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IRL530PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL530PBF
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 15 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 15 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 1000+ $0.6635 ¥5.7529
  • 1100+ $0.6529 ¥5.6608
  • 2100+ $0.6423 ¥5.5688
  • 5000+ $0.6317 ¥5.4767
  • 10000+ $0.6243 ¥5.4123
合计:¥5,752.90
标准包装数量:0

SI3443DDV-T1-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI3443DDV-T1-BE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TSOP-6
  • 描述: 140W 2V@ 250uA 74nC@ 5V 1个P沟道 100V 44mΩ@ 10V,18A 36A 1.8nF@ 25V TSOP-6 贴片安装
    140W 2V@ 250uA 74nC@ 5V 1个P沟道 100V 44mΩ@ 10V,18A 36A 1.8nF@ 25V TSOP-6 贴片安装
  • 库   存:12000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $0.0681 ¥0.5906
  • 6000+ $0.067 ¥0.5812
  • 12000+ $0.0659 ¥0.5717
  • 18000+ $0.0649 ¥0.5623
  • 24000+ $0.0641 ¥0.5557
合计:¥1,771.80
标准包装数量:0

SI4896DY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4896DY-T1-E3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=80 V, 9.5 A, SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=80 V, 9.5 A, SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 2500+ $0.7213 ¥6.2538
合计:¥15,634.50
标准包装数量:0

SI7615CDN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7615CDN-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:--
  • 描述: 33W(Tc) 8V 1V@ 250µA 63nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 9mΩ@ 12A,4.5V 35A 3.86nF@10V 贴片安装
    33W(Tc) 8V 1V@ 250µA 63nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 9mΩ@ 12A,4.5V 35A 3.86nF@10V 贴片安装
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $0.1601 ¥1.3881
  • 6000+ $0.1575 ¥1.3659
  • 12000+ $0.155 ¥1.3436
  • 18000+ $0.1524 ¥1.3214
  • 24000+ $0.1506 ¥1.3058
合计:¥4,164.30
标准包装数量:0

SI6913DQ-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI6913DQ-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TSSOP-8
  • 描述: 1.14W 8V 900mV@ 400µA 28nC@ 4.5V 2个P沟道 12V 21mΩ@ 5.8A,4.5V 4.9A TSSOP-8 贴片安装 3mm(长度)*4.4mm(宽度)
    1.14W 8V 900mV@ 400µA 28nC@ 4.5V 2个P沟道 12V 21mΩ@ 5.8A,4.5V 4.9A TSSOP-8 贴片安装 3mm(长度)*4.4mm(宽度)
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $0.5788 ¥5.018
合计:¥15,054.00
标准包装数量:0

SI3443BDV-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI3443BDV-T1-E3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TSOP-6
  • 描述: 1.1W(Ta) 12V 1.4V@ 250µA 9nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 60mΩ@ 4.7A,4.5V 3.6A TSOP-6 贴片安装 3.05mm(长度)*1.65mm(宽度)
    1.1W(Ta) 12V 1.4V@ 250µA 9nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 60mΩ@ 4.7A,4.5V 3.6A TSOP-6 贴片安装 3.05mm(长度)*1.65mm(宽度)
  • 库   存:12000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $0.1592 ¥1.3802
合计:¥4,140.60
标准包装数量:0

SI2305CDS-T1-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2305CDS-T1-BE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 960mW(Ta),1.7W(Tc) 8V 1V@ 250µA 30nC@ 8 V 1个P沟道 8V 35mΩ@ 4.4A,4.5V 5.8A;4.4A 960pF@4V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
    960mW(Ta),1.7W(Tc) 8V 1V@ 250µA 30nC@ 8 V 1个P沟道 8V 35mΩ@ 4.4A,4.5V 5.8A;4.4A 960pF@4V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $0.0961 ¥0.8329
  • 6000+ $0.0952 ¥0.8258
  • 12000+ $0.0936 ¥0.8116
  • 18000+ $0.092 ¥0.7974
  • 24000+ $0.0903 ¥0.7832
合计:¥2,498.70
标准包装数量:0

