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MMBTA05 三极管(BJT)

  • 型号: MMBTA05
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 本品是一款高性能NPN型三极管,采用小型SOT-23封装,适用于各类紧凑型电路设计。拥有60V的高集电极发射极耐压(VCEO)及0.5A的连续电流(IC),放大倍数范围在100至400之间,确保了卓越的信号放大能力,是您的电子设备的理想驱动选择。
    描述: 本品是一款高性能NPN型三极管,采用小型SOT-23封装,适用于各类紧凑型电路设计。拥有60V的高集电极发射极耐压(VCEO)及0.5A的连续电流(IC),放大倍数范围在100至400之间,确保了卓越的信号放大能力,是您的电子设备的理想驱动选择。
  • 库   存:8560
  • 起订量:100
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 100+ ¥0.0923
  • 1000+ ¥0.0808
  • 3000+ ¥0.0664
  • 10000+ ¥0.0617
  • 30000+ ¥0.0594
  • 50000+ ¥0.0577
合计:¥9.23
标准包装数量:3000

BC817-16 三极管(BJT)

  • 型号: BC817-16
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 该SOT-23封装NPN型三极管,具备45V高耐压VCEO及0.5A集电极电流规格,放大倍数可在100至600之间调节,特别适用于中等电压、中等电流环境下的宽范围增益放大与开关应用,是电子设备设计的优质半导体组件。
    描述: 该SOT-23封装NPN型三极管,具备45V高耐压VCEO及0.5A集电极电流规格,放大倍数可在100至600之间调节,特别适用于中等电压、中等电流环境下的宽范围增益放大与开关应用,是电子设备设计的优质半导体组件。
  • 库   存:4191
  • 起订量:100
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 100+ ¥0.0584
  • 1000+ ¥0.0511
  • 3000+ ¥0.0419
  • 10000+ ¥0.039
  • 30000+ ¥0.0376
  • 50000+ ¥0.0365
合计:¥5.84
标准包装数量:3000

BC846A 三极管(BJT)

  • 型号: BC846A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 该SOT-23封装NPN型三极管,具有65V高耐压VCEO及0.1A集电极电流,放大倍数在110至220之间可调,专为中等电压、微电流环境下的精密放大与开关应用设计,是小型电子设备和高精度电路的理想半导体组件。
    描述: 该SOT-23封装NPN型三极管,具有65V高耐压VCEO及0.1A集电极电流,放大倍数在110至220之间可调,专为中等电压、微电流环境下的精密放大与开关应用设计,是小型电子设备和高精度电路的理想半导体组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0228
  • 9000+ ¥0.0224
  • 15000+ ¥0.0219
合计:¥68.40
标准包装数量:3000

S8050 三极管(BJT)

  • 型号: S8050
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-523
  • 描述: 600mV@ 500mA,50mA NPN 100nA 80V 500mA SOT-523
    600mV@ 500mA,50mA NPN 100nA 80V 500mA SOT-523
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0511
  • 9000+ ¥0.0503
  • 15000+ ¥0.049
合计:¥153.30
标准包装数量:3000

S9013 三极管(BJT)

  • 型号: S9013
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-92
  • 描述: 描述: 该SOT-23封装的NPN型三极管,具备25V的VCEO耐压和0.5A的集电极电流,放大倍数在120至400之间,适合于低功耗、高增益应用场合,适用于各类精密电子设备及电路设计,是您微型化项目中的理想半导体元件。
    描述: 该SOT-23封装的NPN型三极管,具备25V的VCEO耐压和0.5A的集电极电流,放大倍数在120至400之间,适合于低功耗、高增益应用场合,适用于各类精密电子设备及电路设计,是您微型化项目中的理想半导体元件。
  • 库   存:19019
  • 起订量:100
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 100+ ¥0.0304
  • 1000+ ¥0.0266
  • 3000+ ¥0.0219
  • 10000+ ¥0.0204
  • 30000+ ¥0.0196
  • 50000+ ¥0.019
合计:¥3.04
标准包装数量:3000

