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MIT开发出新型锗晶体管 速度提升四倍

来源:中国电子网
时间:2013-01-04

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据国外媒体报道,MIT 的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的 4 倍左右。为了能够提升速度,科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅符合产品上,随后锗原子将与硅层结合起来,拉紧材料迫使上层材料结构比它们的原始结构更加紧凑。听起来有点像我们用藤条改变植物的生长形状一样。

 

紧凑的结构导致锗材料之间的洞孔更加紧密,晶体管的速度达到当今大部分实验设计的2倍,市场上晶体管速度的 4 倍。

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