来源：电子工程专辑
时间：2011-11-14
SOI产业联盟(SOI Industry Consortium)和业界支持绝缘层上硅(silicon-on-insulator, SOI)的厂商们日前表示，已经有新证据显示，使用完全耗尽型的FDSOI技术，其风险将小于由英特尔所支持的FinFET。
SOI联盟表示，近一项由意法(ST)、IBM、ARM、Globalfoundries和其他半导体公司完成的研究，已经以一种简单的制程，在28nm和20nm节点证实与FinFET具备相同的性能。
这个联合研发计划采用FD-SOI制程来制造28nm芯片。该联盟表示，在这些芯片上进行测试的结果，与之前为FD-SOI元件基准性能测试所开发的电脑模型预测一致，证实了该模型的可靠性。
“不仅基准结果显示FD-SOI可在28nm和20nm节点展现出与FinFET相同的功率和性能，FD-SOI可容纳平面架构的能力，也使其风险远比FinFET来得低，”SOI产业联盟执行总监Horacio Mendez说。
“这让FD-SOI更适合对成本敏感的应用，如智能手机和平板电脑等，这类移动电子产品等需要高性能和低功耗的解决方案。”
SOI联盟表示，所有的模拟目前都已真，展现了在，所有数字元件设计中的可行性，包括运作在0.6V低Vdd电压的SRAM在内。
SOI联盟并未说明使用SOI起始晶圆时的成本劣势问题。但该联盟表示，2011年7月发布的一项研究显示，采用FD-SOI晶圆制造20nm SoC的成本将比使用平面晶体管，以及使用FinFET更加经济。
2011年5月，英特尔揭示了采用FinFET，被称为1270的22nm制程细节。片晶圆来自于该公司位于奥勒冈州的D1D晶圆厂，并于2011年下半年在亚利桑那州的F32晶圆厂量产
