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GBL810 整流二极管/整流桥

  • 型号: GBL810
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 此款GBL封装整流桥器件,专为高效能电源转换应用打造。其具备高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压条件下安全稳定运行。在3A工作电流下,正向压降VF低至1.1V,有效减少功率损耗并提升整体系统效能。此外,该器件的最大连续输出电流可达8A(IO),展现出卓越的电流承载能力,尤其适用于需要处理中高电流强度及高电压环境的电路设计。这款整流桥凭借其高性能与高可靠性,成为您实现理想电源转换方案的理想之选。
    描述: 此款GBL封装整流桥器件,专为高效能电源转换应用打造。其具备高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压条件下安全稳定运行。在3A工作电流下,正向压降VF低至1.1V,有效减少功率损耗并提升整体系统效能。此外,该器件的最大连续输出电流可达8A(IO),展现出卓越的电流承载能力,尤其适用于需要处理中高电流强度及高电压环境的电路设计。这款整流桥凭借其高性能与高可靠性,成为您实现理想电源转换方案的理想之选。
  • 库   存:300000
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 500+ ¥0.6007
  • 1500+ ¥0.5907
  • 2500+ ¥0.5757
合计:¥300.35
标准包装数量:500

KBP307 整流二极管/整流桥

  • 型号: KBP307
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款采用KBP封装的高精度整流桥,专为800V电压等级及中等电流应用设计。其具备出色的耐压性能,在高达800V的反向电压下保持稳定工作状态。在3A的工作电流下,正向电压降低至1.1V,实现高效能电力转换与显著节能效果。器件的最大连续输出电流为3A,适用于各类电源适配器、中功率电机驱动及电子设备内部电路中的整流需求。选择本款KBP封装整流桥,将为您的系统带来卓越的能效表现和稳定的运行能力。
    描述: 这款采用KBP封装的高精度整流桥,专为800V电压等级及中等电流应用设计。其具备出色的耐压性能,在高达800V的反向电压下保持稳定工作状态。在3A的工作电流下,正向电压降低至1.1V,实现高效能电力转换与显著节能效果。器件的最大连续输出电流为3A,适用于各类电源适配器、中功率电机驱动及电子设备内部电路中的整流需求。选择本款KBP封装整流桥,将为您的系统带来卓越的能效表现和稳定的运行能力。
  • 库   存:300000
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 500+ ¥0.2918
  • 1500+ ¥0.287
  • 2500+ ¥0.2797
合计:¥145.90
标准包装数量:500

KBU810 整流二极管/整流桥

  • 型号: KBU810
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款采用KBU封装的高端整流桥器件,特别为1000V高电压、大电流应用环境设计。在确保卓越电气性能的同时,能承受高达1000V的反向电压,保证系统稳定可靠运行。在8A的工作电流下,其正向电压降仅为1.1V,优化了电力转换效率,有效减少能源损耗。此外,该器件具有出色的连续输出能力,最大可承载8A电流,是各类高性能电源供应器、电机驱动的理想选择。选择本款整流桥将助力您的设备实现更高能效和更优稳定性。
    描述: 这款采用KBU封装的高端整流桥器件,特别为1000V高电压、大电流应用环境设计。在确保卓越电气性能的同时,能承受高达1000V的反向电压,保证系统稳定可靠运行。在8A的工作电流下,其正向电压降仅为1.1V,优化了电力转换效率,有效减少能源损耗。此外,该器件具有出色的连续输出能力,最大可承载8A电流,是各类高性能电源供应器、电机驱动的理想选择。选择本款整流桥将助力您的设备实现更高能效和更优稳定性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:400
  • 增   量:400
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 400+ ¥1.0962
  • 1200+ ¥1.0779
  • 2000+ ¥1.0505
合计:¥438.48
标准包装数量:400