SIRA90DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIRA90DP-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:SOIC
  • 描述: 104W(Tc) 20V,16V 2V@ 250µA 153nC@ 10 V 1个N沟道 30V 800μΩ@ 20A,10V 100A 10.18nF@15V SOIC 贴片安装
    104W(Tc) 20V,16V 2V@ 250µA 153nC@ 10 V 1个N沟道 30V 800μΩ@ 20A,10V 100A 10.18nF@15V SOIC 贴片安装
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $0.6404 ¥5.5521
合计:¥16,656.30
标准包装数量:0

IRF720PBF-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF720PBF-BE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 50W(Tc) 4V@ 250µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 400V 1.8Ω@ 2A,10V 3.3A 410pF@25V TO-220AB 通孔安装
    50W(Tc) 4V@ 250µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 400V 1.8Ω@ 2A,10V 3.3A 410pF@25V TO-220AB 通孔安装
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 1000+ $0.4425 ¥3.8368
  • 2000+ $0.4355 ¥3.7754
  • 4000+ $0.4284 ¥3.7141
  • 6000+ $0.4213 ¥3.6526
  • 8000+ $0.4163 ¥3.6097
合计:¥3,836.80
标准包装数量:0

IRF610PBF-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF610PBF-BE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: 36W(Tc) 4V@ 250µA 8.2nC@ 10 V 1个N沟道 200V 1.5Ω@ 2A,10V 3.3A 140pF@25V TO-220AB 通孔安装
    36W(Tc) 4V@ 250µA 8.2nC@ 10 V 1个N沟道 200V 1.5Ω@ 2A,10V 3.3A 140pF@25V TO-220AB 通孔安装
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 1000+ $0.6254 ¥5.4221
  • 1100+ $0.6154 ¥5.3354
  • 2100+ $0.6057 ¥5.2514
  • 5000+ $0.5956 ¥5.1639
  • 10000+ $0.5886 ¥5.1032
合计:¥5,422.10
标准包装数量:0

SI2328DS-T1-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2328DS-T1-BE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 730mW(Ta) 20V 4V@ 250µA 5nC@ 10 V 1个N沟道 100V 250mΩ@ 1.5A,10V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
    730mW(Ta) 20V 4V@ 250µA 5nC@ 10 V 1个N沟道 100V 250mΩ@ 1.5A,10V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
  • 库   存:30000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $0.1493 ¥1.2948
合计:¥3,884.40
标准包装数量:0

SI2374DS-T1-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2374DS-T1-BE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 960mW(Ta),1.7W(Tc) 1V@ 250µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 20V 30mΩ@ 4A,4.5V 5.9A;4.5A 735pF@10V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
    960mW(Ta),1.7W(Tc) 1V@ 250µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 20V 30mΩ@ 4A,4.5V 5.9A;4.5A 735pF@10V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $0.0782 ¥0.678
  • 6000+ $0.0767 ¥0.6653
  • 12000+ $0.0763 ¥0.6618
  • 18000+ $0.0759 ¥0.6584
  • 24000+ $0.0755 ¥0.655
合计:¥2,034.00
标准包装数量:0

SQ3989EV-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ3989EV-T1_GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:TSOP-6
  • 描述: 1.67W 20V 1.5V@ 250µA 11.1nC@ 10V 2个P沟道 30V 155mΩ@ 400mA,10V 2.5A TSOP-6 贴片安装
    1.67W 20V 1.5V@ 250µA 11.1nC@ 10V 2个P沟道 30V 155mΩ@ 400mA,10V 2.5A TSOP-6 贴片安装
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $0.1769 ¥1.5333
  • 6000+ $0.174 ¥1.5088
  • 12000+ $0.1713 ¥1.485
  • 18000+ $0.1684 ¥1.4603
  • 24000+ $0.1665 ¥1.4432
合计:¥4,599.90
标准包装数量:0

