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SI4946BEY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4946BEY-T1-E3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=60 V, 6.5 A, SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=60 V, 6.5 A, SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:1835
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.9729
  • 10+ ¥4.4756
  • 30+ ¥3.9784
  • 100+ ¥3.5308
  • 500+ ¥3.302
  • 1000+ ¥3.1827
合计:¥4.97
标准包装数量:2500

SI1416EDH-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1416EDH-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3.9 A, SOT-363封装, 表面贴装, 6引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3.9 A, SOT-363封装, 表面贴装, 6引脚
  • 库   存:466
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.7369
  • 50+ ¥1.4304
  • 150+ ¥1.2261
  • 500+ ¥1.083
  • 1000+ ¥0.9604
  • 3000+ ¥0.9001
合计:¥8.68
标准包装数量:3000

SIA906EDJ-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIA906EDJ-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:--
  • 描述: 1.9W 12V 1.4V@ 250µA 12nC@ 10V 2个N沟道 20V 46mΩ@ 3.9A,4.5V 4.5A 350pF@10V 贴片安装 2.05mm*2.05mm*750μm
    1.9W 12V 1.4V@ 250µA 12nC@ 10V 2个N沟道 20V 46mΩ@ 3.9A,4.5V 4.5A 350pF@10V 贴片安装 2.05mm*2.05mm*750μm
  • 库   存:687
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.1045
  • 10+ ¥1.9341
  • 30+ ¥1.8039
  • 100+ ¥1.6736
  • 500+ ¥1.5533
  • 1000+ ¥1.4832
合计:¥2.10
标准包装数量:3000

SI7113ADN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7113ADN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:1212
  • 描述: 27.8W(Tc) 20V 2.6V@ 250µA 16.5nC@ 10 V 1个P沟道 100V 132mΩ@ 3.8A,10V 10.8A 515pF@50V 1212 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
    27.8W(Tc) 20V 2.6V@ 250µA 16.5nC@ 10 V 1个P沟道 100V 132mΩ@ 3.8A,10V 10.8A 515pF@50V 1212 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
  • 库   存:3939
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.1839
  • 30+ ¥1.8199
  • 50+ ¥1.7289
  • 100+ ¥1.6561
  • 500+ ¥1.6015
  • 1000+ ¥1.5696
合计:¥2.18
标准包装数量:3000

SI2302CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2302CDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 710mW(Ta) 8V 850mV@ 250µA 5.5nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 57mΩ@ 3.6A,4.5V 2.6A 320pF@10V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
    710mW(Ta) 8V 850mV@ 250µA 5.5nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 57mΩ@ 3.6A,4.5V 2.6A 320pF@10V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
  • 库   存:53030
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.4384
  • 50+ ¥0.3614
  • 150+ ¥0.3233
  • 500+ ¥0.2826
  • 3000+ ¥0.2418
  • 6000+ ¥0.232
合计:¥2.19
标准包装数量:3000

SI2343CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2343CDS-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY INTERTECHNOLOGY
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 4.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 4.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:5999
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7614
  • 50+ ¥0.6443
  • 150+ ¥0.5662
  • 500+ ¥0.5027
  • 3000+ ¥0.4647
  • 6000+ ¥0.4393
合计:¥3.81
标准包装数量:3000

SI2337DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2337DS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 1.75 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 1.75 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1984
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3
  • 10+ ¥2.7
  • 30+ ¥2.45
  • 100+ ¥2.2
  • 500+ ¥2.02
  • 1000+ ¥1.92
合计:¥3.00
标准包装数量:3000

SQ2337ES-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ2337ES-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=80 V, 2.2 A, TO-236封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=80 V, 2.2 A, TO-236封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1575
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.5
  • 10+ ¥2.1
  • 30+ ¥1.9
  • 100+ ¥1.75
  • 500+ ¥1.62
  • 1000+ ¥1.54
合计:¥2.50
标准包装数量:3000

Si2308BDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: Si2308BDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.9 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.9 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:94
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.17
  • 50+ ¥1
  • 150+ ¥0.88
  • 500+ ¥0.8
  • 3000+ ¥0.685
合计:¥5.85
标准包装数量:3000

SI2307CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2307CDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 威世 P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 3.5 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    威世 P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 3.5 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:2487
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.78
  • 50+ ¥0.655
  • 150+ ¥0.55
  • 500+ ¥0.48
  • 3000+ ¥0.41
  • 6000+ ¥0.3892
合计:¥3.90
标准包装数量:3000