S9015 三极管(BJT)

  • 型号: S9015
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 此款SOT-23封装PNP型三极管,具有45V高耐压VCEO及0.1A集电极电流,放大倍数高达200至400,专为中等电压、微电流环境下的精密放大应用设计,是小型电子设备和高增益电路的理想半导体元件。
    描述: 此款SOT-23封装PNP型三极管,具有45V高耐压VCEO及0.1A集电极电流,放大倍数高达200至400,专为中等电压、微电流环境下的精密放大应用设计,是小型电子设备和高增益电路的理想半导体元件。
  • 库   存:3000
  • 起订量:100
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 100+ ¥0.0323
  • 1000+ ¥0.0283
  • 3000+ ¥0.0232
  • 10000+ ¥0.0216
  • 30000+ ¥0.0208
  • 50000+ ¥0.0202
合计:¥3.23
标准包装数量:3000

MJD122 三极管(BJT)

  • 型号: MJD122
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 此款NPN型达林顿双极功率晶体管采用TO-252-2L封装,特别适用于通用放大器构建与低速开关应用。其拥有100V的最高集射极击穿电压(Vceo)和高达8A的连续集电极电流(Ic),具备出色的功率耗散能力为1.5W。器件在工作状态下表现出色,饱和电压VCE(sat)仅4V@8A/80mA,并提供宽泛的直流电流增益范围,在4A集电极电流及4V集射极电压下,hFE介于1000至12000之间。此外,该晶体管具有超低的反向饱和电流Icbo为10uA,确保了更高的电路稳定性和更低功耗。卓越性能使其成为高效率、大电流控制的理想解决方案。
    描述: 此款NPN型达林顿双极功率晶体管采用TO-252-2L封装,特别适用于通用放大器构建与低速开关应用。其拥有100V的最高集射极击穿电压(Vceo)和高达8A的连续集电极电流(Ic),具备出色的功率耗散能力为1.5W。器件在工作状态下表现出色,饱和电压VCE(sat)仅4V@8A/80mA,并提供宽泛的直流电流增益范围,在4A集电极电流及4V集射极电压下,hFE介于1000至12000之间。此外,该晶体管具有超低的反向饱和电流Icbo为10uA,确保了更高的电路稳定性和更低功耗。卓越性能使其成为高效率、大电流控制的理想解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.6264
  • 7500+ ¥0.616
  • 12500+ ¥0.6003
合计:¥1,566.00
标准包装数量:2500

BCX53-16 三极管(BJT)

  • 型号: BCX53-16
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 描述: 此款SOT-89封装的PNP型三极管,拥有高达80V的VCEO电压和1A的强大连续电流承载能力,放大倍数在100至250之间,适用于高功率电子系统,提供卓越的信号放大及开关控制功能。
    描述: 此款SOT-89封装的PNP型三极管,拥有高达80V的VCEO电压和1A的强大连续电流承载能力,放大倍数在100至250之间,适用于高功率电子系统,提供卓越的信号放大及开关控制功能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥0.186
  • 3000+ ¥0.1829
  • 5000+ ¥0.1783
合计:¥186.00
标准包装数量:1000

S8050 三极管(BJT)

  • 型号: S8050
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 此款SOT-23封装的NPN型三极管,具有25V的高耐压值VCEO及0.5A的集电极电流IC,其放大倍数稳定在200至300之间,适用于低功耗、高增益电路设计,是各类精密电子设备和小型化项目的优质选择。
    描述: 此款SOT-23封装的NPN型三极管,具有25V的高耐压值VCEO及0.5A的集电极电流IC,其放大倍数稳定在200至300之间,适用于低功耗、高增益电路设计,是各类精密电子设备和小型化项目的优质选择。
  • 库   存:24337
  • 起订量:100
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 100+ ¥0.0294
  • 1000+ ¥0.0257
  • 3000+ ¥0.0211
  • 10000+ ¥0.0197
  • 30000+ ¥0.0189
  • 50000+ ¥0.0184
合计:¥2.94
标准包装数量:3000

