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SI7703EDN-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7703EDN-T1-E3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:--
  • 描述: 1.3W(Ta) 12V 1V@ 800µA 18nC@ 4.5V 1个P沟道 20V 48mΩ@ 6.3A,4.5V 4.3A 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.04mm
    1.3W(Ta) 12V 1V@ 800µA 18nC@ 4.5V 1个P沟道 20V 48mΩ@ 6.3A,4.5V 4.3A 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.04mm
  • 库   存:22028
  • 起订量:3000
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    5-8工作日
    内地交货(含增值税)
    7-12工作日
  • 3000+ $0.7021 ¥5.8976
合计:¥17,692.80
标准包装数量:1

SI4943DY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4943DY-T1-E3
  • 厂牌:VISHAY SEMICONDUCTORS
  • 封装:SO-8
  • 描述: MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4943BDY-E3
    MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4943BDY-E3
  • 库   存:2407
  • 起订量:373
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-5周
    内地交货(含增值税)
    4-5周
  • 1+ $0.4988 ¥4.2248
合计:¥1,575.85
标准包装数量:1

SIHA6N80AE-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHA6N80AE-GE3
  • 厂牌:VISHAY SEMICONDUCTORS
  • 封装:TO-220
  • 描述: 30W(Tc) 4V@ 250µA 22.5nC@ 10 V 1个N沟道 800V 950mΩ@ 2A,10V 5A 422pF@100V TO-220 通孔安装
    30W(Tc) 4V@ 250µA 22.5nC@ 10 V 1个N沟道 800V 950mΩ@ 2A,10V 5A 422pF@100V TO-220 通孔安装
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-15工作日
    内地交货(含增值税)
    12-16工作日
  • 1000+ $0.6139 ¥5.1995
  • 2000+ $0.6084 ¥5.1531
  • 3000+ $0.6029 ¥5.1066
合计:¥5,199.50
标准包装数量:1000

SIHF080N60E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHF080N60E-GE3
  • 厂牌:VISHAY / SILICONIX
  • 封装:TO-220
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 E Series系列, Vds=650 V, 14 A, TO-220 FP封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 E Series系列, Vds=650 V, 14 A, TO-220 FP封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-14工作日
    内地交货(含增值税)
    7-15工作日
  • 1000+ $2.3912 ¥20.3252
合计:¥20,325.20
标准包装数量:1

SIHP4N80E-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHP4N80E-BE3
  • 厂牌:VISHAY / SILICONIX
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 69W(Tc) 4V@ 250µA 32nC@ 10 V 1个N沟道 800V 1.27Ω@ 2A,10V 622pF@100V TO-220AB 通孔安装
    69W(Tc) 4V@ 250µA 32nC@ 10 V 1个N沟道 800V 1.27Ω@ 2A,10V 622pF@100V TO-220AB 通孔安装
  • 库   存:3000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-14工作日
    内地交货(含增值税)
    7-15工作日
  • 100+ $1.3338 ¥11.3373
  • 250+ $1.1514 ¥9.7869
  • 500+ $1.0716 ¥9.1086
  • 1000+ $1.0146 ¥8.6241
  • 2000+ $0.9918 ¥8.4303
  • 3000+ $0.969 ¥8.2365
合计:¥2,267.46
标准包装数量:1

SIHG33N60EF-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHG33N60EF-GE3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 EF Series系列, Vds=600 V, 33 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 EF Series系列, Vds=600 V, 33 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:18500
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-13工作日
  • 500+ ¥11.2826
  • 1000+ ¥10.9127
  • 1500+ ¥10.7278
合计:¥5,641.30
标准包装数量:0

IRFR9310TRLPBF-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR9310TRLPBF-BE3
  • 厂牌:VISHAY / SILICONIX
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 50W(Tc) 4V@ 250µA 13nC@ 10 V 1个P沟道 400V 7Ω@ 1.1A,10V 1.8A 270pF@25V TO-252AA 贴片安装
    50W(Tc) 4V@ 250µA 13nC@ 10 V 1个P沟道 400V 7Ω@ 1.1A,10V 1.8A 270pF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-14工作日
    内地交货(含增值税)
    7-15工作日
  • 3000+ $0.7564 ¥6.4294
合计:¥19,288.20
标准包装数量:1

