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BCP55 三极管(BJT)

  • 型号: BCP55
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 描述: 此款SOT-89封装的NPN型三极管,具有60V高耐压VCEO及1A强大集电极电流,放大倍数范围为63至250,适用于中高压、大电流应用场景下的开关与线性放大电路设计,是您电子设备制造和工程项目的优质半导体组件。
    描述: 此款SOT-89封装的NPN型三极管,具有60V高耐压VCEO及1A强大集电极电流,放大倍数范围为63至250,适用于中高压、大电流应用场景下的开关与线性放大电路设计,是您电子设备制造和工程项目的优质半导体组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥0.1674
  • 3000+ ¥0.1646
  • 5000+ ¥0.1604
合计:¥167.40
标准包装数量:1000

SS8050 三极管(BJT)

  • 型号: SS8050
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-89
  • 描述: 500mV@ 800mA,80mA NPN 100nA 160V 1.5A SOT-89
    500mV@ 800mA,80mA NPN 100nA 160V 1.5A SOT-89
  • 库   存:300000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥0.0696
  • 3000+ ¥0.0684
  • 5000+ ¥0.0667
合计:¥69.60
标准包装数量:1000

SS8050 三极管(BJT)

  • 型号: SS8050
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-92
  • 描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):500mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):400@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz
    晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):500mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):400@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz
  • 库   存:11659
  • 起订量:100
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 100+ ¥0.0392
  • 1000+ ¥0.0343
  • 3000+ ¥0.0282
  • 10000+ ¥0.0262
  • 30000+ ¥0.0252
  • 50000+ ¥0.0245
合计:¥3.92
标准包装数量:3000

2SC1623 三极管(BJT)

  • 型号: 2SC1623
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-323
  • 描述: 300mV@ 100mA,10mA NPN 100nA 60V 100mA SOT-323
    300mV@ 100mA,10mA NPN 100nA 60V 100mA SOT-323
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.089
  • 9000+ ¥0.0876
  • 15000+ ¥0.0853
合计:¥267.00
标准包装数量:3000

2SC1623 三极管(BJT)

  • 型号: 2SC1623
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 该SOT-23封装NPN型三极管,具备50V高耐压VCEO和0.1A集电极电流能力,其放大倍数宽幅可调(90-600),专为中等电压、微小电流环境下的高增益放大与开关应用设计,是精密电子设备及电路的理想半导体元件。
    描述: 该SOT-23封装NPN型三极管,具备50V高耐压VCEO和0.1A集电极电流能力,其放大倍数宽幅可调(90-600),专为中等电压、微小电流环境下的高增益放大与开关应用设计,是精密电子设备及电路的理想半导体元件。
  • 库   存:25214
  • 起订量:100
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 100+ ¥0.0269
  • 1000+ ¥0.0235
  • 3000+ ¥0.0193
  • 10000+ ¥0.018
  • 30000+ ¥0.0173
  • 50000+ ¥0.0168
合计:¥2.69
标准包装数量:3000

13001 三极管(BJT)

  • 型号: 13001
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 该SOT-23封装NPN型三极管,拥有420V超高耐压VCEO及0.2A集电极电流,特别适用于高压环境下的开关与低增益放大应用,其放大倍数在18至30之间,是高电压、微电流电子设备的理想半导体组件。
    描述: 该SOT-23封装NPN型三极管,拥有420V超高耐压VCEO及0.2A集电极电流,特别适用于高压环境下的开关与低增益放大应用,其放大倍数在18至30之间,是高电压、微电流电子设备的理想半导体组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0424
  • 9000+ ¥0.0417
  • 15000+ ¥0.0406
合计:¥127.20
标准包装数量:3000

MMBTA44 三极管(BJT)

  • 型号: MMBTA44
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 这款高性能NPN型三极管采用紧凑型SOT-23封装,特别适合现代精密电路设计。器件具有高达350V的卓越集电极发射极击穿电压(VCEO)及0.2A连续集电极电流(IC),放大倍数在50至200之间,确保了强大的信号处理能力。适用于各类高耐压、中低电流应用环境,是您电子产品设计的理想三极管解决方案。
    描述: 这款高性能NPN型三极管采用紧凑型SOT-23封装,特别适合现代精密电路设计。器件具有高达350V的卓越集电极发射极击穿电压(VCEO)及0.2A连续集电极电流(IC),放大倍数在50至200之间,确保了强大的信号处理能力。适用于各类高耐压、中低电流应用环境,是您电子产品设计的理想三极管解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0899
  • 9000+ ¥0.0884
  • 15000+ ¥0.0861
合计:¥269.70
标准包装数量:3000

MMDT5551 三极管(BJT)

