英特尔
公布了在2013年将
14纳米
制程技术应用于制造中央处理器以及SoCs的计划，以及计划在2015年研发
10纳米
及其以下的制程技术。
在旧金山举行的英特尔信息技术峰会，公司高级研究员Mark Bohr表示技术路标展示了因特尔在半导体制造工艺技术上始终处于行业领头的地位。
英特尔公布了即将到来的代号为P1272 and P1273的14纳米制程技术，其准备于2013年投产。供应商宣称将将在三个州生产测试上述产品。
英特尔先前确认对上述三种fab投资以应用于14纳米及更低的制程技术。
此外，英特尔宣称对10纳米，7纳米，5纳米制程技术的研究将开始于2015年。
2011年5月，英特尔宣称其三维三栅级晶体管取得了突破性的进展，能够使芯片以低电压较少泄漏量的情况下工作，与老式的晶体管相比在表现性能和能源利用率方面提高了很多。新型的晶体管已应用于第三代酷睿i系列处理器于2011年底大批量生产。
