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ABS210 整流二极管/整流桥

  • 型号: ABS210
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:ABS
  • 描述: 描述: 此款整流桥器件采用ABS封装工艺,专为高可靠性、高效能的电路设计。其卓越的VR1000V额定电压,确保在高压环境下稳定工作无虞。在1A电流下,VF仅为1V,展现超低正向压降特性,有效节省电力损耗,提高整体系统效率。此外,拥有强大的2A输出电流能力(IO: 2A),轻松应对大电流应用场景。这款半导体器件凭借出色的性能表现与节能优势,成为电源转换器、逆变器等电子设备的理想配置选择,为您的设备运行注入澎湃动力和持久稳定性。
    描述: 此款整流桥器件采用ABS封装工艺,专为高可靠性、高效能的电路设计。其卓越的VR1000V额定电压,确保在高压环境下稳定工作无虞。在1A电流下,VF仅为1V,展现超低正向压降特性,有效节省电力损耗,提高整体系统效率。此外,拥有强大的2A输出电流能力(IO: 2A),轻松应对大电流应用场景。这款半导体器件凭借出色的性能表现与节能优势,成为电源转换器、逆变器等电子设备的理想配置选择,为您的设备运行注入澎湃动力和持久稳定性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.0798
  • 15000+ ¥0.0785
  • 25000+ ¥0.0765
合计:¥399.00
标准包装数量:5000

MUR1560 整流二极管/整流桥

  • 型号: MUR1560
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220AC
  • 描述: 描述: 这款采用TO-220-2L封装的高性能快恢复二极管,具备600V高反向耐压和15A大电流处理能力,其正向导通电压VF为1.5V。特别适合于高功率开关电源、电机驱动及工业逆变器中的高效整流环节,提供快速恢复特性和卓越的浪涌承受力。
    描述: 这款采用TO-220-2L封装的高性能快恢复二极管,具备600V高反向耐压和15A大电流处理能力,其正向导通电压VF为1.5V。特别适合于高功率开关电源、电机驱动及工业逆变器中的高效整流环节,提供快速恢复特性和卓越的浪涌承受力。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.3392
  • 150+ ¥1.3169
  • 250+ ¥1.2834
合计:¥133.92
标准包装数量:50

GBU808 整流二极管/整流桥

  • 型号: GBU808
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款GBU封装的整流桥器件,专为高效能电子系统设计。其卓越性能体现在800V的直流反向耐压及8A的平均整流电流,确保在高电压大电流环境下稳定工作。正向压降低至1.1V@8A,有效降低功耗,提升系统效率。而反向电流仅为5uA@800V,展现出出色的阻断性能,适用于各类需要高品质半导体器件的应用场景。
    描述: 这款GBU封装的整流桥器件,专为高效能电子系统设计。其卓越性能体现在800V的直流反向耐压及8A的平均整流电流,确保在高电压大电流环境下稳定工作。正向压降低至1.1V@8A,有效降低功耗,提升系统效率。而反向电流仅为5uA@800V,展现出出色的阻断性能,适用于各类需要高品质半导体器件的应用场景。
  • 库   存:300000
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 500+ ¥0.625
  • 1500+ ¥0.6145
  • 2500+ ¥0.5989
合计:¥312.50
标准包装数量:500

KBJ1510 整流二极管/整流桥

  • 型号: KBJ1510
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:KBJ
  • 描述: 描述: 这款采用KBJ封装的高性能整流桥半导体器件,专为大电流、高效率应用设计。其关键特性包括VR耐压高达1000V,确保在严苛电压环境下稳定运行;VF值低至1.05V@4A,即使在中等电流下也能实现超低压降,显著提升电源转换效能与节能表现;额定输出电流IO高达15A,提供强劲而持久的大电流处理能力。广泛适用于各类高端电源系统以及逆变器中,是提升系统性能和可靠性的理想组件之选。
    描述: 这款采用KBJ封装的高性能整流桥半导体器件,专为大电流、高效率应用设计。其关键特性包括VR耐压高达1000V,确保在严苛电压环境下稳定运行;VF值低至1.05V@4A,即使在中等电流下也能实现超低压降,显著提升电源转换效能与节能表现;额定输出电流IO高达15A,提供强劲而持久的大电流处理能力。广泛适用于各类高端电源系统以及逆变器中,是提升系统性能和可靠性的理想组件之选。
  • 库   存:300000
  • 起订量:250
  • 增   量:250
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 250+ ¥1.032
  • 750+ ¥1.0148
  • 1250+ ¥0.989
合计:¥258.00
标准包装数量:250