SIHP7N60E-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHP7N60E-BE3
  • 厂牌:VISHAY / SILICONIX
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 78W(Tc) 4V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 600V 600mΩ@ 3.5A,10V 7A 680pF@100V TO-220AB 通孔安装
    78W(Tc) 4V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 600V 600mΩ@ 3.5A,10V 7A 680pF@100V TO-220AB 通孔安装
  • 库   存:2000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-14工作日
    内地交货(含增值税)
    7-15工作日
  • 1000+ $1.0858 ¥9.2293
  • 2000+ $0.9945 ¥8.4533
  • 5000+ $0.9462 ¥8.0427
合计:¥9,229.30
标准包装数量:1

SI4134DY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4134DY-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2.5W(Ta),5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 23nC@ 10 V 1个N沟道 30V 14mΩ@ 10A,10V 14A 846pF@15V SOIC-8 贴片安装
    2.5W(Ta),5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 23nC@ 10 V 1个N沟道 30V 14mΩ@ 10A,10V 14A 846pF@15V SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-14工作日
    内地交货(含增值税)
    7-15工作日
  • 2500+ $0.3184 ¥2.7066
  • 5000+ $0.2995 ¥2.5459
  • 7500+ $0.2861 ¥2.4322
  • 12500+ $0.2804 ¥2.3837
  • 17500+ $0.2747 ¥2.3353
  • 25000+ $0.269 ¥2.2868
合计:¥6,766.50
标准包装数量:1

SI1965DH-T1-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1965DH-T1-BE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: 1V@ 250µA 4.2nC@ 8V 2个P沟道 12V 390mΩ@ 1A,4.5V 1.14A;1.3A 120pF@6V SC-70-6 贴片安装
    1V@ 250µA 4.2nC@ 8V 2个P沟道 12V 390mΩ@ 1A,4.5V 1.14A;1.3A 120pF@6V SC-70-6 贴片安装
  • 库   存:72000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-14工作日
    内地交货(含增值税)
    7-15工作日
  • 3000+ $0.1806 ¥1.5348
  • 6000+ $0.1697 ¥1.442
  • 9000+ $0.1619 ¥1.376
  • 15000+ $0.1596 ¥1.3566
  • 24000+ $0.1562 ¥1.3275
  • 30000+ $0.1528 ¥1.2985
合计:¥4,604.40
标准包装数量:1

SI4470EY-T1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4470EY-T1
  • 厂牌:VISHAY SEMICONDUCTORS
  • 封装:SO-8
  • 描述: 3.75KW 20V 2V(Min) 46nC@ 10V 60V 11mΩ@ 10V SO-8 贴片安装,黏合安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
    3.75KW 20V 2V(Min) 46nC@ 10V 60V 11mΩ@ 10V SO-8 贴片安装,黏合安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
  • 库   存:1806
  • 起订量:128
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-5周
    内地交货(含增值税)
    4-5周
  • 1+ $1.4616 ¥12.3798
合计:¥1,584.61
标准包装数量:1

SI9410BDY-T1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI9410BDY-T1
  • 厂牌:VISHAY SEMICONDUCTORS
  • 封装:SOIC
  • 描述: 2.5W 20V 15nC@ 10V 30V 24mΩ@ 10V SOIC 导线安装,支架安装,贴片安装
    2.5W 20V 15nC@ 10V 30V 24mΩ@ 10V SOIC 导线安装,支架安装,贴片安装
  • 库   存:632
  • 起订量:250
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-5周
    内地交货(含增值税)
    4-5周
  • 1+ $0.7459 ¥6.3176
合计:¥1,579.40
标准包装数量:1

SUD42N03-3M9P-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD42N03-3M9P-GE3
  • 厂牌:VISHAY SEMICONDUCTORS
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 2.5W(Ta),73.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 100nC@ 10 V 1个N沟道 30V 3.9mΩ@ 22A,10V 107A 3.535nF@15V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.38mm
    2.5W(Ta),73.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 100nC@ 10 V 1个N沟道 30V 3.9mΩ@ 22A,10V 107A 3.535nF@15V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.38mm
  • 库   存:1988
  • 起订量:82
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-5周
    内地交货(含增值税)
    4-5周
  • 1+ $2.291 ¥19.4048
合计:¥1,591.19
标准包装数量:1

