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宜特突破IC电路除错技术 实现28奈米小线宽修改

宜特突破IC电路除错技术 实现28奈米小线宽修改
来源:华强电子网 时间:2012-02-17

宜特科技(InnovativeServiceTechnology;IST)宣布,该公司从2010年开始布局的28奈米IC电路与除错技术已于近日突破技术门槛,不仅能为客户实现难度极高的28奈米小线宽修改,并使其电路除错能力更深入至IC底层(Metal1)。

看好28奈米制程可带来更高效能、低功耗以及尺寸更轻薄短小的IC产品,业界大厂业界大厂纷纷导入。台积电在2011底率先量产28奈米制程产品,并预估今年28奈米制程产品将达到整体营收的10%。联电近期也传出接获数间大厂的28奈米订单,进入试产阶段。紧追在后的三星电子及格罗方德(Globalfoundries),也各自有其在先进制程上的布局。

不过,28奈米制程亦有技术上的挑战。宜特科技可靠度与FIB工程处副总经理崔革文表示,28奈米在设计与布局上的复杂度大幅升高,并且很难有一套通用的可制造性设计(DFM)模型来确保设计与布局的正确性,将导致IC设计业者须进行更为频繁的光罩改版,增加时间成本与金钱成本的负担,一套28奈米光罩要价近2亿台币,是40奈米的好几倍,往来重新下光罩亦需一个多月。因此,许多业者采FIB(Focusedionbeam,聚焦离子束)线路修改技术,藉此省去光罩改版的时间与金钱成本。

宜特科技从2010年起展开28奈米IC线路修改的研究与布局,针对底层(Metal1)的极小线路作修改测试,并从极小间距中,研究如何设定正确参数将讯号引出,还可利用独有的低阻值连线技术(宜特已有中华民国专利),克服过大阻值易造成高频讯号的延迟与失真,目前在各个环节上均已完成验证,技术能量已可满足目前所有先进制程产品的除错与验证需求

除了拥有技术外,宜特也在这两年建造完成国内同时拥有可胜任40奈米与28奈米线路修改的实验室,除了一般的Front-sideFIB技术外,亦可支援Back-sideFIB线路修改技术。

Back-sideFIB是从IC晶片的背面(即矽基材端)来进行线路修改,该相关技术近年来受到高度瞩目,其需求亦日益趋多。特别在连线密度与I/O数都特别高的28奈米制程上,由于需要更多层的金属连线与更高比例的覆晶封装(FlipChip)形式,宜特预期使用Back-sideFIB线路修改将成为未来主流。