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ES3G 整流二极管/整流桥

  • 型号: ES3G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMC(DO-214AB)
  • 描述: 这款快恢复/高效率二极管拥有3A的正向电流(IF)承载能力,以及400V的反向电压(VR)耐受性,适用于需要稳定电压和较大电流的应用。其正向压降(VF)仅为1.4V,在保证性能的同时降低了能耗。反向漏电流(IR)控制在5??A以内,体现了出色的绝缘特性。此外,它能承受高达80A的瞬时浪涌电流(IFSM),适合于需要应对突发电流冲击的场合,如开关电源和逆变器电路中的整流与保护环节。
    这款快恢复/高效率二极管拥有3A的正向电流(IF)承载能力,以及400V的反向电压(VR)耐受性,适用于需要稳定电压和较大电流的应用。其正向压降(VF)仅为1.4V,在保证性能的同时降低了能耗。反向漏电流(IR)控制在5??A以内,体现了出色的绝缘特性。此外,它能承受高达80A的瞬时浪涌电流(IFSM),适合于需要应对突发电流冲击的场合,如开关电源和逆变器电路中的整流与保护环节。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1505
  • 9000+ ¥0.148
  • 15000+ ¥0.1442
合计:¥451.50
标准包装数量:3000

DAP202KT146 整流二极管/整流桥

  • 型号: DAP202KT146
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款开关二极管,电流为0.1A,电压85V,压降1.2V,反向电流仅0.5uA,浪涌电流2A。适用于多种小型电子设备,可在电路中实现高效的开关功能。低反向电流确保电路稳定,浪涌电流能力强保证设备可靠运行。
    这款开关二极管,电流为0.1A,电压85V,压降1.2V,反向电流仅0.5uA,浪涌电流2A。适用于多种小型电子设备,可在电路中实现高效的开关功能。低反向电流确保电路稳定,浪涌电流能力强保证设备可靠运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0684
  • 9000+ ¥0.0673
  • 15000+ ¥0.0656
合计:¥205.20
标准包装数量:3000

BAV99S,115 整流二极管/整流桥

  • 型号: BAV99S,115
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款开关二极管具备0.15A的正向平均电流(IF/A),可承受高达75V的反向电压(VR/V)。其正向电压(VF/V)为1.25V,在反向条件下,其漏电流(IR/uA)不大于1微安。同时,该二极管支持瞬态正向电流(IFSM/A)达2.5A。适用于多种电子设备中的快速切换应用,如在音频或视频设备中提供可靠的信号隔离,或是在通信设备中用作数据线路保护。
    这款开关二极管具备0.15A的正向平均电流(IF/A),可承受高达75V的反向电压(VR/V)。其正向电压(VF/V)为1.25V,在反向条件下,其漏电流(IR/uA)不大于1微安。同时,该二极管支持瞬态正向电流(IFSM/A)达2.5A。适用于多种电子设备中的快速切换应用,如在音频或视频设备中提供可靠的信号隔离,或是在通信设备中用作数据线路保护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1016
  • 9000+ ¥0.0999
  • 15000+ ¥0.0974
合计:¥304.80
标准包装数量:3000

MB10S 整流二极管/整流桥

  • 型号: MB10S
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:MBS
  • 描述: 描述: 此款MBS封装整流桥器件,拥有1000V的高直流反向耐压性能,能有效应对高压环境下的电路保护需求。其平均整流电流为0.8A,满足中低功率设备的电流处理要求。在0.4A工作电流下,正向压降仅为1V,确保了较低的能量损耗和更高的工作效率。同时,反向电流控制在5uA@1000V,显示了卓越的绝缘特性,是各类需要稳定、高效整流解决方案的理想选择。
    描述: 此款MBS封装整流桥器件,拥有1000V的高直流反向耐压性能,能有效应对高压环境下的电路保护需求。其平均整流电流为0.8A,满足中低功率设备的电流处理要求。在0.4A工作电流下,正向压降仅为1V,确保了较低的能量损耗和更高的工作效率。同时,反向电流控制在5uA@1000V,显示了卓越的绝缘特性,是各类需要稳定、高效整流解决方案的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0491
  • 9000+ ¥0.0483
  • 15000+ ¥0.047
合计:¥147.30
标准包装数量:3000

