处理中...

{{item.name}}

SCT070HU120G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT070HU120G3AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HU-3PAK
  • 描述: 37nC@ 18V 223KW 900pF@ 850V 87mΩ@ 18V 1.2KV 22V HU-3PAK 贴片安装 14mm*11.8m*3.5mm
    37nC@ 18V 223KW 900pF@ 850V 87mΩ@ 18V 1.2KV 22V HU-3PAK 贴片安装 14mm*11.8m*3.5mm
  • 库   存:6000
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 600+ ¥62.6899
合计:¥37,613.94
标准包装数量:600

SCTW35N65G2VAG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW35N65G2VAG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=650 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=650 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:6000
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 600+ ¥80.1038
合计:¥48,062.28
标准包装数量:600

SCTW40N120G2VAG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW40N120G2VAG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:6000
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 600+ ¥105.048
合计:¥63,028.80
标准包装数量:600

SCT1000N170 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT1000N170
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247-3
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCT1000N170系列, Vds=1700 V, 7 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCT1000N170系列, Vds=1700 V, 7 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:530
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1-4工作日
  • 10+ ¥25.024
  • 500+ ¥24.5888
  • 1000+ ¥24.1536
  • 3000+ ¥23.5008
合计:¥250.24
标准包装数量:0

SCTWA60N120G2-4 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA60N120G2-4
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: STMicroelectronics MOS管 SCTW系列, Vds=1200 V, 60 A, HiP247-4封装, 通孔安装, 4引脚
    STMicroelectronics MOS管 SCTW系列, Vds=1200 V, 60 A, HiP247-4封装, 通孔安装, 4引脚
  • 库   存:271
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-11工作日
    内地交货(含增值税)
    8-13工作日
  • 1+ $17.8265 ¥149.5641
合计:¥149.56
标准包装数量:1

SCTW90N65G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW90N65G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTW90系列, Vds=650 V, 119 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTW90系列, Vds=650 V, 119 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:6000
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 600+ ¥172.8208
合计:¥103,692.48
标准包装数量:600

SCTWA10N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA10N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块 SCTWA10N120系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块 SCTWA10N120系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:113
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-18工作日
    内地交货(含增值税)
    4周
  • 1+ $9.2715 ¥77.7879
  • 10+ $7.28 ¥64.1332
  • 50+ $6.7 ¥59.0237
  • 100+ $6.4 ¥56.3808
合计:¥77.79
标准包装数量:0

SCTWA60N12G2-4AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA60N12G2-4AG
  • 厂牌:STMICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: 10μA 101nC@ 18V 388W 2.086nF@ 800V 58mΩ@ 18V 1.2KV 5V 22V
    10μA 101nC@ 18V 388W 2.086nF@ 800V 58mΩ@ 18V 1.2KV 5V 22V
  • 库   存:1000000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7工作日
  • 1000+ ¥59.6653
合计:¥59,665.30
标准包装数量:0

SCTL90N65G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTL90N65G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: N沟道MOS管 SCTL90N系列, Vds=650 V, 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV封装, 表面贴装, 5引脚
    N沟道MOS管 SCTL90N系列, Vds=650 V, 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV封装, 表面贴装, 5引脚
  • 库   存:30000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 3000+ ¥173.9504
合计:¥521,851.20
标准包装数量:3000

SCT10N120AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT10N120AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型SiC 电源模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型SiC 电源模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:6000
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 600+ ¥39.5342
合计:¥23,720.52
标准包装数量:600

SCTH70N120G2V-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH70N120G2V-7
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: MOS管 SCTH70N系列, Vds=1200 V, 90 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    MOS管 SCTH70N系列, Vds=1200 V, 90 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:10000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 1000+ ¥225.8155
合计:¥225,815.50
标准包装数量:1000

SCTW40N120G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW40N120G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: MOS管 SCTW40N系列, Vds=1200 V, 36 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    MOS管 SCTW40N系列, Vds=1200 V, 36 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:6000
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 600+ ¥94.5996
合计:¥56,759.76
标准包装数量:600

SCTH35N65G2V-7AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH35N65G2V-7AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 45 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 45 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:10000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 1000+ ¥72.95
合计:¥72,950.00
标准包装数量:1000

SCTH100N65G2-7AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH100N65G2-7AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=650 V, 98 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=650 V, 98 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:10000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 1000+ ¥170.4676
合计:¥170,467.60
标准包装数量:1000

SCTH60N120G2-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH60N120G2-7
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 60 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 60 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:10000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 1000+ ¥141.2876
合计:¥141,287.60
标准包装数量:1000

SCT20N120H 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT20N120H
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-2
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SiC MOSFET系列, Vds=1200 V, 20 A, H2PAK-2封装, 表面贴装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SiC MOSFET系列, Vds=1200 V, 20 A, H2PAK-2封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:10000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 1000+ ¥71.2557
合计:¥71,255.70
标准包装数量:1000

SCT10N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT10N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:6000
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 600+ ¥30.8743
合计:¥18,524.58
标准包装数量:600

SCTH40N120G2V7AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH40N120G2V7AG
  • 厂牌:STMICROELECTRONICS
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:201000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    3-5周
    内地交货(含增值税)
    4-5周
  • 1000+ $10.6604 ¥89.4408
合计:¥89,440.80
标准包装数量:1000

SCT040H65G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT040H65G3AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=650 V, 30 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=650 V, 30 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:10000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 1000+ ¥61.278
合计:¥61,278.00
标准包装数量:1000

SCT20N120AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT20N120AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型SiC 电源模块 SCT系列, Vds=1200 V, 16 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型SiC 电源模块 SCT系列, Vds=1200 V, 16 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:6000
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    12-20周
  • 1000+ ¥61.278
合计:¥50,637.24
标准包装数量:600
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