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GC2M0080120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0080120K
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 36A\nPd-功耗: 192W
    沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 36A\nPd-功耗: 192W
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥23.205
  • 30+ ¥21.42
  • 90+ ¥20.5275
  • 150+ ¥19.635
  • 570+ ¥18.7425
合计:¥116.03
标准包装数量:30

GC3M0060065D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0060065D
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 650V\nId-漏极电流(25℃): 29A\nPd-功耗: 150W
    沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 650V\nId-漏极电流(25℃): 29A\nPd-功耗: 150W
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥24.57
  • 30+ ¥22.68
  • 90+ ¥21.735
  • 150+ ¥20.79
  • 540+ ¥19.845
合计:¥122.85
标准包装数量:30

GC3M0160120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0160120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: \n封装: TO-247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 17A\nPd-功耗: 97W\n类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)\n编号: C7435047\n详细: 数据手册\n领券 16-15
    \n封装: TO-247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 17A\nPd-功耗: 97W\n类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)\n编号: C7435047\n详细: 数据手册\n领券 16-15
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥23.205
  • 30+ ¥21.42
  • 90+ ¥20.5275
  • 150+ ¥19.635
  • 570+ ¥18.7425
合计:¥116.03
标准包装数量:30

GC3M0032120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0032120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 63A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 63A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥47.84
  • 30+ ¥44.16
  • 90+ ¥42.32
  • 150+ ¥40.48
  • 300+ ¥38.64
合计:¥239.20
标准包装数量:30

GC2M0025120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0025120D
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 90A\nPd-功耗: 378W
    沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 90A\nPd-功耗: 378W
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥109.2
  • 30+ ¥100.8
  • 60+ ¥96.6
  • 90+ ¥92.4
  • 120+ ¥88.2
合计:¥546.00
标准包装数量:30

GC2M0045170D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0045170D
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1700V\nId-漏极电流(25℃): 72A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1700V\nId-漏极电流(25℃): 72A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥179.4
  • 30+ ¥165.6
  • 60+ ¥158.7
  • 90+ ¥151.8
  • 120+ ¥144.9
合计:¥897.00
标准包装数量:30

GC3M0065100K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0065100K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1000V\nId-漏极电流(25℃): 32A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1000V\nId-漏极电流(25℃): 32A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥31.395
  • 30+ ¥28.98
  • 90+ ¥27.7725
  • 150+ ¥26.565
  • 420+ ¥25.3575
合计:¥156.98
标准包装数量:30

GC3M0075120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0075120K
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 32A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 32A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.84
  • 30+ ¥20.16
  • 90+ ¥19.32
  • 150+ ¥18.48
  • 600+ ¥17.64
合计:¥109.20
标准包装数量:30

GC3M0065090D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0065090D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 900V\nId-漏极电流(25℃): 36A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 900V\nId-漏极电流(25℃): 36A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥27.3
  • 30+ ¥25.2
  • 90+ ¥24.15
  • 150+ ¥23.1
  • 150+ ¥23.1
合计:¥136.50
标准包装数量:30
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