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PJM7002KNSA 未分类

  • 型号: PJM7002KNSA
  • 厂牌:PJ/东莞平晶微电子
  • 封装:--
  • 描述: MOSFET 60V 0.3A 3000毫欧 SOT-23
    MOSFET 60V 0.3A 3000毫欧 SOT-23
  • 库   存:100000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-10工作日
  • 1000+ ¥0.061
  • 3000+ ¥0.0594
  • 95000+ ¥0.0583
  • 284000+ ¥0.0572
  • 567000+ ¥0.053
合计:¥61.00
标准包装数量:1000

PJM3402NSA 未分类

  • 型号: PJM3402NSA
  • 厂牌:PJ/东莞平晶微电子
  • 封装:--
  • 描述: 商品名称:PJM3402NSA, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:30V, 漏极电流Id:4A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):52mΩ@Vgs=10V,功率耗散(最大值):1.2W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23
    商品名称:PJM3402NSA, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:30V, 漏极电流Id:4A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):52mΩ@Vgs=10V,功率耗散(最大值):1.2W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23
  • 库   存:30000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5工作日
  • 3000+ ¥0.1364
  • 9000+ ¥0.1281
  • 15000+ ¥0.1213
  • 96000+ ¥0.1136
合计:¥409.20
标准包装数量:3000

PJ54M33SQ 未分类

  • 型号: PJ54M33SQ
  • 厂牌:PJ/东莞平晶微电子
  • 封装:--
  • 描述: LDO PJ54M33SQ VIN=45V VOUT =3.3V 350mA
    LDO PJ54M33SQ VIN=45V VOUT =3.3V 350mA
  • 库   存:180000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-10工作日
  • 1000+ ¥0.4416
  • 3000+ ¥0.4301
  • 14000+ ¥0.4224
  • 40000+ ¥0.4147
  • 79000+ ¥0.384
合计:¥441.60
标准包装数量:1000

BAT54S 未分类

  • 型号: BAT54S
  • 厂牌:PJ/东莞平晶微电子
  • 封装:--
  • 描述: 二极管 30V 200mA SOT-23
    二极管 30V 200mA SOT-23
  • 库   存:100000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-10工作日
  • 1000+ ¥0.0713
  • 3000+ ¥0.0694
  • 81000+ ¥0.0682
  • 242000+ ¥0.067
  • 484000+ ¥0.062
合计:¥71.30
标准包装数量:1000

PJM2312NSA 未分类

  • 型号: PJM2312NSA
  • 厂牌:PJ/东莞平晶微电子
  • 封装:--
  • 描述: 商品名称:PJM2312NSA, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:20V, 漏极电流Id:5A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):28mΩ@Vgs=4.5V,功率耗散(最大值):1.25W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23
    商品名称:PJM2312NSA, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:20V, 漏极电流Id:5A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):28mΩ@Vgs=4.5V,功率耗散(最大值):1.25W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23
  • 库   存:30000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5工作日
  • 3000+ ¥0.1754
  • 9000+ ¥0.1648
  • 15000+ ¥0.1559
  • 75000+ ¥0.146
合计:¥526.20
标准包装数量:3000

PJM2304NSA 未分类

  • 型号: PJM2304NSA
  • 厂牌:PJ/东莞平晶微电子
  • 封装:--
  • 描述: 商品名称:PJM2304NSA, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:30V, 漏极电流Id:3.6A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):58mΩ@Vgs=10V,功率耗散(最大值):0.9W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23
    商品名称:PJM2304NSA, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:30V, 漏极电流Id:3.6A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):58mΩ@Vgs=10V,功率耗散(最大值):0.9W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23
  • 库   存:30000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5工作日
  • 3000+ ¥0.1325
  • 9000+ ¥0.1245
  • 15000+ ¥0.1178
  • 99000+ ¥0.1103
合计:¥397.50
标准包装数量:3000

DW01A 未分类

  • 型号: DW01A
  • 厂牌:PJ/东莞平晶微电子
  • 封装:--
  • 描述: 锂电池内充电保护IC,贴片安装 SOT-23-6 过充过放保护,过流保护,Voc:2.28V ,Vod:2.4V
    锂电池内充电保护IC,贴片安装 SOT-23-6 过充过放保护,过流保护,Voc:2.28V ,Vod:2.4V
  • 库   存:12000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5工作日
  • 3000+ ¥0.2209
  • 9000+ ¥0.2075
  • 15000+ ¥0.1964
  • 60000+ ¥0.1839
合计:¥662.70
标准包装数量:3000

