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45P06 未分类

  • 型号: 45P06
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道,-60V,-45A,28mΩ@-10V
    P沟道,-60V,-45A,28mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.85
  • 60+ ¥0.7684
  • 100+ ¥0.7548
  • 15000+ ¥0.714
合计:¥17.00
标准包装数量:2500

BYD30P04 未分类

  • 型号: BYD30P04
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道,-40V,-30A,25mΩ@-10V
    P沟道,-40V,-30A,25mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.75
  • 60+ ¥0.678
  • 100+ ¥0.666
  • 17500+ ¥0.63
合计:¥15.00
标准包装数量:2500

100N04 未分类

  • 型号: 100N04
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):100A 3.5mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):100A 3.5mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 10+ ¥1.5
  • 30+ ¥1.356
  • 50+ ¥1.332
  • 10000+ ¥1.26
合计:¥15.00
标准包装数量:2500

BYN50N04M 未分类

  • 型号: BYN50N04M
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):50A 5mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):50A 5mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.9375
  • 60+ ¥0.8475
  • 100+ ¥0.8325
  • 15000+ ¥0.7875
合计:¥18.75
标准包装数量:5000

BY4946 未分类

  • 型号: BY4946
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道 耐压:60V 电流:6A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,6A
    2个N沟道 耐压:60V 电流:6A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.85
  • 60+ ¥0.7684
  • 100+ ¥0.7548
  • 15000+ ¥0.714
合计:¥17.00
标准包装数量:3000

SI2304CDS-T1-E3 未分类

  • 型号: SI2304CDS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
    N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2305DDS-T1-E3 未分类

  • 型号: SI2305DDS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
    P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2305DDS-T1-GE3 未分类

  • 型号: SI2305DDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
    P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2304DDS-T1-E3 未分类

  • 型号: SI2304DDS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
    N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

BYD20N03 未分类

  • 型号: BYD20N03
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 17mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 17mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.3125
  • 120+ ¥0.2825
  • 200+ ¥0.2775
  • 40000+ ¥0.2625
合计:¥12.50
标准包装数量:2500

BYD50N06 未分类

  • 型号: BYD50N06
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 耐压:60V 电流:50A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):136W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
    N沟道 耐压:60V 电流:50A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):136W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.75
  • 60+ ¥0.678
  • 100+ ¥0.666
  • 17500+ ¥0.63
合计:¥15.00
标准包装数量:2500

30P04 未分类

  • 型号: 30P04
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道,-40V,-30A,25mΩ@-10V
    P沟道,-40V,-30A,25mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.75
  • 60+ ¥0.678
  • 100+ ¥0.666
  • 17500+ ¥0.63
合计:¥15.00
标准包装数量:2500

80P03 未分类

  • 型号: 80P03
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:80A 8 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):2.5W;90W 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA P沟道,-30V,-80A,5.8mΩ@-10V
    P沟道 耐压:30V 电流:80A 8 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):2.5W;90W 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA P沟道,-30V,-80A,5.8mΩ@-10V
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.875
  • 60+ ¥0.791
  • 100+ ¥0.777
  • 15000+ ¥0.735
合计:¥17.50
标准包装数量:2500

BY8814 未分类

  • 型号: BY8814
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道(共漏) 耐压:20V 电流:6A 类型:2个N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA N沟道,20V,6A,20mΩ@4.5V
    2个N沟道(共漏) 耐压:20V 电流:6A 类型:2个N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA N沟道,20V,6A,20mΩ@4.5V
  • 库   存:300000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.5
  • 90+ ¥0.452
  • 150+ ¥0.444
  • 27000+ ¥0.42
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

BAV23LT1G 未分类

  • 型号: BAV23LT1G
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 贴片安装 SOT-23,丝印:L30
    贴片安装 SOT-23,丝印:L30
  • 库   存:180000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.0688
  • 600+ ¥0.0622
  • 1000+ ¥0.0611
  • 183000+ ¥0.0578
合计:¥13.76
标准包装数量:3000

BAS21CLT1G 未分类

  • 型号: BAS21CLT1G
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 贴片安装 SOT-23,丝印:JS3
    贴片安装 SOT-23,丝印:JS3
  • 库   存:180000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.0688
  • 600+ ¥0.0622
  • 1000+ ¥0.0611
  • 183000+ ¥0.0578
合计:¥13.76
标准包装数量:3000

BAV23ALT1G 未分类

  • 型号: BAV23ALT1G
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 贴片安装 SOT-23,丝印:KT7
    贴片安装 SOT-23,丝印:KT7
  • 库   存:180000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.0688
  • 600+ ¥0.0622
  • 1000+ ¥0.0611
  • 183000+ ¥0.0578
合计:¥13.76
标准包装数量:3000

AO3414S 未分类

  • 型号: AO3414S
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 耐压:20V 电流:3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A
    N沟道 耐压:20V 电流:3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.1
  • 600+ ¥0.0904
  • 1000+ ¥0.0888
  • 126000+ ¥0.084
合计:¥20.00
标准包装数量:3000

BY4805 未分类

  • 型号: BY4805
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个P沟道 耐压:30V 电流:12A 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA P沟道,-30V,-12A,11mΩ@-10V
    2个P沟道 耐压:30V 电流:12A 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA P沟道,-30V,-12A,11mΩ@-10V
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.8125
  • 60+ ¥0.7345
  • 100+ ¥0.7215
  • 18000+ ¥0.6825
合计:¥16.25
标准包装数量:3000

BY8822 未分类

  • 型号: BY8822
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道(共漏) 耐压:20V 电流:5A 类型:2个N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 双N沟 20V 5A
    2个N沟道(共漏) 耐压:20V 电流:5A 类型:2个N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 双N沟 20V 5A
  • 库   存:300000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.475
  • 90+ ¥0.4294
  • 150+ ¥0.4218
  • 150+ ¥0.4218
合计:¥14.25
标准包装数量:3000
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