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ASDM3407ZA-R 未分类

  • 型号: ASDM3407ZA-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:P沟道漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):-4.1A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):38mΩ@-10V功率(Pd):1.36W
    类型:P沟道漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):-4.1A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):38mΩ@-10V功率(Pd):1.36W
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 3000+ ¥0.1495
  • 9000+ ¥0.143
  • 30000+ ¥0.1404
合计:¥448.50
标准包装数量:3000

ASDM65S260NG-R 未分类

  • 型号: ASDM65S260NG-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:N沟道TO-263漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):15A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):224mΩ@10V功率(Pd):521W
    类型:N沟道TO-263漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):15A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):224mΩ@10V功率(Pd):521W
  • 库   存:800
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 800+ ¥4.14
  • 2400+ ¥3.96
  • 8000+ ¥3.888
合计:¥3,312.00
标准包装数量:800

ASDM65S260NF-T 未分类

  • 型号: ASDM65S260NF-T
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:N沟道TO-220F漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):15A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):227mΩ@10V功率(Pd):33W
    类型:N沟道TO-220F漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):15A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):227mΩ@10V功率(Pd):33W
  • 库   存:50
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 50+ ¥4.37
  • 150+ ¥4.18
  • 500+ ¥4.104
合计:¥218.50
标准包装数量:50

ASDM65S180NTE-R 未分类

  • 型号: ASDM65S180NTE-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:N沟道DFN8*8漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):21A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V功率(Pd):176W
    类型:N沟道DFN8*8漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):21A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V功率(Pd):176W
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    11-12周
  • 5000+ ¥5.98
  • 15000+ ¥5.72
  • 50000+ ¥5.616
合计:¥29,900.00
标准包装数量:5000

ASJ037N65L2HF-T 未分类

  • 型号: ASJ037N65L2HF-T
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:N沟道TO-247漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):83A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@10V功率(Pd):633W
    类型:N沟道TO-247漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):83A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@10V功率(Pd):633W
  • 库   存:30
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    11-12周
  • 30+ ¥19.55
  • 90+ ¥18.7
  • 300+ ¥18.36
合计:¥586.50
标准包装数量:30

ASJ360N65K1HE-R 未分类

  • 型号: ASJ360N65K1HE-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:N沟道TO-252漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):341mΩ@10V功率(Pd):83W
    类型:N沟道TO-252漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):341mΩ@10V功率(Pd):83W
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    11-12周
  • 2500+ ¥2.645
  • 7500+ ¥2.53
  • 25000+ ¥2.484
合计:¥6,612.50
标准包装数量:2500

ASJ360N65F1HE-T 未分类

  • 型号: ASJ360N65F1HE-T
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:N沟道TO-220F漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):341mΩ@10V功率(Pd):118W
    类型:N沟道TO-220F漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):341mΩ@10V功率(Pd):118W
  • 库   存:50
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    11-12周
  • 50+ ¥2.76
  • 150+ ¥2.64
  • 500+ ¥2.592
合计:¥138.00
标准包装数量:50

ASDM2300ZA-R 未分类

  • 型号: ASDM2300ZA-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id):4.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V功率(Pd):1.25W
    类型:N沟道 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id):4.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V功率(Pd):1.25W
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 3000+ ¥0.115
  • 9000+ ¥0.11
  • 30000+ ¥0.108
合计:¥345.00
标准包装数量:3000

ASDM30P11ATD-R 未分类

  • 型号: ASDM30P11ATD-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:P沟道漏源电压(Vdss): -30V 连续漏极电流(Id):-55A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.7mΩ@-10V功率(Pd):31.2W
    类型:P沟道漏源电压(Vdss): -30V 连续漏极电流(Id):-55A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.7mΩ@-10V功率(Pd):31.2W
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 5000+ ¥0.69
  • 15000+ ¥0.66
  • 50000+ ¥0.648
合计:¥3,450.00
标准包装数量:5000

ASDM60DN30Q-R 未分类

  • 型号: ASDM60DN30Q-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:双N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V功率(Pd):40W
    类型:双N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V功率(Pd):40W
  • 库   存:4000
  • 起订量:4000
  • 增   量:4000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 4000+ ¥1.15
  • 12000+ ¥1.1
  • 40000+ ¥1.08
合计:¥4,600.00
标准包装数量:4000

ASDM20N16E-R 未分类

  • 型号: ASDM20N16E-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型: N沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):16A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.7mΩ@10V功率(Pd):1.0W
    类型: N沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):16A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.7mΩ@10V功率(Pd):1.0W
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 5000+ ¥0.368
  • 15000+ ¥0.352
  • 50000+ ¥0.3456
合计:¥1,840.00
标准包装数量:5000