  • 型号: MMDT5551
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-363
  • 描述: 描述: 这款SOT-363封装双NPN三极管,具备160V高耐压VCEO和0.2A集电极电流能力,放大倍数在100至300之间,专为高压环境下的信号放大设计,适合各类精密电子设备,提供卓越的线性放大性能。
    描述: 这款SOT-363封装双NPN三极管,具备160V高耐压VCEO和0.2A集电极电流能力,放大倍数在100至300之间,专为高压环境下的信号放大设计,适合各类精密电子设备,提供卓越的线性放大性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0982
  • 9000+ ¥0.0965
  • 15000+ ¥0.0941
合计:¥294.60
标准包装数量:3000

FMMT718 三极管(BJT)

  • 型号: FMMT718
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 该款SOT-23封装PNP型三极管,具有20V的VCEO电压和高达1.5A的连续集电极电流,放大倍数范围宽广(300-600),尤其适合高增益、大电流应用场合,提供出色的信号放大性能。
    描述: 该款SOT-23封装PNP型三极管,具有20V的VCEO电压和高达1.5A的连续集电极电流,放大倍数范围宽广(300-600),尤其适合高增益、大电流应用场合,提供出色的信号放大性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1562
  • 9000+ ¥0.1536
  • 15000+ ¥0.1497
合计:¥468.60
标准包装数量:3000

BC807-40 三极管(BJT)

  • 型号: BC807-40
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 此款SOT-23封装PNP型三极管,具有45V高耐压VCEO和0.5A集电极电流,提供高达250至600的放大倍数,适用于中高压、中等电流环境下的高效放大应用,是精密电子设备与电路设计的理想选择。
    描述: 此款SOT-23封装PNP型三极管,具有45V高耐压VCEO和0.5A集电极电流,提供高达250至600的放大倍数,适用于中高压、中等电流环境下的高效放大应用,是精密电子设备与电路设计的理想选择。
  • 库   存:8876
  • 起订量:100
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 100+ ¥0.0555
  • 1000+ ¥0.0486
  • 3000+ ¥0.0399
  • 10000+ ¥0.0371
  • 30000+ ¥0.0357
  • 50000+ ¥0.0347
合计:¥5.55
标准包装数量:3000

MMBT3904T 三极管(BJT)

  • 型号: MMBT3904T
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-523
  • 描述: 描述: 这款SOT-523封装的NPN型三极管,具备40V的高VCEO电压和0.2A的稳定IC电流,其放大倍数在100至300之间,性能优越,适用于各类精密电子电路,提供高效能信号放大解决方案。
    描述: 这款SOT-523封装的NPN型三极管,具备40V的高VCEO电压和0.2A的稳定IC电流,其放大倍数在100至300之间,性能优越,适用于各类精密电子电路,提供高效能信号放大解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.049
  • 9000+ ¥0.0481
  • 15000+ ¥0.0469
合计:¥147.00
标准包装数量:3000

13003 三极管(BJT)

  • 型号: 13003
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款三极管为NPN型,电流1.5A,电压480V,放大倍数在20到30之间,频率为5MHz。适用于各类电子产品,能在较高电压下工作。较低的频率特性适合特定中低频应用场景,确保电路稳定运行。
    这款三极管为NPN型,电流1.5A,电压480V,放大倍数在20到30之间,频率为5MHz。适用于各类电子产品,能在较高电压下工作。较低的频率特性适合特定中低频应用场景,确保电路稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.2916
  • 7500+ ¥0.2867
  • 12500+ ¥0.2795
合计:¥729.00
标准包装数量:2500

2N2222A 三极管(BJT)

  • 型号: 2N2222A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-92
  • 描述: 描述: 基本放大器 开关应用 线性驱动 固态继电器 逆变器与转换器 传感器接口 射频(RF)电路
    描述: 基本放大器 开关应用 线性驱动 固态继电器 逆变器与转换器 传感器接口 射频(RF)电路
  • 库   存:300000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥0.0564
  • 3000+ ¥0.0555
  • 5000+ ¥0.0541
合计:¥56.40
标准包装数量:1000

2SC4617 三极管(BJT)

  • 型号: 2SC4617
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-523
  • 描述: 描述: 这款SOT-523封装NPN三极管,拥有50V的高耐压VCEO值和0.15A电流承载能力,其放大倍数范围在180至390之间,具备出色的线性放大性能。适用于各类精密电子设备中,提供稳定高效的信号放大功能。
    描述: 这款SOT-523封装NPN三极管,拥有50V的高耐压VCEO值和0.15A电流承载能力,其放大倍数范围在180至390之间,具备出色的线性放大性能。适用于各类精密电子设备中,提供稳定高效的信号放大功能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.051
  • 9000+ ¥0.0502
  • 15000+ ¥0.0489
合计:¥153.00
标准包装数量:3000

MJD127T4G 三极管(BJT)

