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X-FAB针对可携式模拟应用提供180nm优化的工艺

X-FAB针对可携式模拟应用提供180nm优化的工艺
来源:中国电子网 时间:2013-06-25

强了XP018工艺的多样选择以降低芯片的成本。这些选项是成本敏感的消费性应用与需要180nm技术、模拟集成的理想选择。

X-FAB针对模拟电路设计降低XP018芯片成本有几个方面:

——新推出的单电压5V的选项移除了1.8V的部分以减少整体光罩的数量,对成本敏感的可携式应用提供有价值的回报。

—— 5V环境中的I/O单元、数字库、一次性可程序化(OTP)内存和模拟模块均兼容于XP018所有的高压选项,使其可用于任何类型的驱动器。针对驱动压电或电容性的系统,导通电阻优化的12V晶体管减少了所需要的芯片面积。此外,5V模块中一次性可程序化(OTP)内存的编译程序可支持至16k bit,互补于现有的poly fuses.

——适用于不同需求的金属绕线–一个新式的金属模块概念首次引入XP018平台–节省了设计成本。它允许MiM电容灵活地和其他金属层互相堆栈。

——后,60V的金属边际电容(metal fringe capacitor)与1 kohm的poly电阻简化60V供电环境中高电压应用的设计。

X-FAB高压产品线的产品营销经理Sebastian Schmidt提到,“这项新工艺确实为我们的客户提供很大的效益。20层光罩的工艺是具有竞争力的,客户可以藉由180nm高密度的数字逻辑与5V、12V至50V的推挽驱动来建立他们的混合讯号系统芯片–非挥发性内存(NVM)的可用性也进一步加强。因此,这是一个为智能型驱动与模拟IC所设计的绝佳技术。”

新式的XP018是汽车电子验证过的工艺– X-FAB的标准功能–并提供全面性的PDK支持与操作温度-40至175摄氏度的应用。

解决方案加强后的XP018平台已经完备,设计人员可立刻受惠于这些选项。

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