+ ¥0.1443
  • 77500+ ¥0.1365
合计:¥16.25
标准包装数量:2500

SI2304A 未分类

  • 型号: SI2304A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
    N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2303ADS-T1-GE3 未分类

  • 型号: SI2303ADS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:3.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.1A
    P沟道 耐压:30V 电流:3.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.1A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

AO4842 未分类

  • 型号: AO4842
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道 耐压:30V 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@7.5A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V@250uA
    2个N沟道 耐压:30V 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@7.5A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.375
  • 120+ ¥0.339
  • 200+ ¥0.333
  • 36000+ ¥0.315
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

BY4409 未分类

  • 型号: BY4409
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,15A
    P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,15A
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.475
  • 90+ ¥0.4294
  • 150+ ¥0.4218
  • 27000+ ¥0.399
合计:¥14.25
标准包装数量:3000

AOD403 未分类

  • 型号: AOD403
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:80A 8 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):2.5W;90W 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA P沟道,-30V,-80A,5.8mΩ@-10V
    P沟道 耐压:30V 电流:80A 8 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):2.5W;90W 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA P沟道,-30V,-80A,5.8mΩ@-10V
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.875
  • 60+ ¥0.791
  • 100+ ¥0.777
  • 15000+ ¥0.735
合计:¥17.50
标准包装数量:2500

45P06 未分类

  • 型号: 45P06
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道,-60V,-45A,28mΩ@-10V
    P沟道,-60V,-45A,28mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.85
  • 60+ ¥0.7684
  • 100+ ¥0.7548
  • 15000+ ¥0.714
合计:¥17.00
标准包装数量:2500

IRFR9024NTRPBF 未分类

  • 型号: IRFR9024NTRPBF
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道,-60V,-15A,90mΩ@-10V
    P沟道,-60V,-15A,90mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.75
  • 60+ ¥0.678
  • 100+ ¥0.666
  • 17500+ ¥0.63
合计:¥15.00
标准包装数量:2500

60N03 未分类

  • 型号: 60N03
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 6.5mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 6.5mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.625
  • 60+ ¥0.565
  • 100+ ¥0.555
  • 100+ ¥0.555
合计:¥12.50
标准包装数量:2500
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