D882 三极管(BJT)

  • 型号: D882
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-89-3L
  • 描述: 描述: 此款SOT-89封装的高性能NPN型三极管,具有30V高耐压VCEO及3A大电流集电极能力,放大倍数范围160至320,适用于中等电压、大电流环境下的开关与线性放大应用,是电子设备高效能电路设计的理想组件。
    描述: 此款SOT-89封装的高性能NPN型三极管,具有30V高耐压VCEO及3A大电流集电极能力,放大倍数范围160至320,适用于中等电压、大电流环境下的开关与线性放大应用,是电子设备高效能电路设计的理想组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥0.1579
  • 3000+ ¥0.1553
  • 5000+ ¥0.1513
合计:¥157.90
标准包装数量:1000

MJD31C 三极管(BJT)

  • 型号: MJD31C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 低电平模拟开关 线性稳压器中的调整管 小功率音频放大器 直流电机驱动 LED驱动器 电源转换器中的开关元件 逻辑门电路与数字电路
    描述: 低电平模拟开关 线性稳压器中的调整管 小功率音频放大器 直流电机驱动 LED驱动器 电源转换器中的开关元件 逻辑门电路与数字电路
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.5508
  • 7500+ ¥0.5416
  • 12500+ ¥0.5279
合计:¥1,377.00
标准包装数量:2500

MMDT3906 三极管(BJT)

  • 型号: MMDT3906
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-363
  • 描述: 描述: 这款SOT-363封装的双PNP三极管,每个PNP单元具有40V的VCEO和0.2A的IC,放大倍数在100至300之间,适用于精密信号处理和低功耗电路设计,提供优异的对称性放大功能。
    描述: 这款SOT-363封装的双PNP三极管,每个PNP单元具有40V的VCEO和0.2A的IC,放大倍数在100至300之间,适用于精密信号处理和低功耗电路设计,提供优异的对称性放大功能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0612
  • 9000+ ¥0.0602
  • 15000+ ¥0.0587
合计:¥183.60
标准包装数量:3000

FMMT591 三极管(BJT)

  • 型号: FMMT591
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 该款SOT-23封装PNP型三极管,具备60V高耐压VCEO及1A大电流处理能力,放大倍数在100至300区间,适合高压、大电流应用场景,为您的电子设计提供高效、稳定的信号放大和切换控制。
    描述: 该款SOT-23封装PNP型三极管,具备60V高耐压VCEO及1A大电流处理能力,放大倍数在100至300区间,适合高压、大电流应用场景,为您的电子设计提供高效、稳定的信号放大和切换控制。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1384
  • 9000+ ¥0.1361
  • 15000+ ¥0.1326
合计:¥415.20
标准包装数量:3000

HUMZ1NTR 三极管(BJT)

  • 型号: HUMZ1NTR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款三极管兼具NPN和PNP类型,电流0.15A,电压50V,放大倍数在120到560之间,频率达180MHz。适用于各类小型电子设备,可在电路中实现信号放大等功能。高频率特性使其在高频电子领域有广泛应用。
    这款三极管兼具NPN和PNP类型,电流0.15A,电压50V,放大倍数在120到560之间,频率达180MHz。适用于各类小型电子设备,可在电路中实现信号放大等功能。高频率特性使其在高频电子领域有广泛应用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1267
  • 9000+ ¥0.1246
  • 15000+ ¥0.1214
合计:¥380.10
标准包装数量:3000

MMBTH10 三极管(BJT)

  • 型号: MMBTH10
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 此款SOT-23封装NPN型三极管,具备25V高耐压VCEO及0.05A集电极电流规格,放大倍数在100至200之间,专为低电压、微电流应用环境下的精密放大与开关电路设计,是小型电子设备的优选半导体元件。
    描述: 此款SOT-23封装NPN型三极管,具备25V高耐压VCEO及0.05A集电极电流规格,放大倍数在100至200之间,专为低电压、微电流应用环境下的精密放大与开关电路设计,是小型电子设备的优选半导体元件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0348
  • 9000+ ¥0.0342
  • 15000+ ¥0.0334
合计:¥104.40
标准包装数量:3000

