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GC2M0280120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0280120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 11A
    \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 11A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥27.3
  • 30+ ¥25.2
  • 90+ ¥24.15
  • 150+ ¥23.1
  • 480+ ¥22.05
合计:¥136.50
标准包装数量:30

GC3M0015065D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0015065D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 类型: 1个N沟道\n漏源电压(Vdss): 650V\n连续漏极电流(Id): 120A\n功率(Pd): 416W
    类型: 1个N沟道\n漏源电压(Vdss): 650V\n连续漏极电流(Id): 120A\n功率(Pd): 416W
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥61.425
  • 30+ ¥56.7
  • 90+ ¥54.3375
  • 150+ ¥51.975
  • 240+ ¥49.6125
合计:¥307.13
标准包装数量:30

GC2M0040120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0040120D
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 55A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 55A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥35.49
  • 30+ ¥32.76
  • 90+ ¥31.395
  • 150+ ¥30.03
  • 390+ ¥28.665
合计:¥177.45
标准包装数量:30

GC3M0015065K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0015065K
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 类型: 1个N沟道\n漏源电压(Vdss): 650V\n连续漏极电流(Id): 120A\n功率(Pd): 416W
    类型: 1个N沟道\n漏源电压(Vdss): 650V\n连续漏极电流(Id): 120A\n功率(Pd): 416W
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥61.425
  • 30+ ¥56.7
  • 90+ ¥54.3375
  • 150+ ¥51.975
  • 240+ ¥49.6125
合计:¥307.13
标准包装数量:30

GC3M0016120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0016120D
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 115A\nPd-功耗: 556W
    沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 115A\nPd-功耗: 556W
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥95.55
  • 30+ ¥88.2
  • 60+ ¥84.525
  • 90+ ¥80.85
  • 150+ ¥77.175
合计:¥477.75
标准包装数量:30

GC3M0021120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0021120D
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 8
    沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 8
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥163.8
  • 30+ ¥151.2
  • 60+ ¥144.9
  • 90+ ¥138.6
  • 120+ ¥132.3
合计:¥819.00
标准包装数量:30

GC3M0032120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0032120K
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 63A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 63A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥46.41
  • 30+ ¥42.84
  • 90+ ¥41.055
  • 150+ ¥39.27
  • 300+ ¥37.485
合计:¥232.05
标准包装数量:30

GC3M0040120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0040120K
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 66A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 66A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥46.41
  • 30+ ¥42.84
  • 90+ ¥41.055
  • 150+ ¥39.27
  • 300+ ¥37.485
合计:¥232.05
标准包装数量:30

GC2M0160120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0160120K
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 18A\nPd-功耗: 125W
    沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 18A\nPd-功耗: 125W
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥16.38
  • 30+ ¥15.12
  • 90+ ¥14.49
  • 150+ ¥13.86
  • 810+ ¥13.23
合计:¥81.90
标准包装数量:30

GC3M0060065K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0060065K
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 650V\nId-漏极电流(25℃): 37A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 650V\nId-漏极电流(25℃): 37A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥24.7
  • 30+ ¥22.8
  • 90+ ¥21.85
  • 150+ ¥20.9
  • 540+ ¥19.95
合计:¥123.50
标准包装数量:30

GC3M0075120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0075120D
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 32A\n类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)\n编号: C7435045\n详细: 数据手册\n领券 16-15
    \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 32A\n类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)\n编号: C7435045\n详细: 数据手册\n领券 16-15
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.84
  • 30+ ¥20.16
  • 90+ ¥19.32
  • 150+ ¥18.48
  • 600+ ¥17.64
合计:¥109.20
标准包装数量:30

GC3M0120090D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0120090D
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 900V\nId-漏极电流(25℃): 25A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 900V\nId-漏极电流(25℃): 25A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥24.57
  • 30+ ¥22.68
  • 90+ ¥21.735
  • 150+ ¥20.79
  • 540+ ¥19.845
合计:¥122.85
标准包装数量:30

GC2M1000170D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M1000170D
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1700V\nId-漏极电流(25℃): 5A
    \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1700V\nId-漏极电流(25℃): 5A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥10.92
  • 30+ ¥10.08
  • 90+ ¥9.66
  • 150+ ¥9.24
  • 1200+ ¥8.82
合计:¥54.60
标准包装数量:30

GC3M0120100K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0120100K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1000V\nId-漏极电流(25℃): 22A\nPd-功耗: 83W
    沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1000V\nId-漏极电流(25℃): 22A\nPd-功耗: 83W
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥38.22
  • 30+ ¥35.28
  • 90+ ¥33.81
  • 150+ ¥32.34
  • 360+ ¥30.87
合计:¥191.10
标准包装数量:30

GC2M0080120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0080120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 36A\nPd-功耗: 192W
    \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 36A\nPd-功耗: 192W
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.164
  • 30+ ¥19.536
  • 90+ ¥18.722
  • 150+ ¥17.908
  • 630+ ¥17.094
合计:¥105.82
标准包装数量:30

GC2M0160120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0160120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: \n封装: TO-247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 18A
    \n封装: TO-247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 18A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥16.9
  • 30+ ¥15.6
  • 90+ ¥14.95
  • 150+ ¥14.3
  • 780+ ¥13.65
合计:¥84.50
标准包装数量:30

GC3M0280090D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0280090D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 900V\nId-漏极电流(25℃): 10.2A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 900V\nId-漏极电流(25℃): 10.2A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥25.935
  • 30+ ¥23.94
  • 90+ ¥22.9425
  • 150+ ¥21.945
  • 510+ ¥20.9475
合计:¥129.68
标准包装数量:30

GC3M0040120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0040120D
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 66A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 66A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥49.14
  • 30+ ¥45.36
  • 90+ ¥43.47
  • 150+ ¥41.58
  • 270+ ¥39.69
合计:¥245.70
标准包装数量:30

GC3M0080120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0080120K
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: \n封装类型:TO247-4\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 36A
    \n封装类型:TO247-4\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 36A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.84
  • 30+ ¥20.16
  • 90+ ¥19.32
  • 150+ ¥18.48
  • 600+ ¥17.64
合计:¥109.20
标准包装数量:30

GC3M0021120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0021120K
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 100A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 100A
  • 库   存:3000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥86.25
  • 30+ ¥82.8
  • 150+ ¥81.42
  • 150+ ¥81.42
合计:¥431.25
标准包装数量:30
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