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全球存储器市场恐反转 DRAM、Flash同步拉警报

全球存储器市场恐反转 DRAM、Flash同步拉警报
来源:OFweek电子工程网 时间:2014-08-22
  • OFweek 电子工程 网讯:近期DRAM及NAND Flash市场同步拉警报,不仅DRAM现货价陆续出现回档,预计9月合约价将剧烈震荡,NAND Flash市场更是暗潮汹涌,面对苹果(Apple)iPhone新机备货期,然NAND Flash价格却涨不上去,业者担心供需问题恐较预期严重,加上被寄予厚望的固态硬碟(SSD)价格疲软,全球存储器市场再度乌云笼罩。

    存储器供给增加压力续增

    全球DRAM产业经过大整并后,已维持逾20个月的好光景,对于幸存的DRAM供应商十分难得,但随着三星电子(Samsung Electronics)宣布Line 17将生产DRAM 芯片 ,让DRAM产业再度陷入窒息期,近来DRAM现货报价陆续回档,加上2014年下半包括三星25纳米制程、美光/华亚科20纳米制程产能陆续出笼,供给增加压力持续攀升。

    尽管目前DRAM合约价仍处于高档水准,4GB DDR3模组报价维持在34美元附近,然业者预期9月起DRAM合约价将进入剧烈震荡期,若合约价及现货价同步下滑,全球DRAM市场恐明显降温。

    半导体业者指出,NAND Flash市场隐含问题恐更严重,因为苹果iPhone新机即将问世,业界原预期会吃掉不少NAND Flash晶片产能,上游供应商亦会努力守稳价格,甚至逐月微调合约价,但近期NAND Flash报价涨幅十分有限,几乎没有原先预期的新机备货热潮,一旦新产品备货期过后,加上新产能陆续出笼,NAND Flash市场将面临不小的价格压力。

    终端市场变化大 存储器厂陷苦战

    值得注意的是,三星在智能型手机市场逐渐失利,预期2015年三星智能型手机市占率恐下滑至25%,市场大饼被大陆品牌厂联想、小米、华为,以及印度自有品牌厂侵蚀,目前包括大陆、印度等新兴市场智能型手机出货占比持续增加,业者认为这样的趋势不利于存储器供应商掌握终端需求。

    由于大陆手机厂在推出新机及冲刺市占率时,通常会喊出很高的销售量目标,亦会下给供应商很高的预期数字,导致供应商在评估市场需求及进行产能规画时严重失真,这与过去苹果及三星掌握市场全局的状况差很多。

    另外,原本被寄予厚望的NAND Flash杀手级应用SSD,2014年在各家大厂力捧下,市场热度明显增温,但产品价格却是一塌糊涂,由于各厂杀价抢市占率,加上消费者仍倾??向购买低价产品,导致很多小厂不顾品质推出产品,对于SSD市场造成干扰,消费者对于SSD使用仍停留在过去快闪记忆卡时期,用过即丢、不重视品质,这将不利于SSD市场长远发展。

    整体来看,DRAM和NAND Flash市场进入第3季传统旺季后,反而遭遇到相当大挑战,DRAM市场逐渐由供给吃紧,走向微幅供过于求,然业者预期应不会重蹈过去价格崩盘覆辙,因为目前存储器供应商三强鼎立,各自都肩负获利重任。至于NAND Flash产业正面临供应商大举扩产期,未来两年还有苦战,恐随时启动新一波杀价战。

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