ES3D 整流二极管/整流桥

  • 型号: ES3D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMB(DO-214AA)
  • 描述: 这款快恢复、高效率二极管具备3安培的平均正向电流(IF/A),能够承受高达200伏特的反向电压(VR/V)。其正向电压降(VF/V)仅为1伏特,在保证性能的同时降低了能耗。在反向偏置下,该二极管的漏电流(IR/uA)控制在5微安,有效减少了非工作状态下的电能浪费。此外,它还能承受瞬间高达80安培的正向浪涌电流(IFSM/A),增强了在不稳定条件下的可靠性和耐用性。此二极管适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要快速开关特性的电子装置中。
    这款快恢复、高效率二极管具备3安培的平均正向电流(IF/A),能够承受高达200伏特的反向电压(VR/V)。其正向电压降(VF/V)仅为1伏特,在保证性能的同时降低了能耗。在反向偏置下,该二极管的漏电流(IR/uA)控制在5微安,有效减少了非工作状态下的电能浪费。此外,它还能承受瞬间高达80安培的正向浪涌电流(IFSM/A),增强了在不稳定条件下的可靠性和耐用性。此二极管适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要快速开关特性的电子装置中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.096
  • 9000+ ¥0.0944
  • 15000+ ¥0.092
合计:¥288.00
标准包装数量:3000

US2G 整流二极管/整流桥

  • 型号: US2G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 此款快恢复/高效率二极管具有2A的最大正向电流(IF),可承受高达400V的反向电压(VR),适用于需要高电压隔离的应用场景。其正向压降(VF)为1.3V,在保证性能的同时降低了能耗。反向漏电流(IR)仅为5??A,体现了出色的阻断能力。瞬态正向浪涌电流(IFSM)达到60A,意味着它可以应对瞬间的电流峰值。该二极管适用于高频开关电源以及其他需要快速开关动作和低能量损耗的电子设备中,帮助优化电路性能和效率。
    此款快恢复/高效率二极管具有2A的最大正向电流(IF),可承受高达400V的反向电压(VR),适用于需要高电压隔离的应用场景。其正向压降(VF)为1.3V,在保证性能的同时降低了能耗。反向漏电流(IR)仅为5??A,体现了出色的阻断能力。瞬态正向浪涌电流(IFSM)达到60A,意味着它可以应对瞬间的电流峰值。该二极管适用于高频开关电源以及其他需要快速开关动作和低能量损耗的电子设备中,帮助优化电路性能和效率。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.05
  • 6000+ ¥0.0492
  • 10000+ ¥0.048
合计:¥100.00
标准包装数量:2000

S3M 整流二极管/整流桥

  • 型号: S3M
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMB(DO-214AA)
  • 描述: 描述: 这款SMB封装肖特基二极管具有出色的电气性能,专为高电压应用设计。额定反向耐压高达1000V,提供3A的正向电流承载能力,并且拥有仅为1.1V的超低正向压降VF,确保高效能和快速恢复时间,广泛应用于电源整流、高频开关电路及高压保护场景。
    描述: 这款SMB封装肖特基二极管具有出色的电气性能,专为高电压应用设计。额定反向耐压高达1000V,提供3A的正向电流承载能力,并且拥有仅为1.1V的超低正向压降VF,确保高效能和快速恢复时间,广泛应用于电源整流、高频开关电路及高压保护场景。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0576
  • 9000+ ¥0.0566
  • 15000+ ¥0.0552
合计:¥172.80
标准包装数量:3000

US2D 整流二极管/整流桥

  • 型号: US2D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMB(DO-214AA)
  • 描述: 这款快恢复/高效率二极管设计紧凑,具备2安培的最大正向电流(IF),并且能够承受最高200伏特的反向电压(VR),确保了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向压降(VF)为1伏特,在大电流通过时能量损失较小。其反向漏电流(IR)控制在微安级别(5微安),表明在关闭状态下几乎无电流泄露,有助于提高系统的整体效率。瞬态正向浪涌电流(IFSM)可达60安培,表明它能短暂处理超出正常操作范围的大电流冲击。这些特性使其非常适合用于高频开关电源以及需要快速开关特性的电路中,以减少能量损耗并提升转换效率。
    这款快恢复/高效率二极管设计紧凑,具备2安培的最大正向电流(IF),并且能够承受最高200伏特的反向电压(VR),确保了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向压降(VF)为1伏特,在大电流通过时能量损失较小。其反向漏电流(IR)控制在微安级别(5微安),表明在关闭状态下几乎无电流泄露,有助于提高系统的整体效率。瞬态正向浪涌电流(IFSM)可达60安培,表明它能短暂处理超出正常操作范围的大电流冲击。这些特性使其非常适合用于高频开关电源以及需要快速开关特性的电路中,以减少能量损耗并提升转换效率。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0577
  • 9000+ ¥0.0568
  • 15000+ ¥0.0553
合计:¥173.10
标准包装数量:3000

