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AOD4185 未分类

  • 型号: AOD4185
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道,-40V,-60A,18mΩ@-4.5V
    P沟道,-40V,-60A,18mΩ@-4.5V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.875
  • 60+ ¥0.791
  • 100+ ¥0.777
  • 15000+ ¥0.735
合计:¥17.50
标准包装数量:2500

100N04 未分类

  • 型号: 100N04
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):100A 3.5mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):100A 3.5mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 10+ ¥1.5
  • 30+ ¥1.356
  • 50+ ¥1.332
  • 10000+ ¥1.26
合计:¥15.00
标准包装数量:2500

AOD609 未分类

  • 型号: AOD609
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):12A 25mΩ@-10V
    1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):12A 25mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥1
  • 60+ ¥0.904
  • 100+ ¥0.888
  • 12500+ ¥0.84
合计:¥20.00
标准包装数量:2500

AO4616 未分类

  • 型号: AO4616
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:7.2A 电流:9.5A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7.2A;9.5A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@7.2A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA
    1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:7.2A 电流:9.5A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7.2A;9.5A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@7.2A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.625
  • 60+ ¥0.565
  • 100+ ¥0.555
  • 21000+ ¥0.525
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

AO4838 未分类

  • 型号: AO4838
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道 耐压:30V 电流:10A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.6mΩ@11A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V@250uA
    2个N沟道 耐压:30V 电流:10A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.6mΩ@11A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.75
  • 60+ ¥0.678
  • 100+ ¥0.666
  • 18000+ ¥0.63
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

IPD80N04S3-06 未分类

  • 型号: IPD80N04S3-06
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 4.5mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 4.5mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥1.0625
  • 60+ ¥0.9605
  • 100+ ¥0.9435
  • 12500+ ¥0.8925
合计:¥21.25
标准包装数量:2500

AO4612 未分类

  • 型号: AO4612
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:60V 电流:6A 电流:4A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):6A;4A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@6A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
    1个N沟道和1个P沟道 耐压:60V 电流:6A 电流:4A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):6A;4A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@6A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.875
  • 60+ ¥0.791
  • 100+ ¥0.777
  • 15000+ ¥0.735
合计:¥17.50
标准包装数量:3000

IPD100N04S4-02 未分类

  • 型号: IPD100N04S4-02
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):100A 3.5mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):100A 3.5mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 10+ ¥2.25
  • 30+ ¥2.034
  • 50+ ¥1.998
  • 7500+ ¥1.89
合计:¥22.50
标准包装数量:2500

IPD50P03P4L-11 未分类

  • 型号: IPD50P03P4L-11
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:50A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,50A
    P沟道 耐压:30V 电流:50A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,50A
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥1
  • 60+ ¥0.904
  • 100+ ¥0.888
  • 12500+ ¥0.84
合计:¥20.00
标准包装数量:2500

BYD30P04 未分类

  • 型号: BYD30P04
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道,-40V,-30A,25mΩ@-10V
    P沟道,-40V,-30A,25mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.75
  • 60+ ¥0.678
  • 100+ ¥0.666
  • 17500+ ¥0.63
合计:¥15.00
标准包装数量:2500

BYD50P03 未分类

  • 型号: BYD50P03
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:50A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,50A
    P沟道 耐压:30V 电流:50A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,50A
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.75
  • 60+ ¥0.678
  • 100+ ¥0.666
  • 17500+ ¥0.63
合计:¥15.00
标准包装数量:2500

SQD50N06-09L-GE3 未分类

  • 型号: SQD50N06-09L-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 耐压:60V 电流:50A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):136W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
    N沟道 耐压:60V 电流:50A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):136W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥1
  • 60+ ¥0.904
  • 100+ ¥0.888
  • 12500+ ¥0.84
合计:¥20.00
标准包装数量:2500

MTD20N06HDLT4G 未分类

  • 型号: MTD20N06HDLT4G
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):25A 24mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):25A 24mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.625
  • 60+ ¥0.565
  • 100+ ¥0.555
  • 20000+ ¥0.525
合计:¥12.50
标准包装数量:2500

80P03 未分类

  • 型号: 80P03
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:80A 8 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):2.5W;90W 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA P沟道,-30V,-80A,5.8mΩ@-10V
    P沟道 耐压:30V 电流:80A 8 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):2.5W;90W 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA P沟道,-30V,-80A,5.8mΩ@-10V
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.875
  • 60+ ¥0.791
  • 100+ ¥0.777
  • 15000+ ¥0.735
合计:¥17.50
标准包装数量:2500

SDT23C712L02 未分类

  • 型号: SDT23C712L02
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 反向关断电压(典型值):7/12V(Max) 击穿电压(最小值):7.5/13.3V 箝位电压:19/26V 峰值脉冲电流:17A (8/20us) 极性:Bidirectional
    反向关断电压(典型值):7/12V(Max) 击穿电压(最小值):7.5/13.3V 箝位电压:19/26V 峰值脉冲电流:17A (8/20us) 极性:Bidirectional
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

LR2105LT1G 未分类

  • 型号: LR2105LT1G
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2305DDS-T1-E3 未分类

  • 型号: SI2305DDS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
    P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

PESDALC10N5VU 未分类

  • 型号: PESDALC10N5VU
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1413
  • 300+ ¥0.1277
  • 500+ ¥0.1254
  • 90000+ ¥0.1187
合计:¥14.13
标准包装数量:3000

SMBJ16CA 未分类

  • 型号: SMBJ16CA
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 最大耗散功率(W) 600 最大抵消电压(V) 16 最大反向电流(uA) 1 崩溃电压Min(V) 17.8 崩溃电压Max(V) 19.7 测试电流(mA) 1 最大脉冲电流(A) 23.1 最大嵌位电压(V) 26
    最大耗散功率(W) 600 最大抵消电压(V) 16 最大反向电流(uA) 1 崩溃电压Min(V) 17.8 崩溃电压Max(V) 19.7 测试电流(mA) 1 最大脉冲电流(A) 23.1 最大嵌位电压(V) 26
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.145
  • 300+ ¥0.1311
  • 500+ ¥0.1288
  • 87000+ ¥0.1218
合计:¥14.50
标准包装数量:3000

GBLC15C 未分类

  • 型号: GBLC15C
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 反向关断电压(典型值):15V(Max) 击穿电压(最小值):16.5V 箝位电压:24V 峰值脉冲电流:6A (8/20us) 极性:Bidirectional
    反向关断电压(典型值):15V(Max) 击穿电压(最小值):16.5V 箝位电压:24V 峰值脉冲电流:6A (8/20us) 极性:Bidirectional
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.16
  • 300+ ¥0.1446
  • 500+ ¥0.1421
  • 500+ ¥0.1421
合计:¥16.00
标准包装数量:3000
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