处理中...

{{item.name}}

BYD80N04 未分类

  • 型号: BYD80N04
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 4.5mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 4.5mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥1.0625
  • 60+ ¥0.9605
  • 100+ ¥0.9435
  • 12500+ ¥0.8925
合计:¥21.25
标准包装数量:2500

BY4838 未分类

  • 型号: BY4838
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道 耐压:30V 电流:10A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.6mΩ@11A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V@250uA
    2个N沟道 耐压:30V 电流:10A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.6mΩ@11A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.75
  • 60+ ¥0.678
  • 100+ ¥0.666
  • 18000+ ¥0.63
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

FQD20N06LE 未分类

  • 型号: FQD20N06LE
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):25A 24mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):25A 24mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.625
  • 60+ ¥0.565
  • 100+ ¥0.555
  • 20000+ ¥0.525
合计:¥12.50
标准包装数量:2500

60P04 未分类

  • 型号: 60P04
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道,-40V,-60A,13mΩ@-10V
    P沟道,-40V,-60A,13mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.8125
  • 60+ ¥0.7345
  • 100+ ¥0.7215
  • 17500+ ¥0.6825
合计:¥16.25
标准包装数量:2500

SQ4946AEY-T1-GE3 未分类

  • 型号: SQ4946AEY-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道 耐压:60V 电流:6A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,6A
    2个N沟道 耐压:60V 电流:6A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.85
  • 60+ ¥0.7684
  • 100+ ¥0.7548
  • 15000+ ¥0.714
合计:¥17.00
标准包装数量:3000

AM60P04-10D 未分类

  • 型号: AM60P04-10D
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道,-40V,-60A,18mΩ@-4.5V
    P沟道,-40V,-60A,18mΩ@-4.5V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.875
  • 60+ ¥0.791
  • 100+ ¥0.777
  • 15000+ ¥0.735
合计:¥17.50
标准包装数量:2500

4614B 未分类

  • 型号: 4614B
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:40V 电流:5A 电流:6A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):6A;5A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@6A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
    1个N沟道和1个P沟道 耐压:40V 电流:5A 电流:6A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):6A;5A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@6A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.75
  • 60+ ¥0.678
  • 100+ ¥0.666
  • 18000+ ¥0.63
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

BYD15P06 未分类

  • 型号: BYD15P06
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道,-60V,-15A,90mΩ@-10V
    P沟道,-60V,-15A,90mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.75
  • 60+ ¥0.678
  • 100+ ¥0.666
  • 17500+ ¥0.63
合计:¥15.00
标准包装数量:2500

BYN50P04 未分类

  • 型号: BYN50P04
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P-Channel沟道 -40V -50A RDS(ON) 8mΩ@10V
    P-Channel沟道 -40V -50A RDS(ON) 8mΩ@10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 10+ ¥1.375
  • 30+ ¥1.243
  • 50+ ¥1.221
  • 10000+ ¥1.155
合计:¥13.75
标准包装数量:5000

NTD60N03T4 未分类

  • 型号: NTD60N03T4
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 6.5mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 6.5mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.75
  • 60+ ¥0.678
  • 100+ ¥0.666
  • 17500+ ¥0.63
合计:¥15.00
标准包装数量:2500

BYD60N04 未分类

  • 型号: BYD60N04
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):60A 6.5mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):60A 6.5mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.9375
  • 60+ ¥0.8475
  • 100+ ¥0.8325
  • 15000+ ¥0.7875
合计:¥18.75
标准包装数量:2500

BYD60N03 未分类

  • 型号: BYD60N03
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 6.5mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 6.5mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.625
  • 60+ ¥0.565
  • 100+ ¥0.555
  • 20000+ ¥0.525
合计:¥12.50
标准包装数量:2500

NTD20N06HL 未分类

  • 型号: NTD20N06HL
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):25A 24mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):25A 24mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.625
  • 60+ ¥0.565
  • 100+ ¥0.555
  • 20000+ ¥0.525
合计:¥12.50
标准包装数量:2500

ESD7L5.0DT5G 未分类

  • 型号: ESD7L5.0DT5G
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.625
  • 60+ ¥0.565
  • 100+ ¥0.555
  • 24000+ ¥0.525
合计:¥12.50
标准包装数量:8000

DTM4946 未分类

  • 型号: DTM4946
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道 耐压:60V 电流:6A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,6A
    2个N沟道 耐压:60V 电流:6A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.85
  • 60+ ¥0.7684
  • 100+ ¥0.7548
  • 15000+ ¥0.714
合计:¥17.00
标准包装数量:3000

TPD2EUSB30DRTR 未分类

  • 型号: TPD2EUSB30DRTR
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:360000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.625
  • 60+ ¥0.565
  • 100+ ¥0.555
  • 24000+ ¥0.525
合计:¥12.50
标准包装数量:8000

15P06 未分类

  • 型号: 15P06
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P沟道,-60V,-15A,90mΩ@-10V
    P沟道,-60V,-15A,90mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.75
  • 60+ ¥0.678
  • 100+ ¥0.666
  • 17500+ ¥0.63
合计:¥15.00
标准包装数量:2500

CEU50N06 未分类

  • 型号: CEU50N06
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 耐压:60V 电流:50A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):136W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
    N沟道 耐压:60V 电流:50A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):136W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥1
  • 60+ ¥0.904
  • 100+ ¥0.888
  • 12500+ ¥0.84
合计:¥20.00
标准包装数量:2500

MTD20N03HDLT4G 未分类

  • 型号: MTD20N03HDLT4G
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 17mΩ@-10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 17mΩ@-10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.625
  • 60+ ¥0.565
  • 100+ ¥0.555
  • 20000+ ¥0.525
合计:¥12.50
标准包装数量:2500

BYN88P03 未分类

  • 型号: BYN88P03
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: P-Channel沟道 -30V -88A RDS(ON) 4.5mΩ@10V
    P-Channel沟道 -30V -88A RDS(ON) 4.5mΩ@10V
  • 库   存:250000
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 10+ ¥1.5
  • 30+ ¥1.356
  • 50+ ¥1.332
  • 50+ ¥1.332
合计:¥15.00
标准包装数量:5000
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