1N4007W 整流二极管/整流桥

  • 型号: 1N4007W
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOD-123FL
  • 描述: 这款通用二极管支持1A的正向电流与1000V的反向电压,正向压降为1.1V。其反向饱和电流在室温下为5??A,并可承受30A的瞬态浪涌电流。这些特性使其成为多种高电压应用的理想选择,如电源整流、信号检波及过压保护等,确保了电子产品的稳定运行。
    这款通用二极管支持1A的正向电流与1000V的反向电压,正向压降为1.1V。其反向饱和电流在室温下为5??A,并可承受30A的瞬态浪涌电流。这些特性使其成为多种高电压应用的理想选择,如电源整流、信号检波及过压保护等,确保了电子产品的稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0209
  • 9000+ ¥0.0205
  • 15000+ ¥0.02
合计:¥62.70
标准包装数量:3000

GBU808 整流二极管/整流桥

  • 型号: GBU808
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款GBU封装的整流桥器件,专为高效能电子系统设计。其卓越性能体现在800V的直流反向耐压及8A的平均整流电流,确保在高电压大电流环境下稳定工作。正向压降低至1.1V@8A,有效降低功耗,提升系统效率。而反向电流仅为5uA@800V,展现出出色的阻断性能,适用于各类需要高品质半导体器件的应用场景。
    描述: 这款GBU封装的整流桥器件,专为高效能电子系统设计。其卓越性能体现在800V的直流反向耐压及8A的平均整流电流,确保在高电压大电流环境下稳定工作。正向压降低至1.1V@8A,有效降低功耗,提升系统效率。而反向电流仅为5uA@800V,展现出出色的阻断性能,适用于各类需要高品质半导体器件的应用场景。
  • 库   存:300000
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 500+ ¥0.625
  • 1500+ ¥0.6145
  • 2500+ ¥0.5989
合计:¥312.50
标准包装数量:500

DF1510S-T 整流二极管/整流桥

  • 型号: DF1510S-T
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款整流桥拥有1000V的高耐压特性及1.5A的额定电流,适用于需要稳定高压直流输出的各种场合。其正向压降仅为1.1V,有助于减少能量损失,提高效率。广泛适用于电源适配器、家用电器以及各种电子设备中,能够高效地完成交流电到直流电的转换,确保电路运行更加稳定可靠。
    此款整流桥拥有1000V的高耐压特性及1.5A的额定电流,适用于需要稳定高压直流输出的各种场合。其正向压降仅为1.1V,有助于减少能量损失,提高效率。广泛适用于电源适配器、家用电器以及各种电子设备中,能够高效地完成交流电到直流电的转换,确保电路运行更加稳定可靠。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1500
  • 增   量:1500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1500+ ¥0.9017
  • 4500+ ¥0.8867
  • 7500+ ¥0.8641
合计:¥1,352.55
标准包装数量:1500

KBJ1510 整流二极管/整流桥

  • 型号: KBJ1510
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:KBJ
  • 描述: 描述: 这款采用KBJ封装的高性能整流桥半导体器件,专为大电流、高效率应用设计。其关键特性包括VR耐压高达1000V,确保在严苛电压环境下稳定运行;VF值低至1.05V@4A,即使在中等电流下也能实现超低压降,显著提升电源转换效能与节能表现;额定输出电流IO高达15A,提供强劲而持久的大电流处理能力。广泛适用于各类高端电源系统以及逆变器中,是提升系统性能和可靠性的理想组件之选。
    描述: 这款采用KBJ封装的高性能整流桥半导体器件,专为大电流、高效率应用设计。其关键特性包括VR耐压高达1000V,确保在严苛电压环境下稳定运行;VF值低至1.05V@4A,即使在中等电流下也能实现超低压降,显著提升电源转换效能与节能表现;额定输出电流IO高达15A,提供强劲而持久的大电流处理能力。广泛适用于各类高端电源系统以及逆变器中,是提升系统性能和可靠性的理想组件之选。
  • 库   存:300000
  • 起订量:250
  • 增   量:250
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 250+ ¥1.032
  • 750+ ¥1.0148
  • 1250+ ¥0.989
合计:¥258.00
标准包装数量:250