DB157S 整流二极管/整流桥

  • 型号: DB157S
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DBS
  • 描述: 描述: 这款DBS封装整流桥器件,针对高效低耗电源转换需求设计。具有高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压条件下持久稳定运行。其关键特性在于,在1A电流下正向压降VF低至1.1V,有效优化系统能效并减少功耗。同时,器件具备出色的电流处理能力,最大连续输出电流可达1.5A(IO),适合中等电流应用场合。凭借精巧的DBS封装与卓越性能表现,本款整流桥成为电路设计的理想选择,助您实现高性价比且可靠的电源转换方案。
    描述: 这款DBS封装整流桥器件,针对高效低耗电源转换需求设计。具有高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压条件下持久稳定运行。其关键特性在于,在1A电流下正向压降VF低至1.1V,有效优化系统能效并减少功耗。同时,器件具备出色的电流处理能力,最大连续输出电流可达1.5A(IO),适合中等电流应用场合。凭借精巧的DBS封装与卓越性能表现,本款整流桥成为电路设计的理想选择,助您实现高性价比且可靠的电源转换方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1500
  • 增   量:1500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1500+ ¥0.1728
  • 4500+ ¥0.1699
  • 7500+ ¥0.1656
合计:¥259.20
标准包装数量:1500

KBJ1010 整流二极管/整流桥

  • 型号: KBJ1010
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:KBJ
  • 描述: 描述: 此款采用先进KBJ封装的半导体整流桥器件,专为高效、大电流应用设计。其核心特性包括VR最高耐压1000V,保证在高压环境下稳定可靠运行;VF低至1.05V@4A,即使在4A电流下仍维持超低电压降,显著提高能源转换效率与节能效果;额定输出电流IO高达10A,提供强大而持久的电力处理能力。适用于各类高端电源系统、逆变器等设备中,是提升系统性能和稳定性的重要元件选择。
    描述: 此款采用先进KBJ封装的半导体整流桥器件,专为高效、大电流应用设计。其核心特性包括VR最高耐压1000V,保证在高压环境下稳定可靠运行;VF低至1.05V@4A,即使在4A电流下仍维持超低电压降,显著提高能源转换效率与节能效果;额定输出电流IO高达10A,提供强大而持久的电力处理能力。适用于各类高端电源系统、逆变器等设备中,是提升系统性能和稳定性的重要元件选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:250
  • 增   量:250
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 250+ ¥0.8969
  • 750+ ¥0.8819
  • 1250+ ¥0.8595
合计:¥224.23
标准包装数量:250

BAV99T 整流二极管/整流桥

  • 型号: BAV99T
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款开关二极管拥有0.075A的正向平均电流(IF/A),能够承受最大85V的反向电压(VR/V)。其正向电压(VF/V)为1.25V,反向漏电流(IR/uA)在室温下不超过2微安。这种二极管适用于信号切换及数据通信领域中的快速开关应用,其较低的正向电压与稳定的反向漏电流特性,确保了在高频信号处理中的可靠性能。
    这款开关二极管拥有0.075A的正向平均电流(IF/A),能够承受最大85V的反向电压(VR/V)。其正向电压(VF/V)为1.25V,反向漏电流(IR/uA)在室温下不超过2微安。这种二极管适用于信号切换及数据通信领域中的快速开关应用,其较低的正向电压与稳定的反向漏电流特性,确保了在高频信号处理中的可靠性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0665
  • 9000+ ¥0.0654
  • 15000+ ¥0.0637
合计:¥199.50
标准包装数量:3000

MUR1620CT 整流二极管/整流桥

  • 型号: MUR1620CT
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220
  • 描述: 描述: 这款采用TO-220封装的高性能快恢复二极管,具备200V高反向耐压及16A大电流承载能力,其正向导通电压VF低至0.975V。专为高效能、大电流整流应用设计,适用于开关电源、逆变器及电机驱动系统,提供快速恢复与低损耗特性。
    描述: 这款采用TO-220封装的高性能快恢复二极管,具备200V高反向耐压及16A大电流承载能力,其正向导通电压VF低至0.975V。专为高效能、大电流整流应用设计,适用于开关电源、逆变器及电机驱动系统,提供快速恢复与低损耗特性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.224
  • 150+ ¥1.2036
  • 250+ ¥1.173
合计:¥122.40
标准包装数量:50