MMBTA06 三极管(BJT)

  • 型号: MMBTA06
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 该SOT-23封装NPN型三极管,具备80V高耐压VCEO及0.5A集电极电流规格,其放大倍数可在100至400之间调节,适用于高压、中等电流环境下的精密放大与开关应用,是电子设备电路设计的理想半导体元件。
    描述: 该SOT-23封装NPN型三极管,具备80V高耐压VCEO及0.5A集电极电流规格,其放大倍数可在100至400之间调节,适用于高压、中等电流环境下的精密放大与开关应用,是电子设备电路设计的理想半导体元件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0588
  • 9000+ ¥0.0578
  • 15000+ ¥0.0564
合计:¥176.40
标准包装数量:3000

BC848A 三极管(BJT)

  • 型号: BC848A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 此款SOT-23封装NPN型三极管,具备30V高耐压VCEO及0.1A集电极电流规格,放大倍数在110至220之间,专为低电压、微电流环境下的精密放大与开关电路设计,是小型电子设备和高精度应用的理想半导体元件。
    描述: 此款SOT-23封装NPN型三极管,具备30V高耐压VCEO及0.1A集电极电流规格,放大倍数在110至220之间,专为低电压、微电流环境下的精密放大与开关电路设计,是小型电子设备和高精度应用的理想半导体元件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0221
  • 9000+ ¥0.0217
  • 15000+ ¥0.0212
合计:¥66.30
标准包装数量:3000

MMDT3904 三极管(BJT)

  • 型号: MMDT3904
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-363
  • 描述: 描述: 该款SOT-363封装的双NPN型三极管,每个NPN单元具有40V的VCEO耐压值和0.2A的最大集电极电流,放大倍数在100至300之间,适用于高效互补电路设计,为您的系统提供精准、稳定的信号放大性能。
    描述: 该款SOT-363封装的双NPN型三极管,每个NPN单元具有40V的VCEO耐压值和0.2A的最大集电极电流,放大倍数在100至300之间,适用于高效互补电路设计,为您的系统提供精准、稳定的信号放大性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0592
  • 9000+ ¥0.0582
  • 15000+ ¥0.0567
合计:¥177.60
标准包装数量:3000

MMBT2907A 三极管(BJT)

  • 型号: MMBT2907A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 本款SOT-23封装PNP型三极管,具有40V高耐压VCEO及0.6A集电极电流能力,放大倍数在100至300范围内可调,专为中等电压、中等电流应用环境下的高效放大与开关电路设计,是各类电子设备的理想半导体组件。
    描述: 本款SOT-23封装PNP型三极管,具有40V高耐压VCEO及0.6A集电极电流能力,放大倍数在100至300范围内可调,专为中等电压、中等电流应用环境下的高效放大与开关电路设计,是各类电子设备的理想半导体组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0348
  • 9000+ ¥0.0342
  • 15000+ ¥0.0334
合计:¥104.40
标准包装数量:3000

MMBT2222A 三极管(BJT)

  • 型号: MMBT2222A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 该款SOT-23封装NPN型三极管,拥有40V高耐压VCEO及0.6A集电极电流,具备100至300的放大倍数,适用于中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用,是电子设备制造和电路设计的理想选择。
    描述: 该款SOT-23封装NPN型三极管,拥有40V高耐压VCEO及0.6A集电极电流,具备100至300的放大倍数,适用于中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用,是电子设备制造和电路设计的理想选择。
  • 库   存:6025
  • 起订量:100
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 100+ ¥0.0511
  • 1000+ ¥0.0447
  • 3000+ ¥0.0367
  • 10000+ ¥0.0342
  • 30000+ ¥0.0329
  • 30000+ ¥0.0329
合计:¥5.11
标准包装数量:3000
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