来源：新电子
时间：2012-12-18
意法半导体(ST)宣布在28奈米完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件(FD-SOI)技术平台的研发向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12吋(300毫米)晶圆厂导入该制程技术，这证明意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型(Planar Fully-Depleted)技术的能力。
意法半导体执行副总裁、数位娱乐事业部总经理暨技术长Jean-Marc Chery表示，透过后端晶圆测试证明，与传统制造技术相比，FD-SOI在性能和功耗方面具有明显优势，让意法半导体能在28奈米技术节点创造高成本效益的工业解决方案。
FD-SOI技术平台包括全功能且通过矽验证的设计平台和设计流程。技术平台为全套的基础程式库，包括标准单元、记忆体产生器、输入/输出(I/O)、AMS IP及高速介面，设计流程适合开发高速的高效能元件。
与传统制造技术相比，FD-SOI技术可在大幅提升性能的同时，大幅降低功耗，因此ST-Ericsson则采用意法半导体的FD-SOI技术设计未来的行动平台。
