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ASDM30N90KQ-R 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ASDM30N90KQ-R
  • 厂牌:ASDsemi/安森德半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 40nC@ 10V 3.6mΩ@ 10V,30A 90A TO-252
    40nC@ 10V 3.6mΩ@ 10V,30A 90A TO-252
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 2500+ ¥0.7015
  • 7500+ ¥0.671
  • 25000+ ¥0.6588
合计:¥1,753.75
标准包装数量:2500

ASDM100R090NQ-R 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ASDM100R090NQ-R
  • 厂牌:ASDsemi/安森德半导体
  • 封装:PDFN-5
  • 描述: 类型:N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):55A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.1mΩ@10V功率(Pd):104W
    类型:N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):55A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.1mΩ@10V功率(Pd):104W
  • 库   存:4000
  • 起订量:4000
  • 增   量:4000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 4000+ ¥1.6675
  • 12000+ ¥1.595
  • 40000+ ¥1.566
合计:¥6,670.00
标准包装数量:4000

ASDM7002EZA-R 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ASDM7002EZA-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 类型: N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):0.3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1600mΩ@10V功率(Pd):0.36W
    类型: N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):0.3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1600mΩ@10V功率(Pd):0.36W
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 3000+ ¥0.069
  • 9000+ ¥0.066
  • 30000+ ¥0.0648
合计:¥207.00
标准包装数量:3000

ASDM640NP-T 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ASDM640NP-T
  • 厂牌:ASDsemi/安森德半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 类型: N沟道TO-220漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@10V 功率(Pd):104W
    类型: N沟道TO-220漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@10V 功率(Pd):104W
  • 库   存:50
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-6周
  • 50+ ¥1.265
  • 150+ ¥1.21
  • 500+ ¥1.188
合计:¥63.25
标准包装数量:50

ASDM30P30BE-R 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ASDM30P30BE-R
  • 厂牌:ASDSEMI/安森德半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:4638
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7347
  • 50+ ¥0.6429
  • 150+ ¥0.5281
  • 500+ ¥0.4913
  • 5000+ ¥0.473
  • 5000+ ¥0.473
合计:¥3.67
标准包装数量:5000
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