DF1510S-T 整流二极管/整流桥

  • 型号: DF1510S-T
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款整流桥拥有1000V的高耐压特性及1.5A的额定电流,适用于需要稳定高压直流输出的各种场合。其正向压降仅为1.1V,有助于减少能量损失,提高效率。广泛适用于电源适配器、家用电器以及各种电子设备中,能够高效地完成交流电到直流电的转换,确保电路运行更加稳定可靠。
    此款整流桥拥有1000V的高耐压特性及1.5A的额定电流,适用于需要稳定高压直流输出的各种场合。其正向压降仅为1.1V,有助于减少能量损失,提高效率。广泛适用于电源适配器、家用电器以及各种电子设备中,能够高效地完成交流电到直流电的转换,确保电路运行更加稳定可靠。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1500
  • 增   量:1500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1500+ ¥0.9017
  • 4500+ ¥0.8867
  • 7500+ ¥0.8641
合计:¥1,352.55
标准包装数量:1500

US1G 整流二极管/整流桥

  • 型号: US1G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 描述: 该快恢复二极管采用SMA封装,具备400V高反向耐压和1A正向电流能力,拥有快速恢复时间及1.3V正向导通电压VF。适用于开关电源、高频逆变器等电路中,提供高效能的整流和续流功能。
    描述: 该快恢复二极管采用SMA封装,具备400V高反向耐压和1A正向电流能力,拥有快速恢复时间及1.3V正向导通电压VF。适用于开关电源、高频逆变器等电路中,提供高效能的整流和续流功能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.0294
  • 6000+ ¥0.0289
  • 10000+ ¥0.0282
合计:¥58.80
标准包装数量:2000

ES2G 整流二极管/整流桥

  • 型号: ES2G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 这款快恢复、高效率二极管具有稳定的性能,其最大正向电流IF为2A,能够承受最高400V的反向电压VR,适用于多种高压电路环境中。正向电压降VF仅为1.25V,有助于减少电力损耗,增强电路效率。在非导通状态下,反向漏电流IR低至5μA,有助于降低不必要的能耗。此外,它能够承受高达50A的瞬态峰值电流IFSM,确保了在突发电流情况下的可靠性和耐用性,适用于高频开关电源及其他注重效率与可靠性的电路设计。
    这款快恢复、高效率二极管具有稳定的性能,其最大正向电流IF为2A,能够承受最高400V的反向电压VR,适用于多种高压电路环境中。正向电压降VF仅为1.25V,有助于减少电力损耗,增强电路效率。在非导通状态下,反向漏电流IR低至5μA,有助于降低不必要的能耗。此外,它能够承受高达50A的瞬态峰值电流IFSM,确保了在突发电流情况下的可靠性和耐用性,适用于高频开关电源及其他注重效率与可靠性的电路设计。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.048
  • 6000+ ¥0.0472
  • 10000+ ¥0.046
合计:¥96.00
标准包装数量:2000

ES2D 整流二极管/整流桥

  • 型号: ES2D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 这款通用二极管具有2A的最大正向电流IF,能够处理较大的电流负载,同时具备200V的反向耐压VR,适合用于需要良好电压隔离性能的电路中。其正向电压降VF低至0.95V,有助于减少电力损耗,提升效率。在反向偏置条件下,漏电流IR不超过5微安,确保了二极管在关闭状态下的低功耗特性。瞬态峰值电流IFSM可达50A,表明它能在短时间内承受高电流冲击而不损坏,适用于高频脉冲和整流应用。该二极管是构建高效稳定电子电路的理想选择。
    这款通用二极管具有2A的最大正向电流IF,能够处理较大的电流负载,同时具备200V的反向耐压VR,适合用于需要良好电压隔离性能的电路中。其正向电压降VF低至0.95V,有助于减少电力损耗,提升效率。在反向偏置条件下,漏电流IR不超过5微安,确保了二极管在关闭状态下的低功耗特性。瞬态峰值电流IFSM可达50A,表明它能在短时间内承受高电流冲击而不损坏,适用于高频脉冲和整流应用。该二极管是构建高效稳定电子电路的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.0509
  • 6000+ ¥0.05
  • 10000+ ¥0.0488
合计:¥101.80
标准包装数量:2000