MUR1560 整流二极管/整流桥

  • 型号: MUR1560
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220AC
  • 描述: 描述: 这款采用TO-220-2L封装的高性能快恢复二极管,具备600V高反向耐压和15A大电流处理能力,其正向导通电压VF为1.5V。特别适合于高功率开关电源、电机驱动及工业逆变器中的高效整流环节,提供快速恢复特性和卓越的浪涌承受力。
    描述: 这款采用TO-220-2L封装的高性能快恢复二极管,具备600V高反向耐压和15A大电流处理能力,其正向导通电压VF为1.5V。特别适合于高功率开关电源、电机驱动及工业逆变器中的高效整流环节,提供快速恢复特性和卓越的浪涌承受力。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.3392
  • 150+ ¥1.3169
  • 250+ ¥1.2834
合计:¥133.92
标准包装数量:50

US1G 整流二极管/整流桥

  • 型号: US1G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 描述: 描述: 该快恢复二极管采用SMA封装,具备400V高反向耐压和1A正向电流能力,拥有快速恢复时间及1.3V正向导通电压VF。适用于开关电源、高频逆变器等电路中,提供高效能的整流和续流功能。
    描述: 该快恢复二极管采用SMA封装,具备400V高反向耐压和1A正向电流能力,拥有快速恢复时间及1.3V正向导通电压VF。适用于开关电源、高频逆变器等电路中,提供高效能的整流和续流功能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.0294
  • 6000+ ¥0.0289
  • 10000+ ¥0.0282
合计:¥58.80
标准包装数量:2000

KBL410 整流二极管/整流桥

  • 型号: KBL410
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款采用KBL封装的半导体整流桥器件,专为高效能、低损耗应用打造。其主要特性包括VR最高耐压高达1000V,确保在高压条件下稳定可靠运行;VF表现卓越,仅1.1V@4A,即使在4A的工作电流下也能保持极低电压降,有效提升电源转换效率并减少能耗;额定电流IO为4A,提供强大且稳定的电流处理能力。广泛应用于各类电源系统、逆变器等电子设备中,助力提升整体性能与稳定性。
    描述: 这款采用KBL封装的半导体整流桥器件,专为高效能、低损耗应用打造。其主要特性包括VR最高耐压高达1000V,确保在高压条件下稳定可靠运行;VF表现卓越,仅1.1V@4A,即使在4A的工作电流下也能保持极低电压降,有效提升电源转换效率并减少能耗;额定电流IO为4A,提供强大且稳定的电流处理能力。广泛应用于各类电源系统、逆变器等电子设备中,助力提升整体性能与稳定性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 500+ ¥0.586
  • 1500+ ¥0.5762
  • 2500+ ¥0.5615
合计:¥293.00
标准包装数量:500

GBJ3510 整流二极管/整流桥

  • 型号: GBJ3510
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:GBJ
  • 描述: 描述: 这款GBJ封装的高性能整流桥,专为高功率、大电流应用场合打造。具备1000V的卓越反向电压额定值(VR),确保在高压环境下稳定运行。其特色在于,在12.5A工作电流下正向压降VF低至1.05V,有效提升电源转换效率并降低功耗。更值得关注的是,器件拥有强大的瞬态峰值电流承载能力高达30A(IO),确保在极端条件下仍能提供卓越的性能表现。适用于各类需要处理极高电流强度及高电压的电路设计,是您构建高效、可靠电源系统的理想选择。
    描述: 这款GBJ封装的高性能整流桥,专为高功率、大电流应用场合打造。具备1000V的卓越反向电压额定值(VR),确保在高压环境下稳定运行。其特色在于,在12.5A工作电流下正向压降VF低至1.05V,有效提升电源转换效率并降低功耗。更值得关注的是,器件拥有强大的瞬态峰值电流承载能力高达30A(IO),确保在极端条件下仍能提供卓越的性能表现。适用于各类需要处理极高电流强度及高电压的电路设计,是您构建高效、可靠电源系统的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:250
  • 增   量:250
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 250+ ¥1.5676
  • 750+ ¥1.5414
  • 1250+ ¥1.5022
合计:¥391.90
标准包装数量:250

