来源：OFweek电子工程网
时间：2014-08-25
之前我们详细了解过Intel 14nm工艺的过人之处，但那基本只是单一的介绍，没有和其他厂商、其他工艺的正面对比。日本同行PCWatch近日也对Intel新工艺做了一番解析，更加凸显了世界 芯片 巨头的强悍。
Intel22nm工艺已经率先使用了3D立体 晶体管 ，14nm上将进化到第二代，其他厂商则会陆续上马类似的FinFET，包括台积电16nm、三星/GlobalFoundries14nm。
来看看几个工艺的间距数据：
Intel14nm的栅极间距为70nm，内部互联小间距为52nm，这两项指标分别比22nm缩小了22％、35％。
相比之下，台积电16nm、三星/GF14nm的栅极间距分别是90nm、78nm，前者只相当于Intel22nm的水平，后者也略弱一些，而内部互联小间距则都是64nm，相比于Intel大了23％。
这些间距越小，就可以把晶体管做得更小、更密，对于电路集成度、芯片性能的重要性不言而喻。
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