来源：中国电子网
时间：2013-09-25
近日消息，美国射频微系统公司(RFMD)日前推出世界首个用于制造射频功率晶体管的碳化硅基氮化镓晶圆，以满足军用和商用需求。该公司实现了从现有高产量、6寸砷化镓晶圆生产向6寸氮化镓晶圆生产和研发的转变，以降低成本满足不断增长的氮化镓器件市场需求。
RFMD公司总裁兼首席执行官鲍勃称：“我们很高兴在RFMD公司的现有高产量6寸砷化镓生产线上推出业界首款6寸碳化硅基氮化镓射频技术。氮化镓器件和砷化镓器件在制造上的合并是我们“砷化镓中氮化镓代工厂”策略的一部分，以使现存生产能力通过制造创新型氮化镓基产品抓住增长机会。”
根据行业分析公司--策略数据公司的数据，2017年氮化镓微电子市场将是现在的三倍，达到3.34亿美元，年复合增长率(CAGR)达到28%。该市场由军用(雷达、电子战、通信)和商用(电源管理、蜂窝通信、有限电视、移动式无线电通信)共同推动。
RFMD公司功率宽带部门副总裁杰夫博士称：“利用我们在6寸砷化镓制造技术的地位和高产量的专业知识，RFMD公司有能力增加6寸氮化镓制造能力，来推出新的射频功率产品，以此加速我们在通信、有线电视、能量转换、雷达、干扰、宇航和代工业务中的利润增长。”
氮化镓技术可在有限芯片体积内支持宽频带和高击穿电压。6寸氮化镓晶圆所能提供的有效面积是4寸氮化镓晶圆的2.5倍，因此每个晶圆所产出的射频功率器件数也增加2.5倍。晶圆面积越大，由此带来的每个芯片成本更低，是为军用和商用提供廉价、高性能单片毫米波集成电路(MMIC)的关键。RFMD公司预计在2014年将完成对6寸氮化镓平台的验证。