SQ2319ADS-T1_BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ2319ADS-T1_BE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:SOT-23-3,TO-236
  • 描述: 2.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 16nC@ 10 V 1个P沟道 40V 75mΩ@ 3A,10V 4.6A 620pF@20V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
    2.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 16nC@ 10 V 1个P沟道 40V 75mΩ@ 3A,10V 4.6A 620pF@20V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $0.2373 ¥2.0578
  • 6000+ $0.2336 ¥2.0249
  • 12000+ $0.2298 ¥1.9919
  • 18000+ $0.226 ¥1.959
  • 24000+ $0.2233 ¥1.936
合计:¥6,173.40
标准包装数量:0

SUM70060E-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUM70060E-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: Vishay 晶体管 - IGBT
    Vishay 晶体管 - IGBT
  • 库   存:10400
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 800+ $0.9187 ¥7.9647
  • 1600+ $0.8996 ¥7.7997
  • 3200+ $0.8855 ¥7.677
  • 4800+ $0.8707 ¥7.549
  • 6400+ $0.8605 ¥7.4602
合计:¥6,371.76
标准包装数量:0

SI7956DP-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7956DP-T1-E3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:--
  • 描述: 1.4W 20V 4V@ 250µA 26nC@ 10V 2个N沟道 150V 105mΩ@ 4.1A,10V 2.6A 贴片安装 6.15mm*5.15mm*1.04mm
    1.4W 20V 4V@ 250µA 26nC@ 10V 2个N沟道 150V 105mΩ@ 4.1A,10V 2.6A 贴片安装 6.15mm*5.15mm*1.04mm
  • 库   存:9000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $1.1745 ¥10.183
合计:¥30,549.00
标准包装数量:0

SIR178DP-T1-RE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR178DP-T1-RE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道MOS管, Vds=20 V, 430 A, powerpak so-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Vishay N沟道MOS管, Vds=20 V, 430 A, powerpak so-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:171000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $0.7586 ¥6.5774
  • 6000+ $0.7465 ¥6.4722
  • 12000+ $0.7348 ¥6.3704
  • 18000+ $0.7225 ¥6.2642
  • 24000+ $0.714 ¥6.1905
合计:¥19,732.20
标准包装数量:0

SI1467DH-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI1467DH-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:SC-70-6
  • 描述: 1.5W(Ta),2.78W(Tc) 8V 1V@ 250µA 13.5nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 90mΩ@ 2A,4.5V 2.7A 561pF@10V SC-70-6 贴片安装 2mm(长度)*1.25mm(宽度)
    1.5W(Ta),2.78W(Tc) 8V 1V@ 250µA 13.5nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 90mΩ@ 2A,4.5V 2.7A 561pF@10V SC-70-6 贴片安装 2mm(长度)*1.25mm(宽度)
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $0.2316 ¥2.0082
  • 6000+ $0.2279 ¥1.9761
  • 12000+ $0.2242 ¥1.9439
  • 18000+ $0.2205 ¥1.9118
  • 24000+ $0.2179 ¥1.8893
合计:¥6,024.60
标准包装数量:0

SIJH800E-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIJH800E-T1-GE3
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:--
  • 描述: Vishay N沟道MOS管 N-Channel 80-V系列, Vds=80 V, 299 A, PowerPak 8 x 8L封装, 表面贴装, 4引脚
    Vishay N沟道MOS管 N-Channel 80-V系列, Vds=80 V, 299 A, PowerPak 8 x 8L封装, 表面贴装, 4引脚
  • 库   存:2000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 2000+ $1.5818 ¥13.7139
合计:¥27,427.80
标准包装数量:0

SI8817DB-T2-E1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI8817DB-T2-E1
  • 厂牌:VISHAY
  • 封装:MICROFOOT-4
  • 描述: 500mW(Ta) 8V 1V@ 250µA 19nC@ 8 V 1个P沟道 20V 76mΩ@ 1A,4.5V 615pF@10V MICROFOOT-4 贴片安装 1.6mm*1.6mm*650μm
    500mW(Ta) 8V 1V@ 250µA 19nC@ 8 V 1个P沟道 20V 76mΩ@ 1A,4.5V 615pF@10V MICROFOOT-4 贴片安装 1.6mm*1.6mm*650μm
  • 库   存:6000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-10工作日
    内地交货(含增值税)
    8-12工作日
  • 3000+ $0.1398 ¥1.212
  • 6000+ $0.1376 ¥1.1926
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