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STGB20H65DFB2-VB IGBT单管

  • 型号: STGB20H65DFB2-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: IGBT;TO263;600V;75A;VCEsat_1.9V@VGE=30V;
    IGBT;TO263;600V;75A;VCEsat_1.9V@VGE=30V;
  • 库   存:5
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.4443 ¥11.8054
  • 10+ ¥8.4324 ¥10.5405
  • 30+ ¥7.9602 ¥9.9502
  • 100+ ¥7.1506 ¥8.9383
  • 1000+ ¥6.8808 ¥8.601
  • 3000+ ¥6.7459 ¥8.4324
合计:¥9.44
标准包装数量:1000

IKB20N65EH5-VB IGBT单管

  • 型号: IKB20N65EH5-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: IGBT;TO263;600V;75A;VCEsat_1.9V@VGE=30V;
    IGBT;TO263;600V;75A;VCEsat_1.9V@VGE=30V;
  • 库   存:5
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.4443 ¥11.8054
  • 10+ ¥8.4324 ¥10.5405
  • 30+ ¥7.9602 ¥9.9502
  • 100+ ¥7.1506 ¥8.9383
  • 1000+ ¥6.8808 ¥8.601
  • 3000+ ¥6.7459 ¥8.4324
合计:¥9.44
标准包装数量:1000

AFGHL75T65SQ-VB IGBT单管

  • 型号: AFGHL75T65SQ-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: IGBT;TO247;650V;80A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
    IGBT;TO247;650V;80A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥24.3988 ¥24.8967
  • 100+ ¥22.5914 ¥23.0525
  • 500+ ¥20.7841 ¥21.2083
  • 900+ ¥19.8805 ¥20.2862
合计:¥121.99
标准包装数量:300

VBL16I30 IGBT单管

  • 型号: VBL16I30
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: IGBT;TO263;600V;30A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
    IGBT;TO263;600V;30A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.6884 ¥9.8861
  • 100+ ¥8.9707 ¥9.1538
  • 500+ ¥8.2531 ¥8.4215
  • 1000+ ¥7.8942 ¥8.0553
合计:¥48.44
标准包装数量:1000

VBP165I80 IGBT单管

  • 型号: VBP165I80
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: IGBT;TO247;650V;80A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
    IGBT;TO247;650V;80A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥24.3988 ¥24.8967
  • 100+ ¥22.5914 ¥23.0525
  • 500+ ¥20.7841 ¥21.2083
  • 900+ ¥19.8805 ¥20.2862
合计:¥121.99
标准包装数量:300

IPT012N08NF2S-VB IGBT单管

  • 型号: IPT012N08NF2S-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: IGBT;TOLL;N—Channel沟道,80V,350A,RDS(ON)=0.0013Ω@10V,VGS=±20V;Vth=2.0-4.5V;
    IGBT;TOLL;N—Channel沟道,80V,350A,RDS(ON)=0.0013Ω@10V,VGS=±20V;Vth=2.0-4.5V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8周
  • 5+ ¥26.9098 ¥27.459
  • 100+ ¥24.9165 ¥25.425
  • 500+ ¥22.9232 ¥23.391
  • 2000+ ¥21.9265 ¥22.374
合计:¥134.55
标准包装数量:2000

AFGB30T65RQDN-VB IGBT单管

  • 型号: AFGB30T65RQDN-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: IGBT;TO263;600V;30A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
    IGBT;TO263;600V;30A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.6884 ¥9.8861
  • 100+ ¥8.9707 ¥9.1538
  • 500+ ¥8.2531 ¥8.4215
  • 1000+ ¥7.8942 ¥8.0553
合计:¥48.44
标准包装数量:1000

VBP165I75 IGBT单管

  • 型号: VBP165I75
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: IGBT;TO247,650V,75A;VCEsat_1.8V@VGE=±30V;Vth=4-6V;
    IGBT;TO247,650V,75A;VCEsat_1.8V@VGE=±30V;Vth=4-6V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-10工作日
  • 5+ ¥43.0557 ¥43.9344
  • 100+ ¥39.8664 ¥40.68
  • 500+ ¥36.6771 ¥37.4256
  • 900+ ¥35.0824 ¥35.7984
合计:¥215.28
标准包装数量:300

