来源：OFweek电子工程网
时间：2014-06-17
（作者：穆满起）
一、国产55纳米相变 存储技术 的发布打破了国外核心技术垄断
2013年12月，宁波时代全芯科技有限公司正式发布了中国自主研发的款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术（PCM）。相变存储技术以高性能着称，具有替代传统存储甚至闪存的能力。
国产55纳米相变存储技术的发布，预示着存储市场的新一轮变革，为中国半导体存储厂商在云计算和大数据时代开辟了一条自主创“芯”之路，彻底打破了国外 芯片 存储核心技术长期垄断的局面。
二、北京300亿设股权投资基金扶植 集成电路 产业
2013年12月，工信部、发改委与北京市政府共同成立北京市集成电路产业发展股权投资基金，基金总规模300亿元，主要投资项目包括产业链重点项目、研究中心、资本并购重组等方面。在产业投向结构上，基金在集成电路产业的投资规模占比不低于60%，相关上下游产业投资规模占比不高于40%。
股权投资基金的设立标志着我国集成电路产业扶持政策发生了重大转向，即由单纯的研发支持和项目支持转变为培育集成电路产业全产业链条和推进产业整体升级。
三、我国在移动芯片领域初步实现核心技术和市场应用的双突破
2013年，我国在移动芯片领域初步实现了核心技术和市场应用的双突破，取得了远佳于PC时代的产业位置。各细分领域出现了一批企业，产品线日趋丰富、销售额逐步攀升的同时，在全球产业的影响力也实现快速提升；移动芯片国产化率得到快速提升，在多模基带芯片、多核应用处理芯片、多集成单芯片等重点领域均取得关键突破，并逐步深入对基础架构的理解和软硬件优化，在移动芯片制造环节已实现40nm工艺量产。
移动芯片领域实现双突破，标志着我国已经成功实现了从“无芯”到“有芯”的跨越，实现了集成电路核心技术与产业应用的整体提升。
四、图像传感器芯片实现从低端向中高端的技术突破
2013年，北京思比科微电子股份有限公司成功推出了中国首款量产的1/4寸500万像素CIS芯片SP5408和中国首款单反数码相机用1200万像素高性能CMOS图像传感器芯片SP8AC08。
思比科推出的系列高性能图像传感器芯片产品，打破了国外高性能图像传感器芯片核心技术的长期垄断，使中国在高性能图像传感器芯片核心技术领域步入了世界前列。
