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HC2M0160120K 碳化硅场效应管

  • 型号: HC2M0160120K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 描述: 这款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为1200V高电压应用设计。额定电流19A,适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性、低导通损耗和快速开关特性,是现代高效能源管理与功率转换的理想器件。
    描述: 这款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为1200V高电压应用设计。额定电流19A,适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性、低导通损耗和快速开关特性,是现代高效能源管理与功率转换的理想器件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥16.74
  • 90+ ¥16.461
  • 150+ ¥16.0425
合计:¥1,004.40
标准包装数量:30

HC3M0032120K 碳化硅场效应管

  • 型号: HC3M0032120K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为1200V高电压应用设计,额定电流高达63A。适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性、低导通电阻和快速开关性能,是现代高效能源管理与功率控制的理想选择。
    描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为1200V高电压应用设计,额定电流高达63A。适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性、低导通电阻和快速开关性能,是现代高效能源管理与功率控制的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥39.9
  • 90+ ¥39.235
  • 150+ ¥38.2375
合计:¥2,394.00
标准包装数量:30

HC2M0080120K 碳化硅场效应管

  • 型号: HC2M0080120K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为高电压、大电流应用打造。额定耐压1200V,连续电流高达36A,适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统,具备卓越的高温性能、低导通电阻及高效能优势,是现代能源管理系统的核心器件。
    描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为高电压、大电流应用打造。额定耐压1200V,连续电流高达36A,适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统,具备卓越的高温性能、低导通电阻及高效能优势,是现代能源管理系统的核心器件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥20.52
  • 90+ ¥20.178
  • 150+ ¥19.665
合计:¥1,231.20
标准包装数量:30

HC3M0045065K1 碳化硅场效应管

  • 型号: HC3M0045065K1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管,电流为49A,电压650V,内阻典型值33mR。其VGS范围是-5到+20,类型为N型。适用于多种电子产品,能在高电压下承载较大电流。低内阻可减少功率损耗,确保电路高效稳定运行。
    这款碳化硅场效应管,电流为49A,电压650V,内阻典型值33mR。其VGS范围是-5到+20,类型为N型。适用于多种电子产品,能在高电压下承载较大电流。低内阻可减少功率损耗,确保电路高效稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥46.44
  • 90+ ¥45.666
  • 150+ ¥44.505
合计:¥2,786.40
标准包装数量:30

HC3M0030065K 碳化硅场效应管

  • 型号: HC3M0030065K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管,电流为97A,电压650V,内阻典型值25mR。VGS范围在-5到+20。类型为N型。适用于多种电子产品,高电流和高电压特性使其能高效处理较大功率。低内阻可减少功耗,提升电路性能。
    这款碳化硅场效应管,电流为97A,电压650V,内阻典型值25mR。VGS范围在-5到+20。类型为N型。适用于多种电子产品,高电流和高电压特性使其能高效处理较大功率。低内阻可减少功耗,提升电路性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥82.08
  • 90+ ¥80.712
  • 150+ ¥78.66
合计:¥4,924.80
标准包装数量:30

HC3M0015120K 碳化硅场效应管

  • 型号: HC3M0015120K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管,电流达117A,电压为1200V,内阻典型值33mR。VGS范围在-4到+18,类型为N型。适用于各类电子产品,高电流和高电压特性可满足大功率需求。低内阻减少功耗,确保电路稳定高效运行。
    这款碳化硅场效应管,电流达117A,电压为1200V,内阻典型值33mR。VGS范围在-4到+18,类型为N型。适用于各类电子产品,高电流和高电压特性可满足大功率需求。低内阻减少功耗,确保电路稳定高效运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥172.98
  • 90+ ¥170.097
  • 150+ ¥165.7725
合计:¥10,378.80
标准包装数量:30

HC3M001K170J 碳化硅场效应管

  • 型号: HC3M001K170J
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管,电流为6A,电压1700V,内阻典型值700mR。VGS范围是-4到+18,类型为N型。适用于各类电子产品,能在高电压下工作。尽管内阻较高,但可满足特定小功率高电压场景需求,确保电路稳定运行。
    这款碳化硅场效应管,电流为6A,电压1700V,内阻典型值700mR。VGS范围是-4到+18,类型为N型。适用于各类电子产品,能在高电压下工作。尽管内阻较高,但可满足特定小功率高电压场景需求,确保电路稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥17.28
  • 150+ ¥16.992
  • 250+ ¥16.56
合计:¥1,728.00
标准包装数量:50

HC2M0040120K 碳化硅场效应管

  • 型号: HC2M0040120K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为1200V高压大电流应用打造。额定连续电流高达78A,尤其适用于高功率电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性能、低导通电阻和快速开关响应,是现代高效能源管理系统的核心半导体元件。
    描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为1200V高压大电流应用打造。额定连续电流高达78A,尤其适用于高功率电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性能、低导通电阻和快速开关响应,是现代高效能源管理系统的核心半导体元件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥49.44
  • 90+ ¥48.616
  • 150+ ¥47.38
合计:¥2,966.40
标准包装数量:30