IKW40N60H3-VB IGBT单管

  • 型号: IKW40N60H3-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: IGBT+FRD;TO247;600/650V;40A;VCEsat=1.7V;VGE/±30;VGEth=5V;
    IGBT+FRD;TO247;600/650V;40A;VCEsat=1.7V;VGE/±30;VGEth=5V;
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥13.9979 ¥17.4974
  • 10+ ¥12.4982 ¥15.6227
  • 30+ ¥11.7982 ¥14.7478
  • 100+ ¥10.5984 ¥13.248
  • 300+ ¥10.1985 ¥12.7481
  • 900+ ¥9.9985 ¥12.4981
合计:¥14.00
标准包装数量:300

IAUT300N08S5N012ATMA1-VB IGBT单管

  • 型号: IAUT300N08S5N012ATMA1-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: IGBT;TOLL;N—Channel沟道,80V,350A,RDS(ON)=0.0013Ω@10V,VGS=±20V;Vth=2.0-4.5V;
    IGBT;TOLL;N—Channel沟道,80V,350A,RDS(ON)=0.0013Ω@10V,VGS=±20V;Vth=2.0-4.5V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8周
  • 5+ ¥26.9098 ¥27.459
  • 100+ ¥24.9165 ¥25.425
  • 500+ ¥22.9232 ¥23.391
  • 2000+ ¥21.9265 ¥22.374
合计:¥134.55
标准包装数量:2000

VBGQT1801 IGBT单管

  • 型号: VBGQT1801
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: IGBT;TOLL;N—Channel沟道,80V,350A,RDS(ON)=0.0013Ω@10V,VGS=±20V;Vth=2.0-4.5V;
    IGBT;TOLL;N—Channel沟道,80V,350A,RDS(ON)=0.0013Ω@10V,VGS=±20V;Vth=2.0-4.5V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8周
  • 5+ ¥26.9098 ¥27.459
  • 100+ ¥24.9165 ¥25.425
  • 500+ ¥22.9232 ¥23.391
  • 2000+ ¥21.9265 ¥22.374
合计:¥134.55
标准包装数量:2000

IAUT300N08S5N014ATMA1-VB IGBT单管

  • 型号: IAUT300N08S5N014ATMA1-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: IGBT;TOLL;N—Channel沟道,80V,350A,RDS(ON)=0.0013Ω@10V,VGS=±20V;Vth=2.0-4.5V;
    IGBT;TOLL;N—Channel沟道,80V,350A,RDS(ON)=0.0013Ω@10V,VGS=±20V;Vth=2.0-4.5V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8周
  • 5+ ¥26.9098 ¥27.459
  • 100+ ¥24.9165 ¥25.425
  • 500+ ¥22.9232 ¥23.391
  • 2000+ ¥21.9265 ¥22.374
合计:¥134.55
标准包装数量:2000

IPT013N08NM5LF-VB IGBT单管

  • 型号: IPT013N08NM5LF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: IGBT;TOLL;N—Channel沟道,80V,350A,RDS(ON)=0.0013Ω@10V,VGS=±20V;Vth=2.0-4.5V;
    IGBT;TOLL;N—Channel沟道,80V,350A,RDS(ON)=0.0013Ω@10V,VGS=±20V;Vth=2.0-4.5V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8周
  • 5+ ¥26.9098 ¥27.459
  • 100+ ¥24.9165 ¥25.425
  • 500+ ¥22.9232 ¥23.391
  • 2000+ ¥21.9265 ¥22.374
合计:¥134.55
标准包装数量:2000

FGH75T65SHD-VB IGBT单管

  • 型号: FGH75T65SHD-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: IGBT;TO247,650V,75A;VCEsat_1.8V@VGE=±30V;Vth=4-6V;
    IGBT;TO247,650V,75A;VCEsat_1.8V@VGE=±30V;Vth=4-6V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-10工作日
  • 5+ ¥38.7507 ¥39.5415
  • 100+ ¥35.8802 ¥36.6125
  • 500+ ¥33.0098 ¥33.6835
  • 900+ ¥31.5746 ¥32.219
合计:¥193.75
标准包装数量:300

STGW30NC120HD-VB IGBT单管

  • 型号: STGW30NC120HD-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: IGBT;TO247;1200V;120A;VCEsat_1.8V@VGE=±30V;Vth=4-6V;
    IGBT;TO247;1200V;120A;VCEsat_1.8V@VGE=±30V;Vth=4-6V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥24.2188 ¥24.7131
  • 100+ ¥22.4249 ¥22.8825
  • 500+ ¥20.6309 ¥21.0519
  • 900+ ¥19.7339 ¥20.1366
合计:¥121.09
标准包装数量:300

