处理中...

首页 > 资料大全 > 技术资料 >

2014年下半年DDR4、NAND Flash存储器芯片发展趋势

2014年下半年DDR4、NAND Flash存储器芯片发展趋势
来源:OFweek电子工程网 时间:2014-09-04
  • OFweek 电子工程 网讯:DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量,在2014年下半将导入英特尔工作站/伺服器以及高阶桌上型电脑平台,并与LP-DDR3记忆体将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪记忆体也跨入1x奈米制程,MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方式,提升可抹写次数(Program Erase;P/E)来抢占极端要求耐受度的军方与工控市场,而C/P值高的TLC从随身碟、记忆卡的应用导向低阶SSD…

    DDR4伺服器先行 2016超越DDR3成为主流

    处理器(CPU)、绘图晶片(GPU)运算效能随摩尔定律而飞快进展,加上云端运算、网际网路行动化浪潮下,持续驱动动态记忆体(Dynamic RAM;DRAM)的规格进化。从非同步的DIP、EDO DRAM,到迈向同步时脉操作的SDRAM开始,以及讯号上下缘触发的DDR/DDR2/DDR3/DDR4记忆体,甚至导入20奈米与新型态的Wide I/O介面以降低讯号脚位数与整体功耗。

    处理器速度与云端运算持续驱动动态记忆体规格的演变,从DIP、EDO、SDRAM到DDR/DDR2/DDR3/DDR4。Samsung/Micron/Intel

    DDR4记忆体将于2014H2优先导入工作站/伺服器以及高阶桌机平台。Intel

    DDR4较以往不同的是改采VDDQ的终端电阻设计,目前计划中的传输速率进展到3,200Mbps,比目前速的DDR3-2133传输速率快了50%,将来不排除直达4,266Mbps;Bank数也大幅增加到16个(x4/x8)或8个(x16/32),这使得采x8设计的单一DDR4记忆体模组,容量就可达到16GB容量。

    而DDR4运作电压仅1.2V,比DDR3的1.5V低了至少20%,也比DDR3L的1.35V还低,更比目前x86 Ultrabook/Tablet使用的低功耗LP-DDR3的1.25V还要低,再加上DDR4首次支援深度省电技术(Deep Power Down),进入休眠模式时无须更新记忆体,或仅直接更新DIMM上的单一记忆体颗粒,减少35%~50%的待机功耗。

  • ICkey( 云汉芯城 )是一家一站式电子元器件采购网, 提供Digikey、Mouser(贸泽)、Element14(e络盟)、Wpi(大联大)、Future(富昌)、Avnet(安富利)、Arrow(艾睿)、Chip1stop、Onlinecomponents、Master等主流供货商的芯片采购服务,在IC采购, 元器件交易和IC交易业务领域中排名的在线采购平台。