四核详解：基于28nm工艺的骁龙800、瑞芯微RK3188

芯片专家Chipworks近日发布报告，详细介绍了高通骁龙800、瑞芯微RK3188两款基于28nm工艺的四核心移动芯片，并首次曝光了它们的内核照片(多晶硅层面)。

详解骁龙800 MSM8974

骁龙800 MSM8974是当今顶级的移动芯片，采用台积电28nm HPM工艺制造，内核面积11.14×10.62＝118.3平方毫米，整合四个Krait 400 2.3GHz CPU核心、Adreno 330 450MHz GPU核心、3G/4G LTE基带。

这也是高通次使用台积电端的28nm HPM工艺(也是该工艺次量产)，融入了高K金属栅极技术和硅锗材料，栅极长度更短、SRAM单元面积更小(0.13平方微米)，可将芯片性能发挥到极致并很好地控制功耗。此前高通用的都是28nm LP，使用多晶硅栅极和氮氧化硅。

NVIDIA Tegra 4用的则是28nm HPL，注重漏电率与性能之间的平衡，仅从这一点看NVIDIA就不会在性能上占优势。

台积电宣称，28nm HPM可以带来比28nm HP更高的频率，同时漏电率水平保持一致，非常适合高性能移动处理器。

详解瑞芯微RK3188

瑞芯微RK3188整合了四个ARM Cortex-A9 1.6GHz CPU核心、四个ARM Mali 600MHz GPU核心，内核面积4.71×5.82＝24.7平方毫米。

它是款国产的28nm工艺移动芯片，但用的是GlobalFoundries 28SLP(超低功耗)工艺，同样也有高K金属栅极技术，定位就是竞争台积电28nm HPM。

GF是通用平台联盟的一员(还包括IBM、三星)，28nm SLP技术自然也来源于此，所以用的是前栅极(gate first)，PMOS晶体管内也有硅锗通道。不同于给AMD制造处理器的32nm SOI，这种工艺是Bulk Silicon。

是不是觉得上边的图都太小了不过瘾？不好意思，大图是要和详细报告一起卖钱的：内核照一张200美元、多晶硅层内核照一张2500美元、功能性分析报告一份5000美元、架构前端分析一份17000美元。