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场效应管发热的解决办法

时间:2020-02-17 16:00:40 来源:网络整理 有0人参与

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场效应管是只要一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。

MOS场效应管有加强型(EnhancementMOS或EMOS)和耗尽型(MOS或DMOS)两大类,每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极:D(Drain)称为漏极,相当双极型三极管的集电极;G(Gate)称为栅极,相当于双极型三极管的基极;S(Source)称为源极,相当于双极型三极管的发射极。

场效应管发热的原因

1、电路设计的问题

就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误。

2、频率太高

主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。

3、没有做好足够的散热设计

电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。

4、MOS管的选型有误

对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。

场效应管发热的解决

1、多铺铜,增加散热过孔。

2、贴散热胶。通常采用散热器加导热硅胶的设计直接接触散热,如果MOS管外壳不能接地,可以采用绝缘垫片隔离后再用导热硅脂散热。也可以选用硅胶片,硅胶覆盖MOS管,除了散热还可以起到防止静电损坏的作用。

在上述两种方法中有一帖散热胶为较常用的方法,其中常用的散热材料包括导热硅脂、导热双面胶和导热硅胶片。导热硅脂俗称散热膏,导热硅脂以有机硅酮为主要原料,是一种高导热绝缘有机硅材料,几乎永远不固化,可在-50℃—+230℃的温度下长期保持使用。导热双面胶常用于LED等功率器件的散热,其导热系数通常大于1.5W/(M.K);导热硅胶片起到导热作用,在发热体与散热器件之间形成良好的导热通路,与散热片,结构固定件(风扇)等一起组成散热模组。为大功率MSO管加装散热片和导热硅胶片时,尽量减少开关管集电极和散热片之间的耦合电容Ci,同时也要保证导热效果。以Laird的导热硅胶片安装为例,安装时首先要保持与导热硅胶片接触面的干净,预防导热硅胶片黏上污秽,安装时可以采用撕去另一面保护膜,放入散热器,再撕去后一面保护膜的方式安装,同时注意力度要小,避免拉伤或拉起导热硅胶片。

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