HC2M0040120D 碳化硅场效应管

  • 型号: HC2M0040120D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 描述: 这款工业级碳化硅N沟道MOSFET采用TO-247封装,针对1200V高压应用优化。额定电流高达55A,适用于极端条件下的电源转换、电机驱动和逆变系统,具有出色的高温稳定性、低导通损耗及快速开关特性,是现代高效能源管理与功率转换的关键器件。
    描述: 这款工业级碳化硅N沟道MOSFET采用TO-247封装,针对1200V高压应用优化。额定电流高达55A,适用于极端条件下的电源转换、电机驱动和逆变系统,具有出色的高温稳定性、低导通损耗及快速开关特性,是现代高效能源管理与功率转换的关键器件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥33.6
  • 90+ ¥33.04
  • 150+ ¥32.2
合计:¥2,016.00
标准包装数量:30

HC2M0080120D 碳化硅场效应管

  • 型号: HC2M0080120D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1200V高电压、大电流应用设计。额定电流36A,特别适合严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统,具备出色的高温稳定性能、低导通电阻及快速开关速度,是现代高效能源管理的理想半导体元件。
    描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1200V高电压、大电流应用设计。额定电流36A,特别适合严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统,具备出色的高温稳定性能、低导通电阻及快速开关速度,是现代高效能源管理的理想半导体元件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥17.82
  • 90+ ¥17.523
  • 150+ ¥17.0775
合计:¥1,069.20
标准包装数量:30

HC2M0160120D 碳化硅场效应管

  • 型号: HC2M0160120D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 描述: 该款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1200V高电压应用设计。额定电流18A,适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性能、低导通电阻和快速开关响应速度,是现代电力电子设备中实现高效能控制的理想组件。
    描述: 该款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1200V高电压应用设计。额定电流18A,适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性能、低导通电阻和快速开关响应速度,是现代电力电子设备中实现高效能控制的理想组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥15.288
  • 90+ ¥15.0332
  • 150+ ¥14.651
合计:¥917.28
标准包装数量:30

HC2M1000170D 碳化硅场效应管

  • 型号: HC2M1000170D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1700V超高电压、中等电流应用设计。额定电流5A,适用于严苛环境下的电源转换、逆变器和高压开关电路,具有卓越的高温稳定性、低导通电阻及快速开关特性,是现代电力电子设备的理想组件。
    描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1700V超高电压、中等电流应用设计。额定电流5A,适用于严苛环境下的电源转换、逆变器和高压开关电路,具有卓越的高温稳定性、低导通电阻及快速开关特性,是现代电力电子设备的理想组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥9.1895
  • 90+ ¥9.0363
  • 150+ ¥8.8066
合计:¥551.37
标准包装数量:30

HC3M0045065D 碳化硅场效应管

  • 型号: HC3M0045065D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管,电流达49A,电压为650V,内阻典型值33mR。VGS在-5到+20之间。类型为N型。适用于各类电子产品,具备较高的电流和电压承载能力。低内阻可降低功耗,确保电路稳定高效运行。
    这款碳化硅场效应管,电流达49A,电压为650V,内阻典型值33mR。VGS在-5到+20之间。类型为N型。适用于各类电子产品,具备较高的电流和电压承载能力。低内阻可降低功耗,确保电路稳定高效运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥51.3
  • 90+ ¥50.445
  • 150+ ¥49.1625
合计:¥3,078.00
标准包装数量:30

HC3M00160120D 碳化硅场效应管

  • 型号: HC3M00160120D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管,电流为17A,电压1200V,内阻典型值160mR。VGS在-4到+18之间,类型为N型。适用于多种电子产品,可在高电压环境下工作。虽内阻稍高,但仍能满足特定功率需求,确保电路稳定运行。
    这款碳化硅场效应管,电流为17A,电压1200V,内阻典型值160mR。VGS在-4到+18之间,类型为N型。适用于多种电子产品,可在高电压环境下工作。虽内阻稍高,但仍能满足特定功率需求,确保电路稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥30.24
  • 90+ ¥29.736
  • 150+ ¥28.98
合计:¥1,814.40
标准包装数量:30

HC2M0045170D 碳化硅场效应管

  • 型号: HC2M0045170D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1700V超高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达72A,适用于极端条件下的电源转换、电机驱动和逆变系统,具备出色的高温稳定性、低导通电阻及快速开关性能,是现代电力电子设备的核心部件。
    描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1700V超高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达72A,适用于极端条件下的电源转换、电机驱动和逆变系统,具备出色的高温稳定性、低导通电阻及快速开关性能,是现代电力电子设备的核心部件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥162
  • 90+ ¥159.3
  • 150+ ¥155.25
合计:¥9,720.00
标准包装数量:30

HC3M0075120D 碳化硅场效应管

  • 型号: HC3M0075120D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 描述: 这款工业级碳化硅N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为高电压、大电流应用设计。额定击穿电压1200V,连续电流可达32A,尤其适用于电源转换器、电机驱动及工业逆变系统,具备卓越的高温稳定性和低损耗特性,是严苛环境下高效能电力管理的理想选择。
    描述: 这款工业级碳化硅N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为高电压、大电流应用设计。额定击穿电压1200V,连续电流可达32A,尤其适用于电源转换器、电机驱动及工业逆变系统,具备卓越的高温稳定性和低损耗特性,是严苛环境下高效能电力管理的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥19.152
  • 90+ ¥18.8328
  • 90+ ¥18.8328
合计:¥1,149.12
标准包装数量:30
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