SQ2319ADS-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ2319ADS-T1_GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 2.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 16nC@ 10 V 1个P沟道 40V 75mΩ@ 3A,10V 4.6A 620pF@20V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.6mm*1.45mm
    2.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 16nC@ 10 V 1个P沟道 40V 75mΩ@ 3A,10V 4.6A 620pF@20V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.6mm*1.45mm
  • 库   存:2304
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.6
  • 10+ ¥2.3
  • 30+ ¥2.1
  • 100+ ¥1.9
  • 500+ ¥1.75
  • 1000+ ¥1.7
合计:¥2.60
标准包装数量:3000

SIRA04DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRA04DP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:DFN-8
  • 描述: Vishay N沟道MOS管, Vds=30 V, 40 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装
    Vishay N沟道MOS管, Vds=30 V, 40 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装
  • 库   存:1180
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥1.33
  • 100+ ¥1.14
  • 300+ ¥0.9975
  • 1000+ ¥0.84
  • 5000+ ¥0.798
合计:¥13.30
标准包装数量:3000

IRFL9014TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFL9014TRPBF
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-223
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.8 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.8 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:835
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.3
  • 10+ ¥1.9
  • 30+ ¥1.7
  • 100+ ¥1.5
  • 500+ ¥1.26
  • 1000+ ¥1.19
合计:¥2.30
标准包装数量:2500

SI2303CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2303CDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 1.9 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 1.9 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:170
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.52
  • 50+ ¥0.442
  • 150+ ¥0.39
  • 500+ ¥0.35
  • 3000+ ¥0.3
  • 6000+ ¥0.285
合计:¥2.60
标准包装数量:3000

SI7149ADP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7149ADP-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:PPAKSO-8
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 18 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 18 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:28729
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.35
  • 10+ ¥2.85
  • 30+ ¥2.5
  • 100+ ¥2.3
  • 500+ ¥2.11
  • 1000+ ¥1.98
  • 3000+ ¥1.95
合计:¥3.35
标准包装数量:3000

SI4204DY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4204DY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=20 V, 19.8 A, SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=20 V, 19.8 A, SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:1359
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7
  • 10+ ¥6.2
  • 30+ ¥5.6
  • 100+ ¥5
  • 500+ ¥4.67
  • 1000+ ¥4.5
合计:¥7.00
标准包装数量:2500

SI4401DDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4401DDY-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2.5W(Ta),6.3W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 95nC@ 10 V 1个P沟道 40V 15mΩ@ 10.2A,10V 16.1A 3.007nF@20V SOIC-8 贴片安装
    2.5W(Ta),6.3W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 95nC@ 10 V 1个P沟道 40V 15mΩ@ 10.2A,10V 16.1A 3.007nF@20V SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:2564
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.3
  • 10+ ¥2
  • 30+ ¥1.82
  • 100+ ¥1.7
  • 500+ ¥1.6
  • 1000+ ¥1.5
合计:¥2.30
标准包装数量:2500

SI1539CDL-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1539CDL-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: 290mW 20V 2.5V@ 250µA 1.5nC@ 10V 2N+2P沟道 30V 388mΩ@ 600mA,10V 700mA,500mA 28pF@15V SC-70-6 贴片安装 2mm(长度)*1.25mm(宽度)
    290mW 20V 2.5V@ 250µA 1.5nC@ 10V 2N+2P沟道 30V 388mΩ@ 600mA,10V 700mA,500mA 28pF@15V SC-70-6 贴片安装 2mm(长度)*1.25mm(宽度)
  • 库   存:825
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.9
  • 10+ ¥0.78
  • 30+ ¥0.67
  • 100+ ¥0.598
  • 800+ ¥0.541
合计:¥0.90
标准包装数量:3000

SI2319CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2319CDS-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 4.4 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 4.4 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1026
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.9
  • 10+ ¥1.7
  • 30+ ¥1.58
  • 100+ ¥1.35
  • 500+ ¥1.17
  • 1000+ ¥1.1
合计:¥1.90
标准包装数量:3000

SI7615ADN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7615ADN-T1-GE3
  • 厂牌:Vishay Intertechnology
  • 封装:PAK-1212-8
  • 描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 35 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 35 A, PowerPAK 1212-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:2866
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.2
  • 10+ ¥1.82
  • 30+ ¥1.6
  • 100+ ¥1.4
  • 500+ ¥1.26
  • 500+ ¥1.26
合计:¥2.20
标准包装数量:3000
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