US1M-E3/61T 整流二极管/整流桥

  • 型号: US1M-E3/61T
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款快恢复二极管设计用于高频开关应用,具有1A的平均正向电流(IF),并在反向电压(VR)下可承受高达1000V的电压。其正向电压降(VF)仅为1.7V,在确保高效能的同时,降低了能量损耗。在反向偏置条件下,漏电流(IR)控制在微安级别(5??A),保证了设备在非导通状态下的低功耗特性。瞬态正向浪涌电流(IFSM)可达30A,适用于需要承受短时电流峰值的应用场景。这些特性使得该二极管成为在需要快速切换及高效率表现的电路设计中的理想选择。
    此款快恢复二极管设计用于高频开关应用,具有1A的平均正向电流(IF),并在反向电压(VR)下可承受高达1000V的电压。其正向电压降(VF)仅为1.7V,在确保高效能的同时,降低了能量损耗。在反向偏置条件下,漏电流(IR)控制在微安级别(5??A),保证了设备在非导通状态下的低功耗特性。瞬态正向浪涌电流(IFSM)可达30A,适用于需要承受短时电流峰值的应用场景。这些特性使得该二极管成为在需要快速切换及高效率表现的电路设计中的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.1297
  • 6000+ ¥0.1276
  • 10000+ ¥0.1243
合计:¥259.40
标准包装数量:2000

ES1DHE3_A/I 整流二极管/整流桥

  • 型号: ES1DHE3_A/I
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款快恢复二极管设计精良,具有高效的性能表现。其最大平均正向电流(IF)为1A,能够稳定处理200V的最大反向电压(VR)。在正向导通时,电压降(VF)低至0.95V,有效降低能耗。反向漏电流(IR)被限制在5μA,确保了在待机模式下的低功耗表现。此外,该二极管可以承受高达30A的瞬态正向浪涌电流(IFSM),适用于高频开关电路和其他需要快速恢复时间和高效率的应用场景中。
    这款快恢复二极管设计精良,具有高效的性能表现。其最大平均正向电流(IF)为1A,能够稳定处理200V的最大反向电压(VR)。在正向导通时,电压降(VF)低至0.95V,有效降低能耗。反向漏电流(IR)被限制在5μA,确保了在待机模式下的低功耗表现。此外,该二极管可以承受高达30A的瞬态正向浪涌电流(IFSM),适用于高频开关电路和其他需要快速恢复时间和高效率的应用场景中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.3138
  • 6000+ ¥0.3086
  • 10000+ ¥0.3007
合计:¥627.60
标准包装数量:2000

ES2J 整流二极管/整流桥

  • 型号: ES2J
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMB(DO-214AA)
  • 描述: 35ns 5μA SMB(DO-214AA)
    35ns 5μA SMB(DO-214AA)
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0668
  • 9000+ ¥0.0657
  • 15000+ ¥0.0641
合计:¥200.40
标准包装数量:3000

ES1J 整流二极管/整流桥

  • 型号: ES1J
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 描述: 此款SMA封装快恢复二极管具备600V高反向耐压,提供1A连续正向电流能力,具有1.7V的正向导通电压。专为高频开关电源、逆变器和高压整流应用设计,实现快速反向恢复及高效能转换。紧凑型封装适合于现代电子设备的空间限制要求。
    描述: 此款SMA封装快恢复二极管具备600V高反向耐压,提供1A连续正向电流能力,具有1.7V的正向导通电压。专为高频开关电源、逆变器和高压整流应用设计,实现快速反向恢复及高效能转换。紧凑型封装适合于现代电子设备的空间限制要求。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.0248
  • 6000+ ¥0.0244
  • 10000+ ¥0.0238
合计:¥49.60
标准包装数量:2000