KBL610 整流二极管/整流桥

  • 型号: KBL610
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 此款半导体器件是一款采用KBL封装技术的高耐压整流桥,专为大电流、高效能应用场景设计。其核心参数包括VR最高耐受电压1000V,确保在严苛高压环境下也能保持稳定运行;VF特性表现为1.1V@6A,即使在6A满载电流下,仍能维持超低压降,极大提高能源转换效率与节能效果;额定输出电流IO达到6A,提供强劲且持久的电力处理能力。适用于各类高端电源系统、逆变器等大电流电子设备,是提升整体性能和可靠性的理想元件选择。
    描述: 此款半导体器件是一款采用KBL封装技术的高耐压整流桥,专为大电流、高效能应用场景设计。其核心参数包括VR最高耐受电压1000V,确保在严苛高压环境下也能保持稳定运行;VF特性表现为1.1V@6A,即使在6A满载电流下,仍能维持超低压降,极大提高能源转换效率与节能效果;额定输出电流IO达到6A,提供强劲且持久的电力处理能力。适用于各类高端电源系统、逆变器等大电流电子设备,是提升整体性能和可靠性的理想元件选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 500+ ¥0.5856
  • 1500+ ¥0.5758
  • 2500+ ¥0.5612
合计:¥292.80
标准包装数量:500

GBP310 整流二极管/整流桥

  • 型号: GBP310
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款GBP封装整流桥器件,专为在高电压环境下提供高效稳定的电源转换而设计。拥有高达1000V的反向电压额定值(VR),确保了在严苛条件下仍能可靠运行。其独特优势在于,在2A工作电流下正向压降VF低至1.1V,有效降低功耗并优化系统效率。尽管以低电流性能出色,该器件的最大连续输出电流可达3A(IO),展现出良好的电流处理能力。适用于各类需要处理高电压、中等电流的应用场景,是您电路设计的理想选择,助力实现高性能与高稳定性的完美融合。
    描述: 这款GBP封装整流桥器件,专为在高电压环境下提供高效稳定的电源转换而设计。拥有高达1000V的反向电压额定值(VR),确保了在严苛条件下仍能可靠运行。其独特优势在于,在2A工作电流下正向压降VF低至1.1V,有效降低功耗并优化系统效率。尽管以低电流性能出色,该器件的最大连续输出电流可达3A(IO),展现出良好的电流处理能力。适用于各类需要处理高电压、中等电流的应用场景,是您电路设计的理想选择,助力实现高性能与高稳定性的完美融合。
  • 库   存:300000
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 500+ ¥0.2507
  • 1500+ ¥0.2465
  • 2500+ ¥0.2402
合计:¥125.35
标准包装数量:500

KBP410 整流二极管/整流桥

  • 型号: KBP410
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 此款半导体器件是一款高性能整流桥,采用先进的封装技术——KBP封装,体积小巧,热性能优良。其主要规格包括VR高达1000V,能有效抵抗高电压冲击,保证设备稳定运行;VF低至1.1V@4A,意味着在4A的工作电流下,压降极小,功率损耗低,节能效果显著;额定输出电流IO为4A,提供强大而稳定的电力转换能力。本产品是各类高端电源系统、逆变器等电子设备的理想选择,助力提升系统效率及可靠性。
    描述: 此款半导体器件是一款高性能整流桥,采用先进的封装技术——KBP封装,体积小巧,热性能优良。其主要规格包括VR高达1000V,能有效抵抗高电压冲击,保证设备稳定运行;VF低至1.1V@4A,意味着在4A的工作电流下,压降极小,功率损耗低,节能效果显著;额定输出电流IO为4A,提供强大而稳定的电力转换能力。本产品是各类高端电源系统、逆变器等电子设备的理想选择,助力提升系统效率及可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 500+ ¥0.3482
  • 1500+ ¥0.3424
  • 2500+ ¥0.3337
合计:¥174.10
标准包装数量:500

GBL610 整流二极管/整流桥

  • 型号: GBL610
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款GBL封装整流桥器件,专为高效率电源转换应用设计。具有1000V的高强度反向电压额定值(VR),确保在严苛高压环境下稳定工作。其特性在于3A电流下的正向压降VF仅为1.1V,有效减少能耗并提升系统性能表现。器件具备出色的电流处理能力,最大连续输出电流可达6A(IO),确保在中等至大电流应用场合下持续高效运作。适用于各类要求高电压、高可靠性的电路设计,是您实现优质电源转换的理想选择。
    描述: 这款GBL封装整流桥器件,专为高效率电源转换应用设计。具有1000V的高强度反向电压额定值(VR),确保在严苛高压环境下稳定工作。其特性在于3A电流下的正向压降VF仅为1.1V,有效减少能耗并提升系统性能表现。器件具备出色的电流处理能力,最大连续输出电流可达6A(IO),确保在中等至大电流应用场合下持续高效运作。适用于各类要求高电压、高可靠性的电路设计,是您实现优质电源转换的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:500
  • 增   量:500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 500+ ¥0.5556
  • 1500+ ¥0.5463
  • 1500+ ¥0.5463
合计:¥277.80
标准包装数量:500
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