多因素致英特尔14nm制程延迟

　　intel 将在2013年生产新处理器-生产工艺代号为Broadwell，这种14纳米芯片将具有更加集成的设计特点，将是英特尔个真正的系统芯片（SoC化），因为这个芯片上将包含以太网、Thunderbolt或者USB 3.0等功能。根据摩尔定律，集成在同一芯片上的晶体管数量大约每两年增加一倍，同时相同大小的芯片将具有双倍的性能。一旦达到14nm的制程，将极其接近硅晶体的理论极限数字（大约为9nm到11nm）。 尽管14nm制造工艺的芯片在英特尔的实验室中被研制成功，但是要实现大规模量产可能还存在一些障碍。

　　《爱尔兰时报》(Irish Times)近日报导，在决定延迟推出其位在Leixlip的Fab 24厂的 P1272  14nm 制程后，英特尔日前决定让派驻在美国进行生产培训的600名爱尔兰员工先调回家。这些员工已针对 14nm 制程接受了培训。英特尔在今年稍早证实，其 Fab 24  将是继美国奥勒冈州的D1X厂，以及美国亚利桑那州Fab 42厂后，首个加入14nm生产的海外生产据点。据传英特尔花费了超过10亿美元来翻新Fab 24厂，以确保未来的产能。

　　《泰晤士报》(The Times)报导，爱尔兰14nm制程量产时间将延迟半年，到2013年底，主因在于需求放缓，而非技术问题。然而，报导也指出，由于此一延迟，英特尔可能会重新考虑在爱尔兰量产14nm制程的策略。由于英特尔是当地的私人公司，员工数达4,500多人。欧盟对这家愿意投资爱尔兰的芯片制造商一直抱持着鼓励的态度。欧盟认为，纳米电子学是实现未来技术的关键，他们不愿意看到这些技术离开欧洲大陆，即使拥有这些技术公司都来自彼岸的美洲大陆，如英特尔和 Globalfoundries 。

　　Globalfoundries是英特尔的竞争对手之一，有趣的一点在于，英特尔的14nm技术将是其第二个以FinFET技术为基础的制程节点，而Globalfoundries的的 14XM 制程本质上则是用于替代平面晶体管，自 20nm FinFET 制程改良而来。如果英特尔14nm制程延迟，那就意味着直到2014年， Globalfoundries 的 14XM 制程将会成为首个不运用微缩芯片面积作为节省成本方法的过渡型制程节点。对手机芯片公司而言，能降低芯片面积进而降低功耗是手机节能方面普遍所采用的方法。

　　英特尔的14nm制程要在原子级实现微型化并不容易。尽管英特尔已经表示，它并不需要超紫外光微影，而是使用193nm光学微影技术，但这对成本和良率都可能带来影响。

　　如果英特尔能如期在2013年推出 P1272 ──无论是两座或三座晶圆厂能量产，能确保这家芯片制造商的声誉。如果事实证明 P1272 14nm 有技术问题需要解决，如以绝缘层上覆硅作为起始晶圆，那么，延迟到2014年将对英特尔作为芯片公司的声誉造成严重打击 。