NGW50T60M3DF-VB IGBT单管

  • 型号: NGW50T60M3DF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nIGBT;TO-247;600V;180A;120 (TC=25C)-60 (TC=100C)VCEsat_1.8V@VGE=±30V;在太阳能逆变器和风力发电控制器中,该产品可用于转换直流电为交流电,并实现电网连接,适用于太阳能发电站和风力发电场等再生能源系统。
    台积电流片,长电封测。\nIGBT;TO-247;600V;180A;120 (TC=25C)-60 (TC=100C)VCEsat_1.8V@VGE=±30V;在太阳能逆变器和风力发电控制器中,该产品可用于转换直流电为交流电,并实现电网连接,适用于太阳能发电站和风力发电场等再生能源系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥19.4349 ¥19.8315
  • 100+ ¥17.9953 ¥18.3625
  • 500+ ¥16.5556 ¥16.8935
  • 900+ ¥15.8358 ¥16.159
合计:¥97.17
标准包装数量:300

NGW40T60H3DF-VB IGBT单管

  • 型号: NGW40T60H3DF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nIGBT;TO-247;600V;120A;80 (TC=25C)-40 (TC=100C)VCEsat_1.8V@VGE=±30V;\nVBP16I40作为一款具有高性能和可靠性的功率半导体器件,使用台积电流片 长电封装,适用于工业电机驱动器、可再生能源转换、汽车电动化和高效电源等多个领域和模块,为这些领域的电力控制和转换提供了重要支持。
    台积电流片,长电封测。\nIGBT;TO-247;600V;120A;80 (TC=25C)-40 (TC=100C)VCEsat_1.8V@VGE=±30V;\nVBP16I40作为一款具有高性能和可靠性的功率半导体器件,使用台积电流片 长电封装,适用于工业电机驱动器、可再生能源转换、汽车电动化和高效电源等多个领域和模块,为这些领域的电力控制和转换提供了重要支持。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥14.7713 ¥15.0728
  • 100+ ¥13.6772 ¥13.9563
  • 500+ ¥12.583 ¥12.8398
  • 900+ ¥12.0359 ¥12.2815
合计:¥73.86
标准包装数量:300

VBGQA1603 IGBT单管

  • 型号: VBGQA1603
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nDFN8(5X6);N沟道,80V;90A;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;适用于工业级DC-DC变换器、电源逆变器等模块,提供高效、稳定的能量转换和电源输出,太阳能逆变器、UPS系统等高功率电源逆变模块,实现对直流电源的高效转换和稳定输出
    台积电流片,长电封测。\nDFN8(5X6);N沟道,80V;90A;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;适用于工业级DC-DC变换器、电源逆变器等模块,提供高效、稳定的能量转换和电源输出,太阳能逆变器、UPS系统等高功率电源逆变模块,实现对直流电源的高效转换和稳定输出
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.1395 ¥4.224
  • 5000+ ¥3.9595 ¥4.0403
合计:¥48.59
标准包装数量:5000

VBP16I60 IGBT单管

  • 型号: VBP16I60
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nIGBT;TO-247;600V;180A;120 (TC=25C)-60 (TC=100C)VCEsat_1.8V@VGE=±30V;在太阳能逆变器和风力发电控制器中,该产品可用于转换直流电为交流电,并实现电网连接,适用于太阳能发电站和风力发电场等再生能源系统。
    台积电流片,长电封测。\nIGBT;TO-247;600V;180A;120 (TC=25C)-60 (TC=100C)VCEsat_1.8V@VGE=±30V;在太阳能逆变器和风力发电控制器中,该产品可用于转换直流电为交流电,并实现电网连接,适用于太阳能发电站和风力发电场等再生能源系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥19.4349 ¥19.8315
  • 100+ ¥17.9953 ¥18.3625
  • 500+ ¥16.5556 ¥16.8935
  • 900+ ¥15.8358 ¥16.159
合计:¥97.17
标准包装数量:300

VBP165I60 IGBT单管

  • 型号: VBP165I60
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: IGBT;TO247;650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
    IGBT;TO247;650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥17.9399 ¥18.306
  • 100+ ¥16.611 ¥16.95
  • 500+ ¥15.2821 ¥15.594
  • 500+ ¥15.2821 ¥15.594
合计:¥89.70
标准包装数量:300
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