ASDM60P25KQ-R 未分类

  • 型号: ASDM60P25KQ-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss): -60V 连续漏极电流(Id):-25A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@-10V功率(Pd):60W
    类型:P沟道 漏源电压(Vdss): -60V 连续漏极电流(Id):-25A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@-10V功率(Pd):60W
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 2500+ ¥0.8395
  • 7500+ ¥0.803
  • 25000+ ¥0.7884
合计:¥2,098.75
标准包装数量:2500

ASDM30P100Q-R 未分类

  • 型号: ASDM30P100Q-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:P沟道漏源电压(Vdss): -30V 连续漏极电流(Id):-100A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7mΩ@-10V功率(Pd):54.5W
    类型:P沟道漏源电压(Vdss): -30V 连续漏极电流(Id):-100A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7mΩ@-10V功率(Pd):54.5W
  • 库   存:4000
  • 起订量:4000
  • 增   量:4000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 4000+ ¥1.265
  • 12000+ ¥1.21
  • 40000+ ¥1.188
合计:¥5,060.00
标准包装数量:4000

ASP703AS-R 未分类

  • 型号: ASP703AS-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 7-70V宽范围输入,3A连续大电流,降压DCDC外置开关MOS转换器SOP8封装
    7-70V宽范围输入,3A连续大电流,降压DCDC外置开关MOS转换器SOP8封装
  • 库   存:4000
  • 起订量:4000
  • 增   量:4000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 4000+ ¥2.07
  • 12000+ ¥1.98
  • 40000+ ¥1.944
合计:¥8,280.00
标准包装数量:4000

ASDM100R160NP-T 未分类

  • 型号: ASDM100R160NP-T
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型: N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):45A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V功率(Pd):72W
    类型: N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):45A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V功率(Pd):72W
  • 库   存:50
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 50+ ¥1.4605
  • 150+ ¥1.397
  • 500+ ¥1.3716
合计:¥73.03
标准包装数量:50

ASDM80N80KQ-R 未分类

  • 型号: ASDM80N80KQ-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型: N沟道漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):80A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.4mΩ@10V功率(Pd):138.9W
    类型: N沟道漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):80A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.4mΩ@10V功率(Pd):138.9W
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 2500+ ¥1.2995
  • 7500+ ¥1.243
  • 25000+ ¥1.2204
合计:¥3,248.75
标准包装数量:2500

ASDM30C25E-R 未分类

  • 型号: ASDM30C25E-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:N+P双沟道漏源电压(Vdss):N沟道 30V 连续漏极电流(Id):25A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V P沟道 -30V 连续漏极电流(Id):-24A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@-10V 功率(Pd):2.8W
    类型:N+P双沟道漏源电压(Vdss):N沟道 30V 连续漏极电流(Id):25A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V P沟道 -30V 连续漏极电流(Id):-24A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@-10V 功率(Pd):2.8W
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 5000+ ¥0.6325
  • 15000+ ¥0.605
  • 50000+ ¥0.594
合计:¥3,162.50
标准包装数量:5000

ASDM100R066NF-T 未分类

  • 型号: ASDM100R066NF-T
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型: N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):90A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.6mΩ@10V功率(Pd):50W
    类型: N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):90A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.6mΩ@10V功率(Pd):50W
  • 库   存:50
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 50+ ¥2.3
  • 150+ ¥2.2
  • 500+ ¥2.16
合计:¥115.00
标准包装数量:50

ASDM3415EAZA-R 未分类

  • 型号: ASDM3415EAZA-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 类型:P沟道漏源电压(Vdss): -20V 连续漏极电流(Id):-5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@-10V功率(Pd):1.32W
    类型:P沟道漏源电压(Vdss): -20V 连续漏极电流(Id):-5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@-10V功率(Pd):1.32W
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 3000+ ¥0.1955
  • 9000+ ¥0.187
  • 30000+ ¥0.1836
合计:¥586.50
标准包装数量:3000

ASP652AW-R 未分类

  • 型号: ASP652AW-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: 60V2A宽范围输入大电流,异步降压DCDC转换器,ESOP8封装
    60V2A宽范围输入大电流,异步降压DCDC转换器,ESOP8封装
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 3000+ ¥1.725
  • 9000+ ¥1.65
  • 9000+ ¥1.65
合计:¥5,175.00
标准包装数量:3000
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