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3D闪存大战在即,美光砸40亿建厂

3D闪存大战在即,美光砸40亿建厂
来源:超能网 时间:2015-03-10

传统的平面闪存在16/15nm工艺之后面临瓶颈,厂商开始转向3D闪存,这其中三星动作快,去年就已经开始量产第二代V-NAND闪存了,850 Pro及850 Evo硬盘也上市了。东芝/闪迪系也在跟进,在日本扩建Fab 2工厂准备3D闪存生产,Intel/美光系去年底也公开了他们的3D NAND闪存,现在也准备量产了。日前美光宣布投资40亿美元扩建新加坡的Fab 10晶圆厂,明年底开始量产第二代3D NAND闪存。

美光在新加坡现有Fab 10N晶圆厂,每月产能约为14万片等效晶圆,这次投资新建的是Fab 10X晶圆厂,主要生产第二代3D NAND闪存,建成后每月产能还是大约14万片等效晶圆,不过之后就是3D NAND闪存了,因此总产能更大,在未来的几年里可支撑每年bit容量增长40-50%。

此次投资总额约为40亿美元,整个项目要到2017财年也就是2016年Q4季度才能完成,其中2015财年先期投资为5亿美元。



美光的Fab 10X工厂主要是生产第二代的3D NAND闪存,根据Intel之前所说,二代3D NAND闪存可以堆叠32层NAND,die核心容量则高达256Gb,这样就能达到1TB容量,如果是TLC闪存,die容量则可以达到 384Gb,2mm厚度下就能实现1TB的容量,也就是一张SD卡的大小就有TB+的容量。

在美光的路线图上,平面的16nm工艺之后他们就会100%专注于3D NAND闪存,2015年底首先会在消费级市场推出3D NAND闪存的固态硬盘,不过这个应该是代3D NAND的,堆叠层数为16层,比三星的V-NAND略低。