电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10^6uF=10^12pF，以下是云汉芯城小编整理的关于电容的详细知识，一起来看看吧。

一、电容器的型号命名方法

国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。

部分：名称，用字母表示，电容器用C。

第二部分：材料，用字母表示。

第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。

第四部分：序号，用数字表示。

用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介

二、电容器的分类

按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。

按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型

电容器。高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉

电容器。低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。

滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。

调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。

高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。

低频耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。

小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽

电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。

三、常用电容器

1、铝电解电容器

用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流容量误差大，泄漏电流大;普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz 以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。

2、钽电解电容器

用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可*性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态。

3、薄膜电容器

结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路。

4、瓷介电容器

穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高频旁路。

5、独石电容器

多层陶瓷电容器在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可*和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q 值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。

6、纸质电容器

一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm 的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量一般在低频电路内，通常不能在高于3～4MHz 的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路。

7、微调电容器

电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。瓷介微调电容器的Q 值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。

8、云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。

线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用

9、陶瓷电容器

用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路。

云母电容器就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。频率特性好，Q 值高，温度系数小不能做成大的容量广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器。

10、玻璃釉电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008。

四、电容器主要特性参数：

1、标称电容量和允许偏差

标称电容量是标志在电容器上的电容量。

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。

精度等级与允许误差对应关系：00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)。

一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。

2、额定电压

在低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的损坏。

3、绝缘电阻

直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.

当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf 时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越小越好。

电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。

4、损耗

电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。

5、频率特性

随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。

五、电容器容量标示

1、直标法

用数字和单位符号直接标出。如01uF 表示0.01 微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56 表示0.56 微法。

2、文字符号法

用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10 表示0.1pF,1p0 表示1pF,6P8表示

6.8pF, 2u2 表示2.2uF.

3、色标法

用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。

电容器偏差标志符号： +100%-0--H 、+100%-10%--R 、+50%-10%--T 、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。

六.选用电容电容器常识

1.电容器装接前应进行测量，看其是否短路、断路或漏电严重，并在装入电路时使电容器的标志顺序一致。

2.电路中电容两端的电压不能超过电容器本身的工作电压。装接时注意正、负极性不能装反(电解电容有正负极之分)。

3.当现有电容器与电路要求的容量或耐压不合适时，可以采用串联或并联的方法予以适应。当两个工作电压不同的电容器并联时，耐压值取决于低的电容器;当两个容量不同的电容器串联时，容量小的电容器所承受的电压高于容量大的电容器。

4.技术要求不同的电路，应选用不同类型的电容器。例如，谐振回路中需要介质损耗小的电容器，应选用高频陶瓷电容器(CC 型，即药片形)或云母电容器;隔直、耦合电容可选独石、涤纶、电解等电容器;低频滤波电路(即整流电路)一般应选用电解电容器;旁路电容可选涤纶、独石、陶瓷和电解电容器。

5.选用电容器时应根据电路中信号频率的高低来选择，一个电容器可等效成R、L、C 二端线性网络，不同类型的电容器其等效参数R、L、C 的差异很大。等效电感大的电容器(如电解电容器)不适合用于耦合、旁路高频信号;等效电阻大的电容器不适合用于Q 值要求高的振荡回路中。为满足从低频到高频滤波旁路的要求，在实际电路中，常将一个容量大的电解电容器与一个小容量的、适合于高频的电容器并联使用。

七. 什么是旁路电容和去耦电容、滤波电容及其作用

滤波电容-用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。去耦电容-用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。

旁路电容_用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。

去耦电容作用：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF 能量。去耦电容还可以为器件供局部化的DC 电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。

旁路电容作用：从元件或电缆中转移出不想要的共模RF 能量。这主要是通过产生AC 旁路消除无意的能量进入敏感的部分，我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。

在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于，旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为称退耦电容，是把输出信号的干扰作为比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u 等;而去耦合电容一般比较大，是10u 或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。

数字电路中典型的去耦电容值是0.1F。电容的分布电感的典型值是5H。0.1F 的去耦电容有5H 的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz 左右，也就是的去耦效果，对40MHz 以上的噪声几乎不起作用。1F、10F 的电容，并行共振频率在20MHz 以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10 片左右集成电路要加一片充放电电容，或1 个蓄能电容，可选10F 左右。好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C="1"/F，即10MHz 取0.1F，100MHz 取0.01F。还可以提供基带滤波功能(带宽受限)。

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