ES2J 整流二极管/整流桥

  • 型号: ES2J
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 描述: 此款快恢复二极管采用SMA封装,专为高速开关与高效整流设计。具有600V的高反向耐压(VR)和2A的连续正向电流(IF),工作时VF仅为1.7V,确保低导通损耗。适用于高压、高频开关电源及变频器等场合,紧凑封装有利于空间节省和热管理优化,实现卓越的电路性能。
    描述: 此款快恢复二极管采用SMA封装,专为高速开关与高效整流设计。具有600V的高反向耐压(VR)和2A的连续正向电流(IF),工作时VF仅为1.7V,确保低导通损耗。适用于高压、高频开关电源及变频器等场合,紧凑封装有利于空间节省和热管理优化,实现卓越的电路性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.0407
  • 6000+ ¥0.04
  • 10000+ ¥0.039
合计:¥81.40
标准包装数量:2000

RS2M 整流二极管/整流桥

  • 型号: RS2M
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 描述: 此款SMA封装快恢复二极管,专为高压应用设计,提供1000V高反向耐压和2A正向电流能力。其具有快速恢复特性和1.3V正向导通电压VF,适用于开关电源、逆变器及其它需要高效能整流的高压电路中。
    描述: 此款SMA封装快恢复二极管,专为高压应用设计,提供1000V高反向耐压和2A正向电流能力。其具有快速恢复特性和1.3V正向导通电压VF,适用于开关电源、逆变器及其它需要高效能整流的高压电路中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.0359
  • 6000+ ¥0.0353
  • 10000+ ¥0.0344
合计:¥71.80
标准包装数量:2000

US2D 整流二极管/整流桥

  • 型号: US2D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 这款快恢复高效率二极管具有优秀的电气特性,其最大整流电流IF/A为2安培,能够承受最高200伏特的反向电压VR/V。在正向导通状态下,该二极管的电压降VF/V仅为1伏特,且在反向偏置时,漏电流IR/uA不超过5微安。此外,它还能承受峰值浪涌电流IFSM/A达60安培。这些特点使得它非常适合用于高频开关电源、逆变器电路以及其它需要快速切换状态的应用中,确保了电力转换过程中的高效与稳定。
    这款快恢复高效率二极管具有优秀的电气特性,其最大整流电流IF/A为2安培,能够承受最高200伏特的反向电压VR/V。在正向导通状态下,该二极管的电压降VF/V仅为1伏特,且在反向偏置时,漏电流IR/uA不超过5微安。此外,它还能承受峰值浪涌电流IFSM/A达60安培。这些特点使得它非常适合用于高频开关电源、逆变器电路以及其它需要快速切换状态的应用中,确保了电力转换过程中的高效与稳定。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.0536
  • 6000+ ¥0.0527
  • 10000+ ¥0.0514
合计:¥107.20
标准包装数量:2000

1N4007 整流二极管/整流桥

  • 型号: 1N4007
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 1N4007 通用二极管,采用 SMA 封装,提供 1A 的正向电流 (IF) 和 1000V 的反向电压 (VR)。其正向压降 (VF) 低至 1V,有助于减少热损耗,提高系统效率。反向漏电流 (IR) 低至 5μA,确保在关断状态下的低功耗。最大浪涌电流 (IFSM) 可达 30A,增强了器件的耐冲击能力。1N4007 是电源整流和保护电路的理想选择。
    1N4007 通用二极管,采用 SMA 封装,提供 1A 的正向电流 (IF) 和 1000V 的反向电压 (VR)。其正向压降 (VF) 低至 1V,有助于减少热损耗,提高系统效率。反向漏电流 (IR) 低至 5μA,确保在关断状态下的低功耗。最大浪涌电流 (IFSM) 可达 30A,增强了器件的耐冲击能力。1N4007 是电源整流和保护电路的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.024
  • 6000+ ¥0.0236
  • 10000+ ¥0.023
合计:¥48.00
标准包装数量:2000

