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技术资料

Vishay推出下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件 2012-05-03

5月3日消息,日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A~36A电流,采用多种封...

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TriQuint推出了可级联达灵顿对外放大器等一系列产品 2012-05-03

技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司,推出一系列具有卓越效率,工作频率范围为DC至6 GHz的宽带、可级联达灵顿对放大器产品---TQP369180、TQP369181和TQP369182、TQP369184,以及TQP369185。作为中频...

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新型高功率激光二极管在激光器领域占到了主导地位 2012-05-04

随着新型高功率激光二极管PL TB450 的推出,欧司朗光电半导体巩固了其在氮化铟镓 (indium-gallium-nitride) 激光器领域的主导地位。新款蓝光激光二极管采用紧凑型 TO56 封装,光功率高达 1.4W,特别适合用在专业级高...

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Amalfi加快了新一代CMOS功率放大器产品技术的开发 2012-05-04

专注于具成本效益、高性能的放大器.html">手机功率放大器解决方案的新人Amalfi Semiconductor 日前宣布,现有投资者 Battery Ventures 、 DCM 和 Globespan Capital Partners 新增资 2,000 万美元。 Amalfi 计划将此...

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恩智浦推出首款支持超快速模式规格的I2C总线控制器 2012-05-04

5月3日,恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq:NXPI) 近日推出业界首款高性能I2C总线控制器,该控制器可以同时支持快速模式Plus (Fm+) 和全新的超快速模式 (UFm) 规格,新规格的发送数据传输速率可达5 Mb/s...

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NXP发布了新的通用逻辑封装SOT1226“钻石”封装 2012-05-04

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ:NXPI)今天发布了全新SOT1226“钻石”封装,它是世界上小的通用逻辑封装,具有独特的焊盘间距设计。尺寸仅为0.8 x 0.8 x 0.35-mm的全新SOT1226采用无引脚塑料封装,体积...

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士兰微电子推出内置高压三极管功率开关的开关电源 2012-05-04

2012年,杭州士兰微电子公司在绿色电源控制器领域继续推出新品----内置高压三极管功率开关的原边控制开关电源SD6955。该产品采用PFM调制技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,具有非常高的稳定性和平均效率,...

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凌力尔特全差动放大器可驱动18位元ADC 2012-05-07

凌力尔特(Linear Technology)发表低功耗全差动放大器--LTC6362,可透过仅1毫瓦(mA)供应电流驱动高精准16位元及18位元SAR类比数位转换器(ADC)。该元件具备200微伏特(μV)输入补偿电压和3.9奈伏特(nV)/√Hz输入参考杂...

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新岸线推出基带芯片和移动计算芯片的“泰山”平台 2012-05-07

5月7日,中国的无晶圆厂半导体公司新岸线今日宣布推出包含了其WCDMA/GSM基带芯片Telink7619和移动计算芯片NS115的”泰山”平台。”泰山”平台的发布将使新岸线能够向包括智能手机、平板电脑、智能电视和云计算在内的...

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Fairchild在为汽车车身电子智能高侧开关方面有新突破 2012-05-07

在现今的汽车应用中,设计人员需要把大电流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性负载,这类应用包括:白炽灯、电机控制和加热器件等。现在要实现这一目的,设计人员不得不依赖分立式或机电式解决方案,或是受制于市场...

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