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2011年RF功率半导体元件收入破10亿美元

2011年RF功率半导体元件收入破10亿美元
来源:与非网 时间:2011-12-23

 

据国外媒体报道,2011年,无线基础设施市场中的RF功率半导体元件的支出出现显著增长。而同期的其他市场尤其是军用市场增长则较为温和,主要是受到全球经济前景和政治因素的影响。

此外,一直以来被视为RF功率半导体元件大有前途的新型“材料选择”的氮化镓(GaN)继续扩大其市场份额。

移动网络研究部主任兰斯·威尔逊(LanceWilson)指出:“氮化镓的市场份额肯定会在2012年大幅增长,预计在2017年以前一直是一股重要的增长力量。它弥补了两项原有技术之间的差距,展示了与硅LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)的功率处理能力相结合的砷化镓的高频性能。这是目前已经获得了一定市场份额的主流技术,预计这一技术的市场份额将在未来大幅提高。”

垂直市场显示,除无线基础设施部分以外,RF功率半导体元件业务呈现强劲上扬势头的另一个领域是商业航空电子设备和空中交通管制市场威尔逊认为该市场目前正成长为“一个重要的市场。”虽然这些芯片设备的生产商主要集中在工业化国家,但这一细分市场目前已经全球化,终端设备买家遍布世界各地。