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联电携手新思完成首个14nm FinFET制程验证工具设计定案

联电携手新思完成首个14nm FinFET制程验证工具设计定案
来源:中国电子网 时间:2013-07-01

联电与新思科技(Synopsys)共同宣布,两家公司的合作已获得成果,采用新思科技DesignWare逻辑库的IP组合,和Galaxy实作平台的一部分寄生StarRC萃取方案,成功完成联电个14奈米FinFET制程验证工具的设计定案。

在双方持续进展中的合作关系上,采用新思科技DesignWare矽智财解决方案来认证联电14奈米FinFET制程,可视为是双方此次合作的座里程碑。

联电表示,这次合作的个里程碑,可加速联电14奈米FinFET制程矽智财与相关设计的认证。有助于促进联电FinFET制程,获得更快速及更高电源效能的系统单晶片采用。

联电市场行销副总郭天全表示,此次设计定案的成功,是联电技术上的重要里程碑,此次合作的成果将可大大嘉惠设计公司,为其带来功耗、效能、成本上的好处。

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