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MDD3400 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD3400
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:N沟道 30V 5.8A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):5.8A,RDS(on)(DS导通内阻):27mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:N沟道 30V 5.8A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):5.8A,RDS(on)(DS导通内阻):27mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:30000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 3000+ ¥0.1092
  • 6000+ ¥0.1062
  • 15000+ ¥0.1035
合计:¥327.60
标准包装数量:3000

2N7002K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N7002K
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:N沟道 60V 0.5A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):60V,ID(DS最大平均电流):500mA,RDS(on)(DS导通内阻):0.9Ω@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:N沟道 60V 0.5A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):60V,ID(DS最大平均电流):500mA,RDS(on)(DS导通内阻):0.9Ω@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:33000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 3000+ ¥0.0426 ¥0.0533
  • 9000+ ¥0.0414 ¥0.0518
  • 9000+ ¥0.0414 ¥0.0518
合计:¥127.80
标准包装数量:3000
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