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TD-LTE芯片:28nm工艺趋成熟

来源:中国电子报
时间:2012-09-24

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  在2012年中国国际信息通信展上,记者发现TD-LTE在TD-SCDMA奠定的技术、产业基础上快速发展,已经构建起以我国企业为主、国际厂商广泛支持的端到端产业链。终端芯片方面,已有超过17家国内外知名企业投身TD-LTE产业,其中Marvell、创毅视讯、中普微电子、展讯、联芯科技等厂商在本届展会上推出了一系列支持TD-LTE的芯片产品。此前,多模芯片的开发,单芯片解决方案的推出,28nm工艺的实现等一直是TD-LTE终端产品开发的技术瓶颈,在本届展会上可以发现,随着芯片厂商的努力,相关难点正在逐步被攻克,TD-LTE商用化的脚步正逐渐临近。

  多模芯片为展示重点

  TD-LTE技术在未来移动通信领域,特别是移动宽带领域有广阔的发展前景,全球很多运营商都对TD-LTE技术表现出非常大的兴趣。TD-LTE的成功需要三大要素,即网络、终端和内容应用,而芯片又是终端产品的核心。为了满足不同运营商在LTE网络引入后对语音业务支持的要求,芯片需要支持语音解决方案,由于LTE不承载语音业务,语音通讯是下放到2G、3G来解决的,因此必须采用多模芯片。多模芯片也就成为TD-LTE发展的重点。

  本届展会上,各家芯片厂商也把着力点放在TD-LTE多模芯片的展示上。在TD产业联盟的展台上,展讯展示了一款其开发的TD-LTE芯片SC9610。该单产品采用40nmCOMS工艺,在单芯片内集成多模标准,包括多频段的TD-LTE和TD-SCDMA,以及EDGE/GS/GPRS,达到100Mbps下行速度和50Mbps上行速度,支持5M、10M、15M及20MHz信道带宽和2×2MIMO,可用于高端智能手机和数据卡。此外,重邮信科也展出了支持TD-LTE/TD-SCDMA/EDGE的多模终端解决方案C8310。联芯展出了支持TD-LTE/LTE FDD/TD-HSPA/GGE的多模终端解决方案等。

  对此,MARVELL移动产品全球副总裁李春潮表示,多模芯片、多模平台是一个趋势。当然这个平台的实现还有很多挑战,如果想把多模产品做好,仅把一些IP堆起来是很难实现的,这样的话芯片面积就会很大,功耗也会增加。所以一定要进行优化,不同的模有一些可以复用。

  单芯片成发展趋势

  多模LTE智能手机一般需要配备3G芯片和LTE基带芯片,这样的架构为功耗优化带来很大挑战。系统集成的单芯片将是重要的解决方案,这方面产品的开发也考验着企业的能力。

  对此,中普微电子销售副总裁许飞表示,不管2G、3G,后都会走上单芯片这条路,一款手机体积有限,芯片尺寸将是重要考量,因此必然向单芯片化发展。李春潮也指出,多模芯片要想做得好,不能光把不同的IP堆出来。目前,市场上也有越来越多的厂商致力于开发单芯片产品,如MARVELL在本届展会上展出的PXA1802,即为TD-LTE 5模单芯片,可以同时支持语音和数据双连接的方案。

  28nm工艺明年成熟

  工艺是影响TD-LTE芯片功耗的关键,业界认为TD-LTE芯片较为适用28nm工艺,而目前这一工艺尚未成熟。28nm甚至是比14nm更高的半导体制程节点,可使芯片设计面积和相关功耗得以降低。

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