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技术资料

索尼松下联合研发OLED面板+明年开发量产技术 2012-06-26

[OLED一定要有足够竞争,才能做得起来。否则像等离子自我封闭,终败给液晶。] 索尼和松下昨天宣布,双方已签署协议,共同研发用于电视和大尺寸显示设备的下一代OLED(有机发光二极管)面板和模组,希望明年开发出...

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Vishay推出超小外形尺寸新款双向非对称单线ESD保护二极管 2012-06-26

器件具有14pF的低容量、±7V的工作电业和不到0.1µA的泄漏电流,可用于便携式电子产品 宾夕法尼亚、MALVERN - 2012 年 6 月25 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有14pF低容量的新...

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英特尔推出两款第三代酷睿i3移动处理器 2012-06-27

Focus Taiwan网站本月早些时候报道称,基于Ivy Bridge架构的英特尔酷睿i5微处理器将在6月24日以后推出。英特尔台湾分公司证实 了这个消息,但是,没有明确说明这些处理器是用于台式电脑市场还是移动市场,或者两个...

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瑞萨600V耐压超结MOSFET+导通电阻仅为150mΩ 2012-06-27

瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电...

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Vishay发布具有高Q值的新款多层陶瓷电容器 2012-06-27

宾夕法尼亚、MALVERN - 2012 年 6 月26 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ HIFREQ。器件具有高自振、大于2000的高Q值、小于0.05%的低介质损耗角,可...

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罗姆开发出高温环境下无热失控的超低IR肖特基势垒二极管 2012-06-27

日本知名 半导体 制造商罗姆(总部位于日本京都)近日面向车载、电源设备,开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管"RBxx8系列"。与传统的车载用整流二极管相比,可降低约40%的功耗,非常有助于电动车(EV...

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Marvell+LTE芯片年底出货,能否持续保持TD优势? 2012-06-27

中国主导的3G标准TD-SCDMA一直是国内通信行业关注的热点,可是网络开通以后由于技术和产业链不够成熟,发展一直不太顺利。而随着LTE标准的商用化进程开启,中国移动开始把目光指向TD-LTE标准,而在TD领域投资巨大的...

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罗姆推出高温下超低IR肖特基势垒二极管,可降低车载、电源设备的功耗约40% 2012-06-28

日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)近日面向车载、电源设备,开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管“RBxx8系列”。与传统的车载用整流二极管相比,可降低约40%的功耗,非常有助于电动车(EV...

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H.265+HEVC专利所有权不明朗,芯片厂商不敢贸用 2012-06-28

效率更高的H.265视频编码标准(HEVC)即将通过,可用于下一代更高分辨率和更精巧的数字视频产品设计中。但坏消息是,目前芯片制造商仍然不敢用它来设计产品。 目前,供应商申请的H.265 HEVC技术专利可能高达500项之多...

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Molex为第二代Intel+CPU推出LGA+1155插座组件 2012-06-28

的全套互连产品供应商Molex公司现提供触点阵列封装(Land Grid Array,LGA) 1155 Intel CPU插座组件。LGA 1155 CPU插座又被称为Socket H2插座,设计用于英特尔(Intel) 代号为Sandy Bridge的第二代Core i7/i5/i3系列台...

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