1N4007 整流二极管/整流桥

  • 型号: 1N4007
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMAF
  • 描述: 这款通用二极管提供1A的最大整流电流IF,支持高达1000V的反向电压VR,适用于需要高电压隔离的应用。其正向电压降VF为1.1V,有助于减少在正向导通状态下的功率损耗。在反向偏置条件下,反向饱和电流IR不超过5微安,确保了在无信号时的良好绝缘性能。此外,它能够承受瞬时30A的正向浪涌电流IFSM,使其成为消费电子产品中电源管理和信号整流的理想选择。
    这款通用二极管提供1A的最大整流电流IF,支持高达1000V的反向电压VR,适用于需要高电压隔离的应用。其正向电压降VF为1.1V,有助于减少在正向导通状态下的功率损耗。在反向偏置条件下,反向饱和电流IR不超过5微安,确保了在无信号时的良好绝缘性能。此外,它能够承受瞬时30A的正向浪涌电流IFSM,使其成为消费电子产品中电源管理和信号整流的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0239
  • 9000+ ¥0.0235
  • 15000+ ¥0.0229
合计:¥71.70
标准包装数量:3000

S2M 整流二极管/整流桥

  • 型号: S2M
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMB(DO-214AA)
  • 描述: 5uA@1kV SMB(DO-214AA)
    5uA@1kV SMB(DO-214AA)
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.046
  • 9000+ ¥0.0452
  • 15000+ ¥0.044
合计:¥138.00
标准包装数量:3000

S2M 整流二极管/整流桥

  • 型号: S2M
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 描述: 本款SMA封装通用二极管,具有1000V的高反向耐压和2A强大正向电流处理能力,其低至1.1V的正向导通电压VF确保了高效能表现。适用于各类电源整流、过压保护及大电流开关电路应用。
    描述: 本款SMA封装通用二极管,具有1000V的高反向耐压和2A强大正向电流处理能力,其低至1.1V的正向导通电压VF确保了高效能表现。适用于各类电源整流、过压保护及大电流开关电路应用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.0354
  • 6000+ ¥0.0348
  • 10000+ ¥0.0339
合计:¥70.80
标准包装数量:2000

ES1J 整流二极管/整流桥

  • 型号: ES1J
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-123FL
  • 描述: 30A 35ns 5μA 1A 独立式 SOD-123FL
    30A 35ns 5μA 1A 独立式 SOD-123FL
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0252
  • 9000+ ¥0.0248
  • 15000+ ¥0.0242
合计:¥75.60
标准包装数量:3000

ABS10 整流二极管/整流桥

  • 型号: ABS10
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:ABS
  • 描述: 描述: 这款整流桥器件封装采用ABS工艺,适用于对性能和效率有高要求的电路设计。其拥有VR1000V的额定电压,确保在高压条件下稳定运行。关键参数VF表现为1V@0.4A,即在0.4A电流下正向压降仅为1V,实现低功耗与高效能的完美结合。器件提供最大1A的输出电流(IO: 1A),适合各类中等电流应用场合。此款半导体整流桥凭借卓越的电气性能及节能特性,是电源适配器、驱动电路等电子设备的理想选择,助力提升您的设备整体性能与能源利用率。
    描述: 这款整流桥器件封装采用ABS工艺,适用于对性能和效率有高要求的电路设计。其拥有VR1000V的额定电压,确保在高压条件下稳定运行。关键参数VF表现为1V@0.4A,即在0.4A电流下正向压降仅为1V,实现低功耗与高效能的完美结合。器件提供最大1A的输出电流(IO: 1A),适合各类中等电流应用场合。此款半导体整流桥凭借卓越的电气性能及节能特性,是电源适配器、驱动电路等电子设备的理想选择,助力提升您的设备整体性能与能源利用率。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.0614
  • 15000+ ¥0.0604
  • 25000+ ¥0.0589
合计:¥307.00
标准包装数量:5000