ES5G 整流二极管/整流桥

  • 型号: ES5G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMB(DO-214AA)
  • 描述: 这款快恢复/高效率二极管具备5A的正向平均电流(IF)承载能力,同时能够承受最高400V的反向电压(VR)。其正向电压(VF)为1.25V,在确保高效能的同时,提供了较低的能量损耗。反向漏电流(IR)控制在5??A,体现了出色的绝缘性能。此外,瞬态正向浪涌电流(IFSM)可达120A,适合应用于要求快速切换频率及低能耗的场合,例如在精密电子设备中的电源管理模块或消费电子产品内的转换电路中。
    这款快恢复/高效率二极管具备5A的正向平均电流(IF)承载能力,同时能够承受最高400V的反向电压(VR)。其正向电压(VF)为1.25V,在确保高效能的同时,提供了较低的能量损耗。反向漏电流(IR)控制在5??A,体现了出色的绝缘性能。此外,瞬态正向浪涌电流(IFSM)可达120A,适合应用于要求快速切换频率及低能耗的场合,例如在精密电子设备中的电源管理模块或消费电子产品内的转换电路中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1332
  • 9000+ ¥0.131
  • 15000+ ¥0.1277
合计:¥399.60
标准包装数量:3000

US2M 整流二极管/整流桥

  • 型号: US2M
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMB(DO-214AA)
  • 描述: 50uA@1kV SMB(DO-214AA)
    50uA@1kV SMB(DO-214AA)
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0607
  • 9000+ ¥0.0597
  • 15000+ ¥0.0582
合计:¥182.10
标准包装数量:3000

US2G 整流二极管/整流桥

  • 型号: US2G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMB(DO-214AA)
  • 描述: 这款快恢复/高效率二极管具有2A的正向电流(IF)和400V的反向电压(VR),能够提供稳定可靠的性能。其正向电压降(VF)仅为1.3V,在大电流工作时能够减少能量损失,提高效率。该二极管的反向漏电流(IR)在室温下不超过5μA,表明其具有良好的反向阻断能力。瞬态正向浪涌电流(IFSM)最高可达60A,适合用于需要承受瞬间大电流冲击的应用中。此元件适用于多种电路保护和转换场合,如开关电源、整流电路等,能够帮助实现电路的高效能与稳定性。
    这款快恢复/高效率二极管具有2A的正向电流(IF)和400V的反向电压(VR),能够提供稳定可靠的性能。其正向电压降(VF)仅为1.3V,在大电流工作时能够减少能量损失,提高效率。该二极管的反向漏电流(IR)在室温下不超过5μA,表明其具有良好的反向阻断能力。瞬态正向浪涌电流(IFSM)最高可达60A,适合用于需要承受瞬间大电流冲击的应用中。此元件适用于多种电路保护和转换场合,如开关电源、整流电路等,能够帮助实现电路的高效能与稳定性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0642
  • 9000+ ¥0.0631
  • 15000+ ¥0.0615
合计:¥192.60
标准包装数量:3000

FR107 整流二极管/整流桥

  • 型号: FR107
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-123FL
  • 描述: 描述: 此款快恢复二极管采用SOD-123FL封装,专为高效率开关应用设计。具有高达1000V的反向耐压和1A正向电流容量,其快速恢复特性与1.3V的正向导通电压相结合,确保在高压逆变、高频转换及高效能电源保护场景下表现出色。
    描述: 此款快恢复二极管采用SOD-123FL封装,专为高效率开关应用设计。具有高达1000V的反向耐压和1A正向电流容量,其快速恢复特性与1.3V的正向导通电压相结合,确保在高压逆变、高频转换及高效能电源保护场景下表现出色。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.02
  • 9000+ ¥0.0197
  • 15000+ ¥0.0192
合计:¥60.00
标准包装数量:3000

FR107 整流二极管/整流桥

  • 型号: FR107
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 500ns 5uA@1kV SMA(DO-214AC)
    500ns 5uA@1kV SMA(DO-214AC)
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.0336
  • 6000+ ¥0.033
  • 6000+ ¥0.033
合计:¥67.20
标准包装数量:2000
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