PJM10H02NSA 未分类

  • 型号: PJM10H02NSA
  • 厂牌:PJ/东莞平晶微电子
  • 封装:--
  • 描述: N沟通增强型MOSFET.Vds=100V,Id=2A,RDS(ON)<24mΩ@Vgs=10V,PD:0.9W, VTH:1.2~2.5V,SOT-23
    N沟通增强型MOSFET.Vds=100V,Id=2A,RDS(ON)<24mΩ@Vgs=10V,PD:0.9W, VTH:1.2~2.5V,SOT-23
  • 库   存:21000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5工作日
  • 3000+ ¥0.2274
  • 9000+ ¥0.2136
  • 15000+ ¥0.2021
  • 60000+ ¥0.1893
合计:¥682.20
标准包装数量:3000

PJM2310NSA 未分类

  • 型号: PJM2310NSA
  • 厂牌:PJ/东莞平晶微电子
  • 封装:--
  • 描述: 商品名称:PJM2310NSA, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:60V, 漏极电流Id:3A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):105mΩ@Vgs=10V,功率耗散(最大值):0.9W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23
    商品名称:PJM2310NSA, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:60V, 漏极电流Id:3A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):105mΩ@Vgs=10V,功率耗散(最大值):0.9W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23
  • 库   存:30000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5工作日
  • 3000+ ¥0.1767
  • 9000+ ¥0.166
  • 15000+ ¥0.1571
  • 75000+ ¥0.1471
合计:¥530.10
标准包装数量:3000

PJM2310NSC 未分类

  • 型号: PJM2310NSC
  • 厂牌:PJ/东莞平晶微电子
  • 封装:--
  • 描述: 商品名称:PJM2310NSC, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:60V, 漏极电流Id:3A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):105mΩ@Vgs=10V,功率耗散(最大值):1W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23-3
    商品名称:PJM2310NSC, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:60V, 漏极电流Id:3A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):105mΩ@Vgs=10V,功率耗散(最大值):1W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23-3
  • 库   存:21000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5工作日
  • 3000+ ¥0.1884
  • 9000+ ¥0.177
  • 15000+ ¥0.1675
  • 69000+ ¥0.1568
合计:¥565.20
标准包装数量:3000

PJM2306NSA 未分类

  • 型号: PJM2306NSA
  • 厂牌:PJ/东莞平晶微电子
  • 封装:--
  • 描述: 商品名称:PJM2306NSA, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:30V, 漏极电流Id:3.5A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):47mΩ@Vgs=10V,功率耗散(最大值):0.7W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23
    商品名称:PJM2306NSA, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:30V, 漏极电流Id:3.5A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):47mΩ@Vgs=10V,功率耗散(最大值):0.7W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23
  • 库   存:12000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5工作日
  • 3000+ ¥0.1325
  • 9000+ ¥0.1245
  • 15000+ ¥0.1178
  • 99000+ ¥0.1103
合计:¥397.50
标准包装数量:3000

PJ3002SE 未分类

  • 型号: PJ3002SE
  • 厂牌:PJ/东莞平晶微电子
  • 封装:--
  • 描述: 单口USB充电控制IC,贴片安装 SOT-23-5 ,支持BC1.2,中国电信标准YD/T 1591-2009,支持苹果手机充电 D+/D-:2.7V. 支持三星手机充电 D+/D-:1.2V,D+/D-自动检测,工作电压:4.3~5.5V,ESD:±8KV
    单口USB充电控制IC,贴片安装 SOT-23-5 ,支持BC1.2,中国电信标准YD/T 1591-2009,支持苹果手机充电 D+/D-:2.7V. 支持三星手机充电 D+/D-:1.2V,D+/D-自动检测,工作电压:4.3~5.5V,ESD:±8KV
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5工作日
  • 3000+ ¥0.2144
  • 9000+ ¥0.2014
  • 15000+ ¥0.1906
  • 63000+ ¥0.1784
合计:¥643.20
标准包装数量:3000

PJM3416NSA 未分类

  • 型号: PJM3416NSA
  • 厂牌:PJ/东莞平晶微电子
  • 封装:--
  • 描述: 商品名称:PJM3416NSA, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:20V, 漏极电流Id:6.5A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):22mΩ@Vgs=4.5V,功率耗散(最大值):1.2W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23
    商品名称:PJM3416NSA, 类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单, FET 类型:N-Channel,漏源电压Vdss:20V, 漏极电流Id:6.5A, 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):22mΩ@Vgs=4.5V,功率耗散(最大值):1.2W,工作温度:150℃(max TJ),封装/外壳:SOT-23
  • 库   存:30000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5工作日
  • 3000+ ¥0.2404
  • 9000+ ¥0.2258
  • 15000+ ¥0.2137
  • 15000+ ¥0.2137
合计:¥721.20
标准包装数量:3000
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