  • 型号: MJD127T4G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 此款达林顿管采用TO-252-2L封装,是一款高性能PNP型双极功率晶体管。拥有100V的集射极击穿电压(Vceo)及8A的最大集电极电流(Ic),额定功率耗散为1.5W。其具有超低饱和电压,在8A集电极电流和80mA基极电流时,VCE(sat)仅为4V,确保高效能运行。此外,该器件在4A/4V条件下提供出色的直流电流增益,hFE范围介于1000至12000之间。适用于通用放大器设计以及低速开关应用场合,以其卓越的电气参数与稳定性能,满足各类中高功率电路需求。
    描述: 此款达林顿管采用TO-252-2L封装,是一款高性能PNP型双极功率晶体管。拥有100V的集射极击穿电压(Vceo)及8A的最大集电极电流(Ic),额定功率耗散为1.5W。其具有超低饱和电压,在8A集电极电流和80mA基极电流时,VCE(sat)仅为4V,确保高效能运行。此外,该器件在4A/4V条件下提供出色的直流电流增益,hFE范围介于1000至12000之间。适用于通用放大器设计以及低速开关应用场合,以其卓越的电气参数与稳定性能,满足各类中高功率电路需求。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.5712
  • 7500+ ¥0.5617
  • 12500+ ¥0.5474
合计:¥1,428.00
标准包装数量:2500

MMBTA05 三极管(BJT)

  • 型号: MMBTA05
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 本品是一款高性能NPN型三极管,采用小型SOT-23封装,适用于各类紧凑型电路设计。拥有60V的高集电极发射极耐压(VCEO)及0.5A的连续电流(IC),放大倍数范围在100至400之间,确保了卓越的信号放大能力,是您的电子设备的理想驱动选择。
    描述: 本品是一款高性能NPN型三极管,采用小型SOT-23封装,适用于各类紧凑型电路设计。拥有60V的高集电极发射极耐压(VCEO)及0.5A的连续电流(IC),放大倍数范围在100至400之间,确保了卓越的信号放大能力,是您的电子设备的理想驱动选择。
  • 库   存:8560
  • 起订量:100
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 100+ ¥0.0923
  • 1000+ ¥0.0808
  • 3000+ ¥0.0664
  • 10000+ ¥0.0617
  • 30000+ ¥0.0594
  • 50000+ ¥0.0577
合计:¥9.23
标准包装数量:3000

H2SD1898T100R 三极管(BJT)

  • 型号: H2SD1898T100R
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款三极管产品,电流为1A,电压80V,放大倍数在180到390之间,频率可达100MHz,类型是NPN。适用于多种小型电子设备,可在电路中起到信号放大等作用。高频率特性使其在高频信号处理方面有较好表现。
    这款三极管产品,电流为1A,电压80V,放大倍数在180到390之间,频率可达100MHz,类型是NPN。适用于多种小型电子设备,可在电路中起到信号放大等作用。高频率特性使其在高频信号处理方面有较好表现。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥0.4212
  • 3000+ ¥0.4142
  • 5000+ ¥0.4037
合计:¥421.20
标准包装数量:1000

H2SB1260T100R 三极管(BJT)

  • 型号: H2SB1260T100R
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款三极管为PNP类型,电流1A,电压80V,放大倍数在180到390之间,频率为100MHz。适用于多种小型电子设备,可在电路中起到信号放大、开关控制等作用。高频率特性使其在高频电子电路中有较好表现。
    这款三极管为PNP类型,电流1A,电压80V,放大倍数在180到390之间,频率为100MHz。适用于多种小型电子设备,可在电路中起到信号放大、开关控制等作用。高频率特性使其在高频电子电路中有较好表现。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥0.491
  • 3000+ ¥0.4829
  • 5000+ ¥0.4706
合计:¥491.00
标准包装数量:1000

HMMBT3904WT1G 三极管(BJT)

  • 型号: HMMBT3904WT1G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款三极管为NPN型,电流0.2A,电压40V,放大倍数在100到300之间,频率达300MHz。适用于多种电子产品,在较低电压下可工作。高频率特性适合特定高频应用场景,确保电路高效稳定运行。
    这款三极管为NPN型,电流0.2A,电压40V,放大倍数在100到300之间,频率达300MHz。适用于多种电子产品,在较低电压下可工作。高频率特性适合特定高频应用场景,确保电路高效稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0508
  • 9000+ ¥0.0499
  • 15000+ ¥0.0486
合计:¥152.40
标准包装数量:3000

H2SC5658T2LR 三极管(BJT)

  • 型号: H2SC5658T2LR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款三极管类型为NPN,电流0.15A,电压50V,放大倍数在180到390之间,频率高达180MHz。适用于多种小型电子设备,可在电路中承担信号放大等任务。高频率特性使其在高频电子设备中有良好表现。
    这款三极管类型为NPN,电流0.15A,电压50V,放大倍数在180到390之间,频率高达180MHz。适用于多种小型电子设备,可在电路中承担信号放大等任务。高频率特性使其在高频电子设备中有良好表现。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1056
  • 9000+ ¥0.1038
  • 9000+ ¥0.1038
合计:¥316.80
标准包装数量:3000
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