SUD50N03-16P-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD50N03-16P-E3
  • 厂牌:VISHAY SEMICONDUCTORS
  • 封装:TO-252AA
  • 描述: 6.5W(Ta),40.8W(Tc) 20V 3V@ 250µA 13nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 16mΩ@ 15A,10V 1.15nF@25V TO-252AA 贴片安装
    6.5W(Ta),40.8W(Tc) 20V 3V@ 250µA 13nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 16mΩ@ 15A,10V 1.15nF@25V TO-252AA 贴片安装
  • 库   存:1714
  • 起订量:315
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    4-5周
    内地交货(含增值税)
    4-5周
  • 1+ $0.5916 ¥5.0109
合计:¥1,578.43
标准包装数量:1

SI1967DH-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1967DH-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Semiconductors
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: 740mW 8V 1V@ 250µA 4nC@ 8V 2个P沟道 20V 490mΩ@ 910mA,4.5V 1.3A 110pF@10V SC-70-6 贴片安装 2.1mm*1.25mm*1mm
    740mW 8V 1V@ 250µA 4nC@ 8V 2个P沟道 20V 490mΩ@ 910mA,4.5V 1.3A 110pF@10V SC-70-6 贴片安装 2.1mm*1.25mm*1mm
  • 库   存:2000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥2.034
  • 100+ ¥1.9662
  • 500+ ¥1.9323
  • 1000+ ¥1.8645
合计:¥20.34
标准包装数量:0

IRF840BPBF-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF840BPBF-BE3
  • 厂牌:VISHAY / SILICONIX
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 156W(Tc) 5V@ 250µA 30nC@ 10 V 1个N沟道 500V 850mΩ@ 4A,10V 8.7A 527pF@100V TO-220AB 通孔安装
    156W(Tc) 5V@ 250µA 30nC@ 10 V 1个N沟道 500V 850mΩ@ 4A,10V 8.7A 527pF@100V TO-220AB 通孔安装
  • 库   存:9300
  • 起订量:250
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-14工作日
    内地交货(含增值税)
    7-15工作日
  • 100+ $0.9711 ¥8.2544
  • 500+ $0.798 ¥6.783
  • 1000+ $0.6384 ¥5.4264
  • 5000+ $0.6156 ¥5.2326
  • 10000+ $0.5814 ¥4.9419
合计:¥2,063.60
标准包装数量:1

SISH434DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SISH434DN-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY SEMICONDUCTORS
  • 封装:1212
  • 描述: 3.8W(Ta),52W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 40V 7.6mΩ@ 16.2A,10V 17.6A,35A 1.53nF@20V 1212 贴片安装
    3.8W(Ta),52W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 40V 7.6mΩ@ 16.2A,10V 17.6A,35A 1.53nF@20V 1212 贴片安装
  • 库   存:30000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-13工作日
  • 3000+ ¥3.5509
  • 6000+ ¥3.4345
  • 9000+ ¥3.3763
  • 12000+ ¥3.3472
合计:¥10,652.70
标准包装数量:0

SQ2361CEES-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 库   存:1497000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥1.0528
  • 30000+ ¥1.0212
合计:¥3,158.40
标准包装数量:3000

SI7113DNT1E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7113DNT1E3
  • 厂牌:VISHAY SEMICONDUCTORS
  • 封装:1212
  • 描述: 3.7W(Ta),52W(Tc) 20V 3V@ 250µA 55nC@ 10 V 1个P沟道 100V 134mΩ@ 4A,10V 13.2A 1.48nF@50V 1212 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
    3.7W(Ta),52W(Tc) 20V 3V@ 250µA 55nC@ 10 V 1个P沟道 100V 134mΩ@ 4A,10V 13.2A 1.48nF@50V 1212 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
  • 库   存:611
  • 起订量:611
  • 增   量:611
  • 批   次:--
  • 中国香港
    5-8工作日
    内地交货(含增值税)
    7-10工作日
  • 611+ $1.357 ¥11.0867
合计:¥6,773.97
标准包装数量:611

SI4866DYT1GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4866DYT1GE3
  • 厂牌:VISHAY SEMICONDUCTORS
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 1.6W(Ta) 8V 600mV@ 250µA (Min) 30nC@ 4.5 V 1个N沟道 12V 5.5mΩ@ 17A,4.5V 11A SOIC-8 贴片安装
    1.6W(Ta) 8V 600mV@ 250µA (Min) 30nC@ 4.5 V 1个N沟道 12V 5.5mΩ@ 17A,4.5V 11A SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:2155
  • 起订量:2155
  • 增   量:2155
  • 批   次:--
  • 中国香港
    5-8工作日
    内地交货(含增值税)
    7-10工作日
  • 611+ $1.357 ¥11.0867
合计:¥18,020.11
标准包装数量:2155
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