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2013年半导体先进制程布局

2013年半导体先进制程布局
来源:digitimes 时间:2013-03-12

半导体先进制程布局在28nm阶段被炒热,主要是受惠通讯晶片对于省电、高效能的要求,使得28nm需求旺盛。2012年仅台积电有产能,但仍无法满足大客户需求,到2013年初,台积电28nm制程的产能已扩增倍数,目前单月产能约7万片12寸晶圆。

台积电28nm产能开出之际,同业也积极拉升28nm良率,以卡位第二供应商策略进入战场,日前GlobalFoundries的良率大幅提升,已抢下高通(Qualcomm)、联发科等订单。

在28nm制程以下是20nm制程,但部分客户转进意愿不高,因为20nm制程技术仍是停留在平面式电晶体的设计,成本下降速度不及增加的投资金额,因此宁愿暂时以28nm为主,之后在转进3D架构电晶体FinFET技术。

FinFET技术早是英特尔(Intel)在22nm制程导入,未来14nm也会延续,台积电计划在16nm制程导入FinFET技术、GlobalFoundries在14nm制程导入、三星电子则预计从14nm导入FinFET技术,联电的FinFET技术从计划从20nm切入,会与IBM合作加速其进度。