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GC3M0016120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0016120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 115A\nPd-功耗: 556W
    沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 115A\nPd-功耗: 556W
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥95.55
  • 450+ ¥88.2
  • 900+ ¥86.73
  • 1800+ ¥84.525
合计:¥955.50
标准包装数量:450

GC3M0021120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0021120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 8
    沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 8
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥163.8
  • 450+ ¥151.2
  • 900+ ¥148.68
  • 1800+ ¥144.9
合计:¥1,638.00
标准包装数量:450

GC2M0040120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0040120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 55A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 55A
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥35.49
  • 450+ ¥32.76
  • 900+ ¥32.214
  • 1800+ ¥31.395
合计:¥354.90
标准包装数量:450

GC3M0040120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0040120K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 66A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 66A
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥46.41
  • 450+ ¥42.84
  • 900+ ¥42.126
  • 1800+ ¥41.055
合计:¥464.10
标准包装数量:450

GC3M0015065D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0015065D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 类型: 1个N沟道\n漏源电压(Vdss): 650V\n连续漏极电流(Id): 120A\n功率(Pd): 416W
    类型: 1个N沟道\n漏源电压(Vdss): 650V\n连续漏极电流(Id): 120A\n功率(Pd): 416W
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥61.425
  • 450+ ¥56.7
  • 900+ ¥55.755
  • 1800+ ¥54.3375
合计:¥614.25
标准包装数量:450

GC2M0280120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0280120D
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 11A
    \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 11A
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥27.3
  • 450+ ¥25.2
  • 900+ ¥24.78
  • 1800+ ¥24.15
合计:¥273.00
标准包装数量:450

GC3M0032120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0032120K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 63A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 63A
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥46.41
  • 450+ ¥42.84
  • 900+ ¥42.126
  • 1800+ ¥41.055
合计:¥464.10
标准包装数量:450

GC3M0060065K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0060065K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 650V\nId-漏极电流(25℃): 37A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 650V\nId-漏极电流(25℃): 37A
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥31.122
  • 450+ ¥28.728
  • 900+ ¥28.2492
  • 1800+ ¥27.531
合计:¥311.22
标准包装数量:450

GC3M0075120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0075120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 32A\n类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)\n编号: C7435045\n详细: 数据手册\n领券 16-15
    \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 32A\n类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)\n编号: C7435045\n详细: 数据手册\n领券 16-15
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥21.84
  • 450+ ¥20.16
  • 900+ ¥19.824
  • 1800+ ¥19.32
合计:¥218.40
标准包装数量:450

GC2M0160120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0160120K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 18A\nPd-功耗: 125W
    沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 18A\nPd-功耗: 125W
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥16.38
  • 450+ ¥15.12
  • 900+ ¥14.868
  • 1800+ ¥14.49
合计:¥163.80
标准包装数量:450

GC3M0120100K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0120100K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1000V\nId-漏极电流(25℃): 22A\nPd-功耗: 83W
    沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1000V\nId-漏极电流(25℃): 22A\nPd-功耗: 83W
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥38.22
  • 450+ ¥35.28
  • 900+ ¥34.692
  • 1800+ ¥33.81
合计:¥382.20
标准包装数量:450

GC2M0160120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0160120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: \n封装: TO-247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 18A
    \n封装: TO-247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 18A
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥16.9
  • 450+ ¥15.6
  • 900+ ¥15.34
  • 1800+ ¥14.95
合计:¥169.00
标准包装数量:450

GC3M0280090D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0280090D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 900V\nId-漏极电流(25℃): 10.2A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 900V\nId-漏极电流(25℃): 10.2A
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥25.935
  • 450+ ¥23.94
  • 900+ ¥23.541
  • 1800+ ¥22.9425
合计:¥259.35
标准包装数量:450

GC3M0120090D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0120090D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 900V\nId-漏极电流(25℃): 25A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 900V\nId-漏极电流(25℃): 25A
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥24.57
  • 450+ ¥22.68
  • 900+ ¥22.302
  • 1800+ ¥21.735
合计:¥245.70
标准包装数量:450

GC2M1000170D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M1000170D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1700V\nId-漏极电流(25℃): 5A
    \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1700V\nId-漏极电流(25℃): 5A
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥10.92
  • 450+ ¥10.08
  • 900+ ¥9.912
  • 1800+ ¥9.66
合计:¥109.20
标准包装数量:450

GC3M0015065K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0015065K
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 类型: 1个N沟道\n漏源电压(Vdss): 650V\n连续漏极电流(Id): 120A\n功率(Pd): 416W
    类型: 1个N沟道\n漏源电压(Vdss): 650V\n连续漏极电流(Id): 120A\n功率(Pd): 416W
  • 库   存:30
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥73.5
  • 10+ ¥66.9375
  • 30+ ¥63.189
  • 100+ ¥55.65
  • 300+ ¥53.55
  • 500+ ¥52.5
合计:¥73.50
标准包装数量:30

GC3M0065090D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0065090D
  • 厂牌:SUPSIC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 900V\nId-漏极电流(25℃): 36A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 900V\nId-漏极电流(25℃): 36A
  • 库   存:30
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥32.5174
  • 10+ ¥29.6141
  • 30+ ¥27.9557
  • 100+ ¥24.6204
  • 300+ ¥23.6913
  • 500+ ¥23.2268
合计:¥32.52
标准包装数量:30

GC3M0021120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0021120K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 100A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 100A
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥89.7
  • 450+ ¥82.8
  • 900+ ¥81.42
  • 1800+ ¥79.35
合计:¥897.00
标准包装数量:450

GC3M0160120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0160120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: \n封装: TO-247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 17A\nPd-功耗: 97W\n类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)\n编号: C7435047\n详细: 数据手册\n领券 16-15
    \n封装: TO-247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 17A\nPd-功耗: 97W\n类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)\n编号: C7435047\n详细: 数据手册\n领券 16-15
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥23.205
  • 450+ ¥21.42
  • 900+ ¥21.063
  • 1800+ ¥20.5275
合计:¥232.05
标准包装数量:450

GC3M0032120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0032120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 63A
    封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 63A
  • 库   存:10000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥50.505
  • 450+ ¥46.62
  • 900+ ¥45.843
  • 900+ ¥45.843
合计:¥505.05
标准包装数量:450
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