来源：eefocus
时间：2014-12-02
九月份的IDF峰会上，Intel正式宣布了“Xeon D”，也就是此前代号Broadwell-DE、面向微型服务器、嵌入式通信与存储市场的第三代产品，将取代此前的Atom S1200/C2000。
Xeon D自然也是14nm工艺产物，它会是一个很大的单芯片SoC，身材和功耗更小，而且多八个CPU核心，同时支持DDR3/DDR4 ECC。
这可要比消费领域Broadwell的双芯片、多四核心、仅支持DDR3要强太多了。
而除了TXT、AVX2、TSX指令集，VT-x、VT-d虚拟化这些常规技术，它还会额外支持内存RAS特性，并且有大量的I/O接口。
Xeon D将在2015年上半年发布，但是第二季度首发的只有一款高端八核，热设计功耗45W，网络功能受限而仅面向微型服务器。
全面爆发还得等第三季度，其中用于微型服务器的有八核、六核、四核三款型号，热设计功耗都是45W。
嵌入式领域的则有八核45/35W、六核35W、四核35/25W，以及两款双核，其一25W，其二不到20W，不过后者会划入奔腾序列。
如果这一切能出现在明年的笔记本里该多好啊……
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