DB207S 整流二极管/整流桥

  • 型号: DB207S
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DBS
  • 描述: 描述: 本款高性能整流桥采用先进的DBS封装技术,专为高效率、高稳定性的电路设计。其额定电压高达VR1000V,确保在严苛条件下稳定工作。在1.5A的工作电流下,正向压降仅为VF1.1V,有效降低功耗,提升系统能效。此外,拥有2A的输出电流能力(IO: 2A),充分满足大电流应用需求,是各类电源转换、逆变器等电子设备的理想选择。这款半导体器件以卓越性能与高效节能,助力您的设备运行更顺畅,表现更出色。
    描述: 本款高性能整流桥采用先进的DBS封装技术,专为高效率、高稳定性的电路设计。其额定电压高达VR1000V,确保在严苛条件下稳定工作。在1.5A的工作电流下,正向压降仅为VF1.1V,有效降低功耗,提升系统能效。此外,拥有2A的输出电流能力(IO: 2A),充分满足大电流应用需求,是各类电源转换、逆变器等电子设备的理想选择。这款半导体器件以卓越性能与高效节能,助力您的设备运行更顺畅,表现更出色。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1500
  • 增   量:1500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1500+ ¥0.168
  • 4500+ ¥0.1652
  • 7500+ ¥0.161
合计:¥252.00
标准包装数量:1500

GBU1510 整流二极管/整流桥

  • 型号: GBU1510
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 此款GBU封装整流桥器件,以其卓越的性能和稳定性脱颖而出。其具备1000V的高反向电压额定值(VR),即使在10A连续工作电流下,正向压降VF也能保持在低至1.05V,有效优化系统能效表现。同时,该器件具有强大的持续电流承载能力,高达15A(IO),确保了在严苛条件下仍能稳定可靠地运行。这款整流桥适用于各类高电压、大电流应用环境,是您电路设计的理想之选,助您实现高效稳定的电源转换。
    描述: 此款GBU封装整流桥器件,以其卓越的性能和稳定性脱颖而出。其具备1000V的高反向电压额定值(VR),即使在10A连续工作电流下,正向压降VF也能保持在低至1.05V,有效优化系统能效表现。同时,该器件具有强大的持续电流承载能力,高达15A(IO),确保了在严苛条件下仍能稳定可靠地运行。这款整流桥适用于各类高电压、大电流应用环境,是您电路设计的理想之选,助您实现高效稳定的电源转换。
  • 库   存:300000
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 500+ ¥0.6631
  • 1500+ ¥0.6521
  • 2500+ ¥0.6355
合计:¥331.55
标准包装数量:500

KBP310 整流二极管/整流桥

  • 型号: KBP310
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 此款半导体器件是一款采用KBP封装技术的整流桥,专为高效率、低损耗应用设计。其关键性能指标包括VR高达1000V,能有效应对严苛的电压环境,确保设备安全稳定;VF表现为1.1V@3A,意味着在3A的工作电流下,其压降极低,显著提升电源转换效率;额定工作电流IO为3A,提供持久稳定的电力传输能力。适用于各类要求严苛的电源系统、逆变器等电子设备,是提升系统效能和可靠性的理想之选。
    描述: 此款半导体器件是一款采用KBP封装技术的整流桥,专为高效率、低损耗应用设计。其关键性能指标包括VR高达1000V,能有效应对严苛的电压环境,确保设备安全稳定;VF表现为1.1V@3A,意味着在3A的工作电流下,其压降极低,显著提升电源转换效率;额定工作电流IO为3A,提供持久稳定的电力传输能力。适用于各类要求严苛的电源系统、逆变器等电子设备,是提升系统效能和可靠性的理想之选。
  • 库   存:300000
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 500+ ¥0.2756
  • 1500+ ¥0.271
  • 2500+ ¥0.2642
合计:¥137.80
标准包装数量:500

GBJ2510 整流二极管/整流桥

  • 型号: GBJ2510
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:GBJ
  • 描述: 描述: 此款GBJ封装整流桥器件,针对高功率、大电流应用进行了优化设计。拥有高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压条件下稳定可靠工作。其亮点在于,在12.5A连续电流下,正向压降VF低至1.05V,有助于提高电源转换效率并降低能耗。此外,该器件具备强大的电流处理能力,最大连续输出电流可达25A(IO),适应各类严苛的应用环境。这款整流桥是高性能、高稳定性电路设计的理想选择,助力您实现高效、安全的大电流电源转换。
    描述: 此款GBJ封装整流桥器件,针对高功率、大电流应用进行了优化设计。拥有高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压条件下稳定可靠工作。其亮点在于,在12.5A连续电流下,正向压降VF低至1.05V,有助于提高电源转换效率并降低能耗。此外,该器件具备强大的电流处理能力,最大连续输出电流可达25A(IO),适应各类严苛的应用环境。这款整流桥是高性能、高稳定性电路设计的理想选择,助力您实现高效、安全的大电流电源转换。
  • 库   存:300000
  • 起订量:250
  • 增   量:250
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 250+ ¥1.3968
  • 750+ ¥1.3735
  • 1250+ ¥1.3386
合计:¥349.20
标准包装数量:250

DB107S 整流二极管/整流桥

  • 型号: DB107S
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DBS
  • 描述: 描述: 这款DBS封装的整流桥器件,专为高效低耗电源转换应用打造。具备1000V的高反向电压额定值(VR),确保在高压条件下安全稳定运行。其独特优势在于1A电流下正向压降VF仅为1.1V,有效减少功耗并提升系统能效表现。此外,该器件支持最大连续输出电流1A(IO),提供卓越的低电流处理能力及稳定性。适用于各类小型化、高效率且需处理中等电压的应用场景,是您电路设计的理想选择,助力实现紧凑与性能兼备的电源解决方案。
    描述: 这款DBS封装的整流桥器件,专为高效低耗电源转换应用打造。具备1000V的高反向电压额定值(VR),确保在高压条件下安全稳定运行。其独特优势在于1A电流下正向压降VF仅为1.1V,有效减少功耗并提升系统能效表现。此外,该器件支持最大连续输出电流1A(IO),提供卓越的低电流处理能力及稳定性。适用于各类小型化、高效率且需处理中等电压的应用场景,是您电路设计的理想选择,助力实现紧凑与性能兼备的电源解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1500
  • 增   量:1500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1500+ ¥0.1351
  • 4500+ ¥0.1329
  • 7500+ ¥0.1295
合计:¥202.65
标准包装数量:1500

GBU610 整流二极管/整流桥

  • 型号: GBU610
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款GBU封装整流桥,属于高效率、低损耗的优质器件。其拥有1000V的卓越反向电压额定值(VR),在6A工作电流下,正向压降VF仅为1.05V,确保了设备在大电流运行时仍能保持较低能耗及高效能表现。最大连续输出电流高达6A(IO),保证了稳定可靠的电力传输。适用于各类高电压、大电流应用场景,是您电路设计的理想选择,助您实现性能与耐用性的完美结合。
    描述: 这款GBU封装整流桥,属于高效率、低损耗的优质器件。其拥有1000V的卓越反向电压额定值(VR),在6A工作电流下,正向压降VF仅为1.05V,确保了设备在大电流运行时仍能保持较低能耗及高效能表现。最大连续输出电流高达6A(IO),保证了稳定可靠的电力传输。适用于各类高电压、大电流应用场景,是您电路设计的理想选择,助您实现性能与耐用性的完美结合。
  • 库   存:300000
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合计:¥297.00
标准包装数量:500

KBU610 整流二极管/整流桥

  • 型号: KBU610
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款KBU封装的高品质整流桥器件,专为1000V高电压环境和大电流应用设计。凭借出色的耐压性能,可承受高达1000V的反向电压,确保系统稳定高效运行。在6A的工作电流下,其正向电压降低至1.1V,有效降低功耗并提升电力转换效率。此外,该器件具有卓越的电流承载能力,最大连续输出电流可达6A,适用于各类中大功率电源、电机驱动等领域。选择此款整流桥,您的设备将实现更高能效与更佳稳定性表现。
    描述: 这款KBU封装的高品质整流桥器件,专为1000V高电压环境和大电流应用设计。凭借出色的耐压性能,可承受高达1000V的反向电压,确保系统稳定高效运行。在6A的工作电流下,其正向电压降低至1.1V,有效降低功耗并提升电力转换效率。此外,该器件具有卓越的电流承载能力,最大连续输出电流可达6A,适用于各类中大功率电源、电机驱动等领域。选择此款整流桥,您的设备将实现更高能效与更佳稳定性表现。
  • 库   存:300000
  • 起订量:400
  • 增   量:400
  • 批   次